据 IT 之家 6 月 2 日消息，日经亚洲 31 日报道称，软银正携手英特尔开发一种全新的 AI 专用内存芯片，该芯片的耗电量有望大幅低于当前芯片，这一合作项目为日本构建节能高效的 AI 基础设施奠定了基础。
双方计划设计一种新型堆叠式动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这种芯片采用了不同于现有高带宽内存（HBM）的布线方式，通过独特的电路设计和架构优化，预期能够将电力消耗减少约一半。这一创新的设计理念，有望解决当前 AI 芯片在运行过程中耗电量大的难题，提高能源利用效率。
负责该项目的是新成立的公司 Saimemory。该公司所用技术来自英特尔，英特尔在半导体领域拥有深厚的技术积累和强大的研发实力。同时，Saimemory 还结合了东京大学等日本高校的成果，充分整合了高校的科研资源和创新能力。Saimemory 将专注于芯片设计与管理，而芯片的制造则交由外部代工厂负责。这种分工合作的模式，有助于充分发挥各方的优势，提高项目的研发效率和成功率。
项目的目标十分明确，计划在两年内完成原型的研发。在完成原型后，将对其性能、功耗等各项指标进行全面评估，再决定是否投入量产。项目方争取在 2020 年代实现该芯片的商业化，为市场提供高性能、低功耗的 AI 专用内存芯片。整体投资预计达 100 亿日元（现汇率约合 5 亿元人民币），如此大规模的投资显示了双方对该项目的重视和信心。
软银作为主要投资方，出资 30 亿日元（现汇率约合 1.5 亿元人民币）。此外，日本理化学研究所与神港精机也在考虑在资金或技术上参与该项目。同时，项目方也计划申请政府支持，以获取更多的资源和政策优惠。
软银希望将这款新型存储器用于其 AI 训练数据中心。随着 AI 在企业管理等高阶领域应用的不断深入，对高性能、高效率数据处理能力的需求也在持续提升。这种低功耗的 AI 专用内存芯片将有望以更低的成本构建高质量的数据中心，为 AI 技术的发展提供有力的支持。
