英特尔 18A 工艺良率升至 55%，成功超越三星 2nm

类别：业界动态　出处：网络整理　发布于：2025-07-14 14:09:43 | 656 次阅读

近期有消息传出，英特尔的 18A 工艺取得了重要进展，其良率已经提升至 55%，并且成功超越了三星的 2nm 工艺。

半导体工艺的良率是衡量一家企业技术实力和生产效率的重要指标。较高的良率意味着在生产过程中能够以更低的成本生产出更多合格的芯片产品，从而在市场竞争中占据优势。英特尔的 18A 工艺此次良率提升至 55%，这一成果来之不易，也显示出英特尔在半导体制造技术上的深厚底蕴和持续投入。

相比之下，三星的 2nm 工艺虽然也在不断发展，但目前在良率方面已经被英特尔的 18A 工艺所超越。这对于英特尔来说，无疑是一个重要的里程碑，不仅有助于其提升市场竞争力，也为其未来的产品规划和市场布局提供了有力的支持。

英特尔一直致力于在半导体工艺领域保持领先地位，不断加大研发投入，推动技术创新。18A 工艺的良率提升，将使得英特尔能够更稳定地生产出高性能、低功耗的芯片产品，满足市场对先进芯片的需求。这些芯片有望应用于电脑、数据中心、人工智能等多个领域，为相关行业的发展提供更强大的动力。

对于三星而言，英特尔 18A 工艺良率的提升无疑带来了更大的竞争压力。三星需要加快其 2nm 工艺的研发和改进步伐，提高良率，以重新夺回在半导体工艺领域的优势地位。

关键词：英特尔

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