尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM内存芯片的研发工作，今年11月份这种芯片将进入送样阶段，年底前则可实现正式批量供货。据集成电路设计行业的消息来源称，预见到SDRAM内存将出现供应短缺的局面，台湾地区集成电路...
其它 时间：2011/9/2 阅读：1461
具体含义解释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。第2位——芯片类型4，代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容
基础电子 时间：2008/8/11 阅读：4436
富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市，该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存，具备高速资料写入、低
新品速递 时间：2007/11/27 阅读：1596
富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市，该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存，具备高速资料写入、低
新品速递 时间：2007/11/21 阅读：1595
美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上，面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4GbNAND闪存芯片捆绑在一起，构成强
新品速递 时间：2007/11/20 阅读：1498
随着计算机芯片技术的不断发展和成熟，为了更好地与之相配合，内存产品也由后台走出，成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分，内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：2317
芯片的封装技术种类多种多样，诸如DIP、PQFP、TSOP、TSSOP、PGA、BGA、QFP、TQFP等等。芯片的封装技术已历经好几代的变迁，技术指标一代比一代先进，如芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增
基础电子 时间：2004/12/13 阅读：2231
