三星 2026 年将量产 400 + 层 V10 NAND 闪存
据相关报道,三星电子计划自 2026 年 3 月起建设 V10 NAND 生产线,并于 10 月启动正式量产。这也是三星电子首次明确披露 V10 NAND 的量产计划。此前曾有观测认为三星会在...
分类:业界动态 时间:2025/7/5 阅读:353 关键词:三星
4D NAND 助力,2031 年 SLC NAND 闪存市场规模或超 164 亿
据 The Insight Partners 报告显示,2024 年 SLC NAND 闪存市场规模达 112.9 亿美元,预计到 2031 年将攀升至 164 亿美元,2025 - 2031 年期间复合年增长率(CAGR)为 5.3%...
分类:行业趋势 时间:2025/7/4 阅读:1823 关键词:闪存
铠侠推出 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P,基于 BiCS 8 TLC NAND 闪存
铠侠美国当地时间昨日宣布推出基于第八代 BiCS 3D TLC NAND 闪存的新一代 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P,该系列产品专为 GPU 加速 AI 服务器对高吞吐、低延迟、高一致...
分类:新品快报 时间:2025/6/21 阅读:1877 关键词:铠侠
TrendForce 预测:2025 年三季度 NAND 闪存价格或环比涨 10%
市场分析机构 TrendForce 集邦咨询发布预测,在人工智能(AI)需求刺激企业级固态硬盘需求显著增长的背景下,2025 年第三季度 NAND 闪存价格有望环比增长 10%。 从整体...
分类:行业趋势 时间:2025/5/27 阅读:2013 关键词:NAND 闪存
三星电子计划停产 MLC NAND 闪存,6 月迎最后订单潮
据韩国 TheElec 报道,当地时间 5 月 26 日,三星电子向客户透露,其 MLC NAND 闪存即将停产,并计划于下个月接受最后的 MLC 芯片订单。 在通报最后 MLC NAND 排产计划...
分类:业界动态 时间:2025/5/27 阅读:333 关键词:三星电子
SK 海力士突破:321 层 NAND 闪存 UFS 4.1 方案问世
根据媒体报道,SK 海力士于 5 月 22 日宣布了一项重大技术突破 —— 成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND 闪存的移动端...
分类:名企新闻 时间:2025/5/22 阅读:239 关键词:SK 海力士
根据中国电子报报道,随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展,市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高,各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发,越来越多有关...
分类:业界动态 时间:2025/3/3 阅读:471 关键词:NAND闪存
三星、SK海力士将在2025Q1减产:NAND闪存产量至少削减10%
根据报道,NAND闪存市场将在2025年面临需求疲软与供过于求的双重挑战。三星、SK海力士、美光等主要NAND闪存生产商已计划在2025年实施减产措施。 其中,三星已决定减少西...
分类:业界动态 时间:2025/2/13 阅读:572 关键词:NAND闪存
继美光、三星、Kioxia后,又一存储大厂宣布减产NAND闪存10%
据The Elec报道,由于供应过剩,NAND闪存价格已经连续四个月下跌。SK海力士的NAND闪存总生产能力为每月30万片晶圆,此次减产将有助于缓解市场上的库存压力,并稳定NAND闪存...
分类:业界动态 时间:2025/1/17 阅读:4706 关键词:NAND闪存
据媒体报道,三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产,以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌,确保公司的收入和利润。 DRAMeXchange的数据显示,截至2024年10月底,用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月...
分类:业界动态 时间:2025/1/13 阅读:301 关键词:三星
关键字:Spansion NOR闪存 GL-S系列 关于Spansion:飞索半导体,生产NOR FLASH产品最牛的半导体公司 Spansion (NYSE:CODE - News)为电子系统提供技术,其产品被用于从当今的因特网到未来的智能电网的各个领域,为人们的日常工作和...
其它 时间:2011/9/4 阅读:1534