根据中国电子报报道，随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展，市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高，各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发，越来越多有关...
分类：业界动态 时间：2025/3/3 阅读：472 关键词：NAND闪存
三星、SK海力士将在2025Q1减产：NAND闪存产量至少削减10%
根据报道，NAND闪存市场将在2025年面临需求疲软与供过于求的双重挑战。三星、SK海力士、美光等主要NAND闪存生产商已计划在2025年实施减产措施。 其中，三星已决定减少西...
分类：业界动态 时间：2025/2/13 阅读：572 关键词：NAND闪存
继美光、三星、Kioxia后，又一存储大厂宣布减产NAND闪存10%
据The Elec报道，由于供应过剩，NAND闪存价格已经连续四个月下跌。SK海力士的NAND闪存总生产能力为每月30万片晶圆，此次减产将有助于缓解市场上的库存压力，并稳定NAND闪存...
分类：业界动态 时间：2025/1/17 阅读：4712 关键词：NAND闪存
据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。 DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月...
分类：业界动态 时间：2025/1/13 阅读：305 关键词：三星
SK海力士推出首款300层NAND闪存产品，威胁三星电子在存储半导体行业的领先地位。三星电子在高带宽内存（HBM）技术和最近的 DRAM 技术方面被评价为被超越，但在 NAND 堆叠竞...
SK海力士宣布量产全球首款321层NAND闪存。据新闻稿称，该公司将从 2025 年 1 月开始向客户提供 321 高 1TB 容量的 NAND 闪存。 SK 海力士的 321 层高 NAND 闪存基于该公...
分类：名企新闻 时间：2024/11/22 阅读：514 关键词：SK海力士
据digitimes引述行业供应链消息人士消息透露，三星电子和铠侠均计划在第四季度缩减其 NAND 闪存产量。这表明，尽管对人工智能的需求强劲，但整体需求令人失望。... 据行...
分类：业界动态 时间：2024/10/30 阅读：326 关键词：NAND闪存
Kioxia - 铠侠携3D NAND闪存荣获FMS终身成就奖
NAND闪存的发明者铠侠株式会社荣获2024年FMS（Future of Memory and Storage，全球闪存峰会）终身成就奖。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido、Hiroyasu Tanaka组成的铠侠工程团队，将接受这一殊荣，以表彰其在...
时间：2024/8/7 阅读：143 关键词：铠侠
2023 年对三星来说是糟糕的一年，因为芯片的需求随着芯片价格的下降而下降。该公司的摇钱树历史上首次出现亏损。受此影响，三星电子的利润创下近年来最低水平。不过，预计...
分类：业界动态 时间：2024/3/14 阅读：574 关键词：NAND闪存芯片
TrendForce：预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存价格将上涨18-23%
TrendForce预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存（eMMC/UFS）价格将上涨18-23%。如果品牌客户在压力下恐慌性抢购，这种上涨可能会进一步放大。 随着库存达到最低点以...
据业内消息人士称，西部数据已通知客户，未来几个季度 NAND 闪存的价格可能上涨高达 55%。 这是自西部数据计划合并或拆分动态以后首次在市场和价格方面进行调整。 西...
分类：业界动态 时间：2023/12/8 阅读：503 关键词：NAND闪存
在我们了解铠侠的故事之前，让我们先总结一下内存市场的现状。根据世界半导体市场统计（WSTS），2022年全球存储器市场规模为1298亿美元，其中DRAM将占778亿美元（占存储器...
分类：业界动态 时间：2023/10/8 阅读：520 关键词：NAND闪存
根据外媒消息，NAND价格已触底，知名分析师分析师郭明錤日前发文，三星8月涨价，美光9月调涨NAND Flash晶圆合约价，将在10%左右。据CFM闪存市场数据显示， 近一周512Gb TL...
分类：业界动态 时间：2023/9/7 阅读：327 关键词：NAND闪存
据台媒报道，三星电子将在今年第二季度将其NAND产能调整为每月62万片12英寸晶圆。与去年第四季度相比，该数字减产了 5.34%。 特别是在第二季度，这家韩国半导体巨头在西...
分类：名企新闻 时间：2023/4/20 阅读：620 关键词：三星电子
铠侠和西部数据有 透露 他们共同开发的具有218个有源层的第8代BiCS 3D NAND存储设备。新IC拥有创纪录的3200 MT / s接口速度，使开发人员能够构建高性能存储子系统（例如 业...
分类：新品快报 时间：2023/4/3 阅读：569 关键词：3D NAND闪存
