SK海力士今年将推出375层NAND闪存，未来几年还将推出480层/604层后续产品。 SK海力士和三星正在竞相研发NAND闪存层数最多的产品。三星的目标是突破400层，其双层堆叠解...
分类：业界动态 时间：2026/6/15 阅读：4863 关键词：存储芯片
SK 海力士 400 层工艺遇阻，年底将推 375 层 NAND 闪存
在半导体存储领域，SK 海力士近期有了新的动态。原本计划推出 400 层架构 NAND 闪存的 SK 海力士，由于超高层数堆叠的量产工艺遇到瓶颈，不得不调整产品规划。目前，该公司...
分类：名企新闻 时间：2026/6/11 阅读：6187 关键词：SK 海力士
华尔街预判，DRAM/NAND结构性紧缺将持续至2028年末
高盛、摩根士丹利、Cantor Fitzgerald等多家机构近期发布的存储行业研判报告显示，当前全球DRAM内存、NAND闪存的供给紧张局面，或将贯穿2027年全年，直至2028年末新增产能...
MLC NAND作为传统平面式2D闪存的核心品类，凭借其高耐久度、长数据保存周期及稳定的环境适应性等核心优势，长期应用于工业控制、医疗设备、车载电子、老旧嵌入式系统等对存...
分类：业界动态 时间：2026/5/13 阅读：8435 关键词：MLC NAND
根据媒体报道，国际记忆体原厂退出 2D NAND 快闪记忆体市场已成必然趋势。受供货稀缺影响，低容量 2D NAND 价格近期快速飙升。市场有传言称，联电可能接获 SLC、MLC Flash ...
分类：业界动态 时间：2026/4/21 阅读：5969 关键词： NAND
供给侧的世纪变局 这一轮NAND价格上涨绝非简单的周期性反弹，而是行业底层逻辑的结构性重置。数据显示，当前设备产能仅恢复到历史高峰期的75%，新一代工艺的物理特性导致同样洁净室面积产出更少晶圆，叠加资本开支持续收缩，2023-2025...
分类：业界动态 时间：2026/4/15 阅读：3769
存储芯片行业迎来重大变革！全球领先的闪存制造商铠侠(Kioxia)于3月31日正式发布停产通知，宣布将逐步淘汰部分传统浮栅式(FloatingGate)2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品线...
分类：业界要闻 时间：2026/4/1 阅读：44938
铠侠宣布停产TSOP封装MLC NAND闪存，行业格局面临重塑
全球存储巨头铠侠电子(中国)有限公司近日正式发布通知，宣布将逐步停止生产采用"薄型小尺寸封装"(TSOP)的MLC NAND闪存产品。这一决定标志着存储行业一个重要时代的终结，也...
分类：业界要闻 时间：2026/3/20 阅读：43263
英伟达联手三星研发铁电NAND 内存革命将破解AI芯片短缺与电力危机
当全球AI产业遭遇内存芯片短缺和电力危机的双重暴击时，英伟达与三星的这场"技术豪赌"可能会改写游戏规则。铁电NAND这项神秘技术，凭什么被业界视为"同时解决两大世纪难题的金钥匙"？芯片荒遇上电荒：AI产业的至暗时刻市场研究机构Omdia...
分类：业界动态 时间：2026/3/13 阅读：6078
全球AI芯片巨头英伟达近期罕见地宣布直接参与内存研发，与三星电子合作推进铁电NAND闪存技术的商业化进程。这一突破性技术有望同时解决当前科技行业面临的两大核心挑战：内...
分类：业界要闻 时间：2026/3/13 阅读：39530
NOR Flash 与 NAND Flash 是当今电子领域两种主流的非易失性存储器，即使在断电的情况下，它们也能确保数据不会丢失。这两种存储器虽然均基于浮栅晶体管结构，但在设计、性能和应用场景上存在显著差异。 存储结构和访问方式 NOR Fl...
基础电子 时间：2026/5/9 阅读：246
1. ONFI 是什么？ONFI（Open NAND Flash Interface，开放NAND闪存接口）是一个由英特尔、美光、海力士等厂商联合制定的标准化NAND闪存接口协议，旨在统一不同厂商的NAND闪存通信规范，解决早期NAND闪存兼容性问题。 2. 为什么需要ONFI...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：940
NAND Flash 和 SD NAND 存储扇区架构的对比
NAND Flash 与 SD 卡（SD NAND）作为两种广泛应用的存储介质，其存储扇区分配表在设计原理上存在诸多相似之处，但受制于不同的结构特性与应用场景，两者亦呈现出显著的差异。米客方德凭借深厚的技术积累与专业洞察，为您深度剖析 NAND Fl...
基础电子 时间：2025/5/13 阅读：519
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片）、FTL（闪存转换层...
基础电子 时间：2025/4/30 阅读：2598
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：825
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：989
串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比，串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI)，信号传...
基础电子 时间：2023/7/20 阅读：939
具有 AND/NAND、OR/NOR 和 XOR/XNOR 功能的输入光开关的通用光电逻辑元件
虑光电逻辑元件AND、OR、XOR，当施加输入控制信号时，其输出信号可以反转，从而将逻辑元件转换为NAND、NOR、XNOR。 在各种各样的逻辑芯片中，有一些已知的芯片，其电源可以通过将控制信号馈送到芯片的输入之一来打开或关闭。 下面...
设计应用 时间：2023/5/4 阅读：610
嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素：使用哪种类型的闪存架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要纠错码（ECC）等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口，这会限制选项，因此内存可能很容易选择。然而，通常情况...
基础电子 时间：2023/3/13 阅读：1057
SLC、MLC、TLC 和 QLC NAND SSD 之间的区别
如果你想要一个顶级系统，尤其是用于游戏或内容创作，那么 SSD 是绝对必要的。然而，在你去寻找之前，你应该知道要寻找什么。有多种不同类型的 SSD。就基本的 SSD 存储单元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受欢迎的，不过...
基础电子 时间：2022/8/18 阅读：1308
