全球第二大NAND Flash大厂铠侠或在未来几天提出上市申请
据知情人士透露，铠侠计划在8月提交一份完整的申请，10月底上市，不过上市时间可能会推迟到12月。 铠侠表示，其首次公开募股（IPO）计划尚无最新进展，并拒绝就上市程序...
分类：名企新闻 时间：2024/6/28 阅读：294 关键词：铠侠NAND Flash
在 NAND 晶圆厂合资合作伙伴西部数据表示制造成本正在上升而投资回报率正在下降的背景下，铠侠在首尔举行的 IWM 2024 会议上概述了 1,000 层 3D NAND 的技术路线图。 日...
分类：业界动态 时间：2024/6/20 阅读：487 关键词：铠侠
2024 年记忆体市场走势，在DRAM 方面因为有人工智慧市场对HBM 的庞大需求，整体来说没有什么大问题，但是，在NAND Flash 方面，因为供应商增产的问题，可能会有令人比较担...
AI 服务器 SSD 订单激增推动 NAND 市场第一季度增长 28%
人工智能（AI）服务器使用的企业级固态硬盘（eSSD）需求不断上升，从而重振了NAND??闪存市场。 据市调机构TrendForce 5月29日报道，今年第一季度NAND Flash行业营收环比...
分类：业界动态 时间：2024/5/31 阅读：271 关键词：NAND
三星电子宣布计划在今年下半年开发基于四级单元 (QLC) 的 NAND 闪存产品。此举旨在积极满足人工智能 (AI) 领域对高容量存储快速增长的需求。 三星电子产品规划执行总监 ...
分类：业界动态 时间：2024/5/22 阅读：234 关键词：三星电子
继以DRAM为代表的高带宽存储器（HBM）用于人工智能（AI）存储半导体之后，NAND闪存市场竞争日趋激烈。 据业内人士5月19日消息，三星电子和SK海力士正在加紧努力提升NAND...
分类：业界动态 时间：2024/5/21 阅读：230 关键词：DRAM
美光率先量产面向客户端和数据中心的 200+ 层 QLC NAND 产品
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，美光 232 层 QLC NAND 现已量产，并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘（SSD）中出货。与此...
分类：新品快报 时间：2024/4/28 阅读：443 关键词：美光
SK 海力士 HBM、NAND Synergy 带来近 3 万亿韩元营业利润
SK海力士第一季度取得了出人意料的强劲业绩，超出了市场预期。 该公司于 4 月 25 日宣布，销售额为 12.43 万亿韩元（90.4 亿美元），营业利润为 2.89 万亿韩元，营业利...
分类：名企新闻 时间：2024/4/26 阅读：295 关键词：SK 海力士
三星电子推出了具有业界最高堆叠半导体单元的下一代 NAND 闪存产品。随着人工智能（AI）需求激增，需要大量图像和视频数据，NAND存储的价值也在不断上升。 4月23日，三...
分类：名企新闻 时间：2024/4/25 阅读：325 关键词：三星
希捷日前发布涨价通知函，通知客户全线NAND Flash 产品及HDD 产品持续涨价，预计供应限制将持续，未来几个季度价格将继续上涨。 Seagate 信件内容如下： “正如我们...
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：331
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：371
串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比，串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI)，信号传...
基础电子 时间：2023/7/20 阅读：682
具有 AND/NAND、OR/NOR 和 XOR/XNOR 功能的输入光开关的通用光电逻辑元件
虑光电逻辑元件AND、OR、XOR，当施加输入控制信号时，其输出信号可以反转，从而将逻辑元件转换为NAND、NOR、XNOR。 在各种各样的逻辑芯片中，有一些已知的芯片，其电源可以通过将控制信号馈送到芯片的输入之一来打开或关闭。 下面...
设计应用 时间：2023/5/4 阅读：293
嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素：使用哪种类型的闪存架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要纠错码（ECC）等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口，这会限制选项，因此内存可能很容易选择。然而，通常情况...
基础电子 时间：2023/3/13 阅读：406
SLC、MLC、TLC 和 QLC NAND SSD 之间的区别
如果你想要一个顶级系统，尤其是用于游戏或内容创作，那么 SSD 是绝对必要的。然而，在你去寻找之前，你应该知道要寻找什么。有多种不同类型的 SSD。就基本的 SSD 存储单元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受欢迎的，不过...
基础电子 时间：2022/8/18 阅读：582
基于NAND FLASH控制器的自启动方式实现SOC系统的设计
1、引 言 随着消费类电子产品包括PDA，MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大，产品间的竞争也愈发激烈，降低产品的设计成本，提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统...
设计应用 时间：2020/5/20 阅读：477
NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...
设计应用 时间：2018/8/28 阅读：580
基本知识 NAND flash： 速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；接口为IO接口 NOR flash： 速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没...
设计应用 时间：2018/7/24 阅读：563
关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解
这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植，在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。 我看过很多教学视频，他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000，而S3C2440的官方手册上指明了0X300...
基础电子 时间：2018/7/23 阅读：524
