类别
集成电路（IC）
存储器
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
托盘
零件状态
停产
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
闪存 - NAND
存储容量
1Gb（128M x 8）
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
25ns
访问时间
25 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
63-TFBGA
供应商器件封装
63-VFBGA（9.5x12）
基本产品编号
NAND01

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）NAND01GR3B2CZA6E
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVNAND01GR3B2CZA6E
精度：±0.05PF（A档） ±0.1PF（B档） ±0.25PF（C档） ±0.5%（D档）
±1%（F档） ±2%（G档） ±5%（J档） ±10%（K档）
±20%（M档） ±+80%-20%（Z档）NAND01GR3B2CZA6E
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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