常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化。 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFE...
时间：2024/8/23 阅读：9 关键词：Rohm
ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP封装通用AC－DC控制器IC
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC，非常适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产，包...
分类：新品快报 时间：2024/8/23 阅读：86 关键词：AC－DC控制器IC
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack ”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。TRCDRIVE pack 的...
时间：2024/8/20 阅读：7 关键词：SiC
Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...
时间：2024/8/20 阅读：14 关键词：半导体
台积电宣布，已与群创光电签订合约，以约合人民币37.88亿元购买群创光电位于台南市新市区的厂房及附属设施，其目的在于扩充其CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）先进封装...
分类：业界动态 时间：2024/8/19 阅读：213 关键词：先进封装
第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的...
分类：新品快报 时间：2024/8/14 阅读：281 关键词：MOSFETs
英特尔希望加大外包力度，该公司选择台积电满足其主流半导体需求，同时还增加了新的台湾供应商。 好吧，看来英特尔已经决定认真对待市场竞争。这就是为什么他们决定暂时...
分类：名企新闻 时间：2024/8/12 阅读：343 关键词：英特尔
Nexperia的650 V两种超快速恢复整流二极管采用D2PAK真双引脚封装，具备高效率和高可靠性
Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。 这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高...
时间：2024/8/8 阅读：33 关键词：半导体
TI - 德州仪器推出电源模块全新磁性封装技术，将电源解决方案尺寸缩小一半
德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）推出六款新型电源模块，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagPack 集成磁性封装技术，与市场上同类产品相比，尺寸缩小了多达 23%，支持工业、企业和通信应...
时间：2024/8/8 阅读：33 关键词：GaN
80 和 100V MOSFET，采用 5×6 和 8×8 LFPAK 封装
Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET，Rds（on）范围为1.8至15mΩ，100V器件的Rds（on）范围为2.07mΩ以上。 该公司表示：“许多MOSFET制...
分类：新品快报 时间：2024/8/7 阅读：274 关键词：MOSFET
传统上采用笨重 DBC 模块封装的功率 WBG /SiC 器件可以用近芯片级 SMD 封装替代。WBG 器件的芯片尺寸更小（功率密度更高）且效率更高，因此可以实现这种替代。MaxPak 等近...
设计应用 时间：2024/8/12 阅读：279
BGA（Ball Grid Array）封装是一种集成电路（IC）封装技术，其主要特点是在芯片的底部布置了一组焊球（通常是锡-铅合金），用于连接电路板上的焊盘。以下是关于BGA封装的基础知识： 结构和工作原理： 焊球阵列：BGA芯片底部有一个...
基础电子 时间：2024/7/16 阅读：179
1，金属封装（CAN）集成电路 集成电路的外壳是金属的，元器件的形状多为金属圆帽状，集成电路的引脚数目比较少，最多只有十几个，功能简单。外形如图11—2所示。 2，单列直插式封装（SIP）集成电路 单列直插式封装集成电路内部...
基础电子 时间：2024/5/15 阅读：293
电阻器有多种不同的封装样式和尺寸。目前最常用的是矩形表面贴装 (SMD) 电阻器，但老式轴向电阻器仍然在通孔设计中广泛使用。本页提供有关 SMD、轴向和 MELF 封装尺寸的信息。它还为 SMD 元件提供了一些推荐的焊盘图案，用于将焊料连接到...
行业标准 时间：2024/3/26 阅读：790
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDE...
新品速递 时间：2024/1/16 阅读：1495
SMD是表面贴装器件（Surface Mount Device）的缩写。它是一种电子元件封装技术，用于在印刷电路板（PCB）上进行表面贴装。与传统的插件式元件相比，SMD具有更小的体积、更高的密度和更高的可靠性。 SMD器件的特点是其引脚直接焊接在PC...
基础电子 时间：2024/1/15 阅读：437
多维科技推出超小封装 TMR3016和TMR3017 角度传感器芯片
专注于隧道磁阻（TMR）技术的磁传感器制造商江苏多维科技有限公司基于高灵敏度TMR技术推出了TMR3016和TMR3017角度传感器芯片产品，并已开始量产。该芯片采用DFN4L(0.8mm × 0.4mm × 0.23mm)的超小封装，适合各类超小型电机的角度和位移...
新品速递 时间：2023/12/27 阅读：520
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
设计应用 时间：2023/12/25 阅读：591
适用于高功率应用的改进型 TO-247PLUS 分立封装解决方案
高功率应用需要高功率密度和可靠且成本合理的功率半导体。分立器件降低了解决方案的总成本，但必须承受重负载循环期间的高热要求。为了满足此类要求，功率半导体应具有较低...
技术方案 时间：2023/12/20 阅读：1047
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装，旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车电池管理的车载电池的电流能力。 据该公司介绍，汽车 TOLL 封装采用先进的夹子技术来实现高浪涌电流额定值。该公司表示，这种...
新品速递 时间：2023/12/15 阅读：578
