SK 海力士 HBM、NAND Synergy 带来近 3 万亿韩元营业利润
SK海力士第一季度取得了出人意料的强劲业绩，超出了市场预期。 该公司于 4 月 25 日宣布，销售额为 12.43 万亿韩元（90.4 亿美元），营业利润为 2.89 万亿韩元，营业利...
分类：名企新闻 时间：2024/4/26 阅读：105 关键词：SK 海力士
三星电子推出了具有业界最高堆叠半导体单元的下一代 NAND 闪存产品。随着人工智能（AI）需求激增，需要大量图像和视频数据，NAND存储的价值也在不断上升。 4月23日，三...
分类：名企新闻 时间：2024/4/25 阅读：175 关键词：三星
希捷日前发布涨价通知函，通知客户全线NAND Flash 产品及HDD 产品持续涨价，预计供应限制将持续，未来几个季度价格将继续上涨。 Seagate 信件内容如下： “正如我们...
根据外媒报道，随着全球第三大NAND闪存公司西部数据上半年正式上调固态硬盘（SSD）和硬盘驱动器（HDD）的价格，三星电子和SK海力士的NAND业务预计将转向2024 年第一季度扭...
继去年有报道称“潜在”NAND短缺，加上最近的台湾地震进一步扰乱了科技行业的供应链，西部数据已正式通知其合作伙伴，“本季度将继续对闪存和硬盘产品实施涨价”，这些增加...
分类：维库行情 时间：2024/4/10 阅读：271 关键词：NAND 闪存
TrendForce:Q2 NAND 合约价格预计将环比温和上涨 13-18%
根据 TrendForce 的数据，继第一季度大幅上涨之后，第二季度 NAND 合约价格预计将环比温和上涨 13-18%。 eMMC 和 UFS 合同价格预计将上涨 10-15%。 NAND 平均售价上...
分类：行业趋势 时间：2024/4/7 阅读：825 关键词：NAND
Yole在其发布的最新报告中宣布，到 2023 年底，DRAM 行业将处于 2016 年以来的最低水平。 然而，在定价环境改善的情况下，DRAM 行业的运营亏损在 2023 年第 4 季度显著...
分类：行业趋势 时间：2024/3/29 阅读：1188 关键词：DRAM
绿芯为工业控制和智能交通应用的客户提供高可靠NVMe NANDrive BGA固态硬盘样品
绿芯正在提供其新推出的NVMe NANDrive BGA封装的固态硬盘样品，以满足其用户在高压力、严苛工作环境的嵌入式应用中要求高可靠、高性能的数据存储需求。NVMe NANDrive固态硬...
分类：新品快报 时间：2024/3/27 阅读：253 关键词：固态硬盘
2023 年对三星来说是糟糕的一年，因为芯片的需求随着芯片价格的下降而下降。该公司的摇钱树历史上首次出现亏损。受此影响，三星电子的利润创下近年来最低水平。不过，预计...
分类：业界动态 时间：2024/3/14 阅读：459 关键词：NAND闪存芯片
TrendForce：第四季度 NAND 环比跃升 24.5%
据 TrendForce 报道，第四季度 NAND 营收环比增长 24.5%，达到 114.9 亿美元。 预计第一季度收入将进一步增长 20%，合同价格将增长 25%。 三星的位元出货量环比增长 ...
分类：业界动态 时间：2024/3/8 阅读：277 关键词：NAND
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：310
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：332
串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比，串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI)，信号传...
基础电子 时间：2023/7/20 阅读：662
具有 AND/NAND、OR/NOR 和 XOR/XNOR 功能的输入光开关的通用光电逻辑元件
虑光电逻辑元件AND、OR、XOR，当施加输入控制信号时，其输出信号可以反转，从而将逻辑元件转换为NAND、NOR、XNOR。 在各种各样的逻辑芯片中，有一些已知的芯片，其电源可以通过将控制信号馈送到芯片的输入之一来打开或关闭。 下面...
设计应用 时间：2023/5/4 阅读：278
嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素：使用哪种类型的闪存架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要纠错码（ECC）等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口，这会限制选项，因此内存可能很容易选择。然而，通常情况...
基础电子 时间：2023/3/13 阅读：371
SLC、MLC、TLC 和 QLC NAND SSD 之间的区别
如果你想要一个顶级系统，尤其是用于游戏或内容创作，那么 SSD 是绝对必要的。然而，在你去寻找之前，你应该知道要寻找什么。有多种不同类型的 SSD。就基本的 SSD 存储单元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受欢迎的，不过...
基础电子 时间：2022/8/18 阅读：554
基于NAND FLASH控制器的自启动方式实现SOC系统的设计
1、引 言 随着消费类电子产品包括PDA，MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大，产品间的竞争也愈发激烈，降低产品的设计成本，提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统...
设计应用 时间：2020/5/20 阅读：457
NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...
设计应用 时间：2018/8/28 阅读：571
基本知识 NAND flash： 速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；接口为IO接口 NOR flash： 速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没...
设计应用 时间：2018/7/24 阅读：551
关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解
这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植，在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。 我看过很多教学视频，他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000，而S3C2440的官方手册上指明了0X300...
基础电子 时间：2018/7/23 阅读：518
