2025 年 Q3：NAND Flash 合约价将迎 5% - 10% 涨幅
TrendForce 集邦咨询最新调查显示，NAND Flash 市场在经历上半年的减产与库存去化后，供需失衡状况明显改善。展望第三季度，NAND Flash 及相关存储产品合约价呈现不同程度...
分类：维库行情 时间：2025/7/10 阅读：330
三星 2026 年将量产 400 + 层 V10 NAND 闪存
据相关报道，三星电子计划自 2026 年 3 月起建设 V10 NAND 生产线，并于 10 月启动正式量产。这也是三星电子首次明确披露 V10 NAND 的量产计划。此前曾有观测认为三星会在...
分类：业界动态 时间：2025/7/5 阅读：337 关键词：三星
4D NAND 助力，2031 年 SLC NAND 闪存市场规模或超 164 亿
据 The Insight Partners 报告显示，2024 年 SLC NAND 闪存市场规模达 112.9 亿美元，预计到 2031 年将攀升至 164 亿美元，2025 - 2031 年期间复合年增长率（CAGR）为 5.3%...
分类：行业趋势 时间：2025/7/4 阅读：1558 关键词：闪存
近日，铠侠通过路线图材料透露，即将推出的 332 层 NAND 芯片（属于第 10 代 BiCS FLASH）每个芯片将提供 2Tb 的容量。尽管与部分预期相比，这一容量看似并不惊人，但铠侠...
分类：名企新闻 时间：2025/6/24 阅读：358 关键词：铠侠 NAND
铠侠推出 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P，基于 BiCS 8 TLC NAND 闪存
铠侠美国当地时间昨日宣布推出基于第八代 BiCS 3D TLC NAND 闪存的新一代 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P，该系列产品专为 GPU 加速 AI 服务器对高吞吐、低延迟、高一致...
分类：新品快报 时间：2025/6/21 阅读：1861 关键词：铠侠
三星推进 NAND 工艺升级至 V9，V10 量产进度受技术阻碍放缓
据韩媒 sisajournal - e 当地时间 6 月 19 日报道，三星电子正积极推动现有较旧的 NAND 闪存生产设施向目前最先进的第九代 V - NAND（286 层）转换。 目前，三星电子正...
铠侠拟定五年产量翻倍计划，力挺 AI 数据中心 NAND 需求
铠侠控股在经营方针说明会上宣布了一系列重要计划，旨在满足 AI 数据中心对 NAND 闪存日益增长的需求。 铠侠控股表示，计划在未来五年内将产能（以存储容量计算）提升一...
分类：名企新闻 时间：2025/6/7 阅读：430 关键词：铠侠
2025Q1 NAND Flash 市场低迷，Q2 供应商营收有望上扬
TrendForce 集邦咨询的最新研究显示，2025 年第一季度，NAND Flash（闪存）供应商面临着严峻的市场挑战。终端客户需求的疲软以及严重的库存积压，共同导致了 NAND Flash 市...
分类：维库行情 时间：2025/5/30 阅读：2117
根据国际电子商情报道，韩国科技巨头三星电子即将退出多层单元（MLC）NAND闪存业务，已通知客户只接单到6月，并试图通过涨价令客户知难而退，“不要来下单”。随后有消息传...
2025 年 Q1 五大 NAND 厂商营收达 120 亿美元
根据 TrendForce 的研究，本季度 NAND Flash 供应商面临巨大挑战。库存压力和终端客户需求下滑，使得平均销售价格（ASP）季减 15%，出货量减少 7%。尽管季末部分产品价格回...
分类：业界动态 时间：2025/5/30 阅读：305 关键词：NAND
Q3 NAND Flash 市场展望：价格或迎 5%-10% 涨幅
TrendForce 集邦咨询的最新调查显示，以北美大厂为主的云端服务业者（CSP）持续加大 AI 投资，这一趋势预计将带动企业级 SSD（Enterprise SSD）在 2025 年第三季度需求显著...
分类：维库行情 时间：2025/5/28 阅读：968
TrendForce 预测：2025 年三季度 NAND 闪存价格或环比涨 10%
市场分析机构 TrendForce 集邦咨询发布预测，在人工智能（AI）需求刺激企业级固态硬盘需求显著增长的背景下，2025 年第三季度 NAND 闪存价格有望环比增长 10%。 从整体...
分类：行业趋势 时间：2025/5/27 阅读：1998 关键词：NAND 闪存
三星电子计划停产 MLC NAND 闪存，6 月迎最后订单潮
据韩国 TheElec 报道，当地时间 5 月 26 日，三星电子向客户透露，其 MLC NAND 闪存即将停产，并计划于下个月接受最后的 MLC 芯片订单。 在通报最后 MLC NAND 排产计划...
分类：业界动态 时间：2025/5/27 阅读：319 关键词：三星电子
GigaDevice-兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，突破性读取速度，助力应用快速启动
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码603986）宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点...
时间：2025/5/22 阅读：90 关键词：GigaDevice
SK 海力士突破：321 层 NAND 闪存 UFS 4.1 方案问世
根据媒体报道，SK 海力士于 5 月 22 日宣布了一项重大技术突破 —— 成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端...
分类：名企新闻 时间：2025/5/22 阅读：237 关键词：SK 海力士
