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SK 海力士计划投资 746 亿美元加强其内存芯片业务

SK 海力士占据 DRAM 市场 35% 的份额，该公司计划在未来三年投资 103 万亿韩元（约合 746 亿美元），进一步加强对内存业务的控制，同时更加关注人工智能技术。这项投资是该...

分类：名企新闻时间：2024/7/1 阅读：215 关键词：SK 海力士

内存芯片供应过剩

目前有两种类型的芯片供应过剩：NAND 和 DRAM 内存。这些用于笔记本电脑等设备以及数据中心的服务器。供应过剩是在芯片短缺的情况下各公司开始囤积芯片以增加库存之后...

分类：业界动态时间：2023/7/28 阅读：647 关键词：内存芯片

瑞萨推出新的DDR5内存芯片

最新的瑞萨DDR5芯片能提高服务器和客户端的传输速度。在DDR5上，瑞萨公司已经宣布了两款新的DDR5 DIMM芯片，用于在新兴应用中提高服务器和客户端性能。目前，在冯诺依...

分类：新品快报时间：2023/7/10 阅读：310 关键词：DDR5内存芯片

消息称三星下调 DDR4 内存芯片价格：逐步淘汰 DDR3，加快 DDR5 生产

据DIGITIMES报道，业内人士透露，三星已经降低了其4GbDDR4芯片价格，这是该公司进一步加快行业从DDR3向DDR4过渡的战略举措。消息人士表示，三星继续缩减了其DDR3芯片产量...

分类：名企新闻时间：2022/8/15 阅读：11307

印度将迎来一家本土内存芯片公司

电子公司SahasraSemiconductors表示，它预计将成为第一家在印度设立存储芯片组装、测试和封装部门的公司，并在12月前开始销售本地制造的芯片。SahasraSemiconductors董事长...

分类：业界动态时间：2022/7/25 阅读：1619

长鑫今年投产 17nm 工艺的 DDR5 内存芯片

为了避免未来被国外“掐脖子”，国内内存芯片厂商也一直在突破自身瓶颈，推动相关技术的综合升级。很新消息爆料，合肥长鑫今年要投产17nm工艺的DDR5内存芯片。根据相关资...

分类：名企新闻时间：2022/2/22 阅读：2885

SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM

应用PIM的“GDDR6-AiM”产品将在权威国际学术大会上亮相通过在内存中加入计算功能，得以很大限度地提高数据处理速度低电压运行可提高能效，减少碳排放，从而改善ESG表...

分类：新品快报时间：2022/2/18 阅读：11981

华为要求三星、SK海力士稳定供应内存芯片

据韩国媒体《韩国经济日报》报道，华为技术有限公司已要求三星电子公司和SK海力士公司保持稳定的存储芯片供应。　　消息人士透露称，华为已召集两家韩国芯片制造商在华子公...

分类：业界动态时间：2020/5/25 阅读：995 关键词：三星 SK海力士内存芯片

疫情刺激内存芯片需求三星季度利润或保持不变

据外媒报道，新冠病毒的全球大流行推动了在家办公的浪潮，这种转变势必会提振笔记本电脑制造商以及数据中心对三星电子内存芯片的需求。但与此同时，由于疫情削弱了消费电子...

分类：业界动态时间：2020/4/7 阅读：1607 关键词：芯片三星内存

三星电子副董事长：内存芯片市场开始出现恢复迹象

据国外媒体报道，韩国巨头三星电子副董事长Kim Ki-nam周二表示，内存芯片市场开始出现改善迹象，这使得三星电子需要仔细考虑其位于京畿道平泽市的第二季内存芯片工厂的启动...

分类：业界动态时间：2020/1/9 阅读：1673 关键词：芯片

内存芯片技术

尔必达申明40nm制程2Gb DDR3内存芯片成功开发

尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM内存芯片的研发工作，今年11月份这种芯片将进入送样阶段，年底前则可实现正式批量供货。据集成电路设计行业的消息来源称，预见到SDRAM内存将出现供应短缺的局面，台湾地区集成电路...

其它时间：2011/9/2 阅读：1477

内存芯片参数介绍

具体含义解释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。第2位——芯片类型4，代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容

基础电子时间：2008/8/11 阅读：4445

富士通两款2Mbit FRAM内存芯片上市

富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市，该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存，具备高速资料写入、低

新品速递时间：2007/11/27 阅读：1600

Fujitsu新型2Mbit FRAM内存芯片供货上市

新品速递时间：2007/11/21 阅读：1597

美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片

美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上，面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4GbNAND闪存芯片捆绑在一起，构成强

新品速递时间：2007/11/20 阅读：1505

内存芯片封装技术的发展

随着计算机芯片技术的不断发展和成熟，为了更好地与之相配合，内存产品也由后台走出，成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分，内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封...

新品速递时间：2007/4/29 阅读：2329

内存芯片封装技术“三级跳”

芯片的封装技术种类多种多样，诸如DIP、PQFP、TSOP、TSSOP、PGA、BGA、QFP、TQFP等等。芯片的封装技术已历经好几代的变迁，技术指标一代比一代先进，如芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增

基础电子时间：2004/12/13 阅读：2238

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