铠侠拟定五年产量翻倍计划，力挺 AI 数据中心 NAND 需求
铠侠控股在经营方针说明会上宣布了一系列重要计划，旨在满足 AI 数据中心对 NAND 闪存日益增长的需求。 铠侠控股表示，计划在未来五年内将产能（以存储容量计算）提升一...
分类：名企新闻 时间：2025/6/7 阅读：397 关键词：铠侠
2025Q1 NAND Flash 市场低迷，Q2 供应商营收有望上扬
TrendForce 集邦咨询的最新研究显示，2025 年第一季度，NAND Flash（闪存）供应商面临着严峻的市场挑战。终端客户需求的疲软以及严重的库存积压，共同导致了 NAND Flash 市...
分类：维库行情 时间：2025/5/30 阅读：858
根据国际电子商情报道，韩国科技巨头三星电子即将退出多层单元（MLC）NAND闪存业务，已通知客户只接单到6月，并试图通过涨价令客户知难而退，“不要来下单”。随后有消息传...
2025 年 Q1 五大 NAND 厂商营收达 120 亿美元
根据 TrendForce 的研究，本季度 NAND Flash 供应商面临巨大挑战。库存压力和终端客户需求下滑，使得平均销售价格（ASP）季减 15%，出货量减少 7%。尽管季末部分产品价格回...
分类：业界动态 时间：2025/5/30 阅读：249 关键词：NAND
Q3 NAND Flash 市场展望：价格或迎 5%-10% 涨幅
TrendForce 集邦咨询的最新调查显示，以北美大厂为主的云端服务业者（CSP）持续加大 AI 投资，这一趋势预计将带动企业级 SSD（Enterprise SSD）在 2025 年第三季度需求显著...
分类：维库行情 时间：2025/5/28 阅读：464
TrendForce 预测：2025 年三季度 NAND 闪存价格或环比涨 10%
市场分析机构 TrendForce 集邦咨询发布预测，在人工智能（AI）需求刺激企业级固态硬盘需求显著增长的背景下，2025 年第三季度 NAND 闪存价格有望环比增长 10%。 从整体...
分类：行业趋势 时间：2025/5/27 阅读：1731 关键词：NAND 闪存
三星电子计划停产 MLC NAND 闪存，6 月迎最后订单潮
据韩国 TheElec 报道，当地时间 5 月 26 日，三星电子向客户透露，其 MLC NAND 闪存即将停产，并计划于下个月接受最后的 MLC 芯片订单。 在通报最后 MLC NAND 排产计划...
分类：业界动态 时间：2025/5/27 阅读：260 关键词：三星电子
GigaDevice-兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，突破性读取速度，助力应用快速启动
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码603986）宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点...
时间：2025/5/22 阅读：67 关键词：GigaDevice
SK 海力士突破：321 层 NAND 闪存 UFS 4.1 方案问世
根据媒体报道，SK 海力士于 5 月 22 日宣布了一项重大技术突破 —— 成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端...
分类：名企新闻 时间：2025/5/22 阅读：212 关键词：SK 海力士
根据外媒报道，受中东人工智能投资和全球关税担忧的推动，DRAM 价格飙升，HBM 需求旺盛，预计将提振三星电子和 SK 海力士的盈利。主要客户正争相在美国可能加征关税之前囤...
NAND Flash 和 SD NAND 存储扇区架构的对比
NAND Flash 与 SD 卡（SD NAND）作为两种广泛应用的存储介质，其存储扇区分配表在设计原理上存在诸多相似之处，但受制于不同的结构特性与应用场景，两者亦呈现出显著的差异。米客方德凭借深厚的技术积累与专业洞察，为您深度剖析 NAND Fl...
基础电子 时间：2025/5/13 阅读：258
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片）、FTL（闪存转换层...
基础电子 时间：2025/4/30 阅读：1153
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：483
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：624
串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比，串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI)，信号传...
基础电子 时间：2023/7/20 阅读：770
具有 AND/NAND、OR/NOR 和 XOR/XNOR 功能的输入光开关的通用光电逻辑元件
虑光电逻辑元件AND、OR、XOR，当施加输入控制信号时，其输出信号可以反转，从而将逻辑元件转换为NAND、NOR、XNOR。 在各种各样的逻辑芯片中，有一些已知的芯片，其电源可以通过将控制信号馈送到芯片的输入之一来打开或关闭。 下面...
设计应用 时间：2023/5/4 阅读：412
嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素：使用哪种类型的闪存架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要纠错码（ECC）等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口，这会限制选项，因此内存可能很容易选择。然而，通常情况...
基础电子 时间：2023/3/13 阅读：567
SLC、MLC、TLC 和 QLC NAND SSD 之间的区别
如果你想要一个顶级系统，尤其是用于游戏或内容创作，那么 SSD 是绝对必要的。然而，在你去寻找之前，你应该知道要寻找什么。有多种不同类型的 SSD。就基本的 SSD 存储单元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受欢迎的，不过...
基础电子 时间：2022/8/18 阅读：797
基于NAND FLASH控制器的自启动方式实现SOC系统的设计
1、引 言 随着消费类电子产品包括PDA，MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大，产品间的竞争也愈发激烈，降低产品的设计成本，提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统...
设计应用 时间：2020/5/20 阅读：574
NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...
设计应用 时间：2018/8/28 阅读：637
