NAND

NAND资讯

TrendForce:2024 年底,DRAM 和 NAND 闪存组件价格预计将上涨约 60%

据 TrendForce 称,到 2024 年底,DRAM 和 NAND 闪存组件价格预计将上涨约 60%。  该分析师表示,价格环比百分比上涨的复合效应意味着 DRAM 的平均成本可能比 2024 年初...

分类:行业趋势 时间:2024/1/23 阅读:3108 关键词:DRAM NAND

TrendForce:NAND价格在连续四个季度下跌后,于第3季再度上涨

TrendForce表示,自第四季以来连续八个季度下跌的DRAM合约价终于在第四季得到扭转,而NAND价格在连续四个季度下跌后,于第3季再度上涨。  TrendForce表示,为了让价格持...

分类:业界动态 时间:2024/1/23 阅读:198 关键词:NAND

2023年的NAND:层数增加,QLC 进步

对于 NAND 闪存存储来说,这是过山车般的一年,随着周期性衰退的逆转,出货量先是下降,然后又恢复。供应商通过扩展 3D 层数和使用 QLC 闪存来提高成本效益,但 PLC 和其他...

分类:业界动态 时间:2024/1/15 阅读:242 关键词:NAND

TrendForce:第一季度 NAND 和 DRAM 价格将大幅上涨

预计 2024 年第一季度 DRAM 合约价格将上涨约 13-18%,其中移动 DRAM 引领涨势。  看来,由于2024年的需求前景不明朗,制造商认为持续减产对于维持内存行业的供需平衡是...

分类:业界动态 时间:2024/1/11 阅读:488 关键词:NANDDRAM

TrendForce:预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存价格将上涨18-23%

TrendForce预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存(eMMC/UFS)价格将上涨18-23%。如果品牌客户在压力下恐慌性抢购,这种上涨可能会进一步放大。  随着库存达到最低点以...

分类:行业趋势 时间:2023/12/22 阅读:1043 关键词:DRAMNAND闪存

绿芯推出更高耐久性EX系列和高性价比VX系列固态硬盘,以扩展其eMMC NANDrive产品组合

EnduroSLC eMMC NANDrive EX系列最高可达40万擦写次数; 高性价比eMMC NANDrive VX系列可在宽温 (-25oC 至 +85oC) 环境下工作  绿芯半导体新推出的高性价比VX系列为其客...

分类:新品快报 时间:2023/12/20 阅读:251 关键词:绿芯

NAND价格上涨将加速三星电子和SK海力士的财务复苏

智能手机市场对 NAND 闪存的需求激增,因为制造商大幅减产减少了库存积压,并且预计即将推出配备“设备端人工智能 (AI)”的智能手机。这一趋势预计将推高 NAND 价格,加速...

分类:行业趋势 时间:2023/12/18 阅读:543 关键词:人工智能智能手机

TrendForce: NAND 出货量增长 2.9%

据 TrendForce 报道,第三季度 NAND 出货量增长 2.9%,达到 92 亿美元,其中位出货量环比增长 3%。  三星的出货量下降了 1-3%,但平均售价增长了 1-3%,第三季度 NAND 闪...

分类:业界动态 时间:2023/12/11 阅读:200 关键词:NAND

又一家NAND闪存涨价!可能高达55%!

据业内消息人士称,西部数据已通知客户,未来几个季度 NAND 闪存的价格可能上涨高达 55%。  这是自西部数据计划合并或拆分动态以后首次在市场和价格方面进行调整。  西...

分类:业界动态 时间:2023/12/8 阅读:397 关键词:NAND闪存

SK 海力士缩小与三星电子在 DRAM、NAND 市场的历史性差距

根据了解,第三季度,随着全球NAND闪存市场销量小幅增长,??各大公司营收也出现增长。三星电子以第一的市场份额保持领先地位,而SK海力士则从第三位攀升至第二位。  市场...

分类:业界动态 时间:2023/12/6 阅读:342 关键词:SK 海力士DRAMNAND

NAND技术

SSD产品中的工业温度和NAND闪存

介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”(通常为 -40°C 至 85°C)操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而,温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...

设计应用 时间:2023/10/27 阅读:294

串行 NAND 闪存接口

串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比,串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度,利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI),信号传...

基础电子 时间:2023/7/20 阅读:644

具有 AND/NAND、OR/NOR 和 XOR/XNOR 功能的输入光开关的通用光电逻辑元件

虑光电逻辑元件AND、OR、XOR,当施加输入控制信号时,其输出信号可以反转,从而将逻辑元件转换为NAND、NOR、XNOR。 在各种各样的逻辑芯片中,有一些已知的芯片,其电源可以通过将控制信号馈送到芯片的输入之一来打开或关闭。 下面...

设计应用 时间:2023/5/4 阅读:263

闪存 101:NAND 闪存与 NOR 闪存

嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素:使用哪种类型的闪存架构,是选择串行接口还是并行接口,是否需要纠错码(ECC)等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口,这会限制选项,因此内存可能很容易选择。然而,通常情况...

基础电子 时间:2023/3/13 阅读:329

SLC、MLC、TLC 和 QLC NAND SSD 之间的区别

如果你想要一个顶级系统,尤其是用于游戏或内容创作,那么 SSD 是绝对必要的。然而,在你去寻找之前,你应该知道要寻找什么。有多种不同类型的 SSD。就基本的 SSD 存储单元而言,有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中,TLC 是最受欢迎的,不过...

基础电子 时间:2022/8/18 阅读:535

基于NAND FLASH控制器的自启动方式实现SOC系统的设计

1、引 言  随着消费类电子产品包括PDA,MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大,产品间的竞争也愈发激烈,降低产品的设计成本,提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统...

设计应用 时间:2020/5/20 阅读:443

基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法

NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...

设计应用 时间:2018/8/28 阅读:561

S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识  NAND flash: 速度快,擦写5ms内;位翻转概率较大,为10%左右;容量大,块容量在8K以上,擦写次数较多;接口为IO接口  NOR flash: 速度慢,擦除5S时间;位翻转概率小于NAND flash;容量较小,块容量在64K以上,擦写次数没...

设计应用 时间:2018/7/24 阅读:540

关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植,在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。  我看过很多教学视频,他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000,而S3C2440的官方手册上指明了0X300...

基础电子 时间:2018/7/23 阅读:514

深入剖析SK海力士72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。  在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:702

NAND产品