Bourns全新推出可提供ESD保护弹性的TVS二极管系列，采用节省空间的DO-214AB封装
全新系列包含21款单向与双向型号，工作峰值反向电压范围广，从12 V到30 V Bourns全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出5.0SMDJ系列瞬态电压抑制(TVS)二极管。新系列采用节省空间的紧凑型DO-214AB封装，专为行...
时间：2026/2/4 阅读：3 关键词：Bourns
Bourns推出四款不同封装选项的金属箔电阻系列，专为满足各类应用的特定需求设计
全新金属箔电阻提供高精度、高稳定性与优异性能，专为因应当今严苛的应用需求而设计。 Bourns全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出四款Riedon 金属箔电阻系列，包括FWP227系列、FWP218系列、FWP220/221系...
时间：2026/2/4 阅读：5 关键词：Bourns
Onsemi-安森美推出新型散热封装技术，提升高功耗应用能效
顶部冷却（Top-cool）封装为电动汽车、太阳能基础设施和储能系统 带来卓越的散热性能、可靠性及设计灵活性 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布推出采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET，为汽车和工业应用的...
时间：2026/2/3 阅读：60 关键词：Onsemi
ST-意法半导体扩大VIPerGaN系列高集成度功率转换器产品阵容，新增一款功率QFN封装65W反激转换器
意法半导体VIPerGaN系列转换器新增一款65W反激功率转换器VIPerGaN65W。该系列产品在一个QFN 5x6封装内集成700V GaN晶体管和准谐振PWM控制器芯片。继此前发布的VIPerGaN50W之后，新发布的VIPerGaN65W为客户开发高质量、高性价比的USB-PD充...
时间：2026/2/2 阅读：41 关键词：ST
Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供...
时间：2026/1/28 阅读：69 关键词：Littelfuse
Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，...
时间：2026/1/27 阅读：88 关键词：Infineon
全球晶圆代工龙头台积电将于明日（1月22日）在嘉义举行媒体导览活动，首度对外公开其先进封测七厂（AP7）。这座位于南科嘉义园区的封测厂，不仅标志着台积电在先进封装领域...
分类：业界要闻 时间：2026/1/21 阅读：36153
AI芯片需求井喷的浪潮下，全球半导体巨头台积电再次祭出大手笔投资。据台媒最新报道，该公司计划今年在岛内新增4座先进封装厂，这一战略布局不仅折射出AI时代的芯片产业新格局，更揭示了台积电在产业链整合上的深远谋略。最新消息显示，...
分类：业界动态 时间：2026/1/19 阅读：4843
半导体行业再传重磅消息！台媒报道台积电今年将在嘉义和南科园区新建4座先进封装厂，这项投资决定有望在本周正式官宣。在全球AI芯片需求激增的背景下，台积电此举无疑将进...
分类：业界动态 时间：2026/1/19 阅读：5267
英特尔18A+14A工艺合体震撼登场 3D封装技术突破光罩极限
当台积电还在规划9.5倍光罩尺寸时，英特尔已悄然突破12倍极限！全球半导体行业正见证一场史诗级的技术跃迁——英特尔最新公布的18A与14A工艺3D封装方案，不仅重新定义了芯片制造的物理边界，更在AI算力竞赛中投下一枚"技术核弹"。突破物...
分类：行业趋势 时间：2025/12/24 阅读：63851
二极管的封装不仅决定其安装方式、功率承载能力与适配场景，还直接影响散热效率；而散热设计则是保障二极管长期稳定工作、避免过热失效的关键。不同封装的二极管散热性能差异显著，需结合封装特性与工况需求针对性设计散热方案。本文梳理...
基础电子 时间：2026/1/26 阅读：153
电源IC的封装直接决定其安装方式、散热性能、功率承载能力及适配场景，是电源电路设计与器件选型的关键考量因素。不同封装形式在结构、尺寸、性能上差异显著，分别适配低压小功率、高压大功率、微型化高密度等不同需求，覆盖消费电子、工...
基础电子 时间：2026/1/21 阅读：205
封装作为MOSFET的“保护外壳与连接桥梁”，直接影响器件的散热性能、载流能力、安装方式及适配场景。不同封装类型在结构设计、功率承载、空间占用上差异显著，其选择需结合电路功率、布局空间、散热条件等核心需求。从传统插件到微型贴片...
基础电子 时间：2026/1/20 阅读：325
MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来，最初采用金属外壳的TO（Transistor Outline）封装，如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架，通过环氧树脂密封，具备机械强度高、散热性能稳定的特点，能够耐受超过50G的机械冲击。MOSFET...
基础电子 时间：2025/11/19 阅读：1281
一、封装的核心要素 SMT封装通常由以下几部分定义： 尺寸和外形：长、宽、高、引脚数量。 引脚间距：相邻引脚中心点之间的距离，常见的有1.27mm， 0.8mm， 0.65mm， 0.5mm， 0.4mm等。间距越小，焊接难度越高。 命名规律：很...
基础电子 时间：2025/9/4 阅读：618
一、 非破坏性分析（NDA）首先在不破坏样品的前提下进行初步检查和定位。外观检查设备： 光学显微镜、立体显微镜、高倍率视频显微镜。技术： 检查封装体表面是否有机械损伤、裂纹、爆米花现象、标记异常、焊球氧化、坍塌或缺失等。X射线...
基础电子 时间：2025/8/27 阅读：535
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块作为电力电子领域的核心器件，在电动汽车、工业控制、智能电网等众多领域有着广泛应用。而 IGBT 模块的封装，却存在着较高的技术壁垒，其核心就在于对高可靠性的严苛要求。高可靠性设计与封装工艺控制难题...
基础电子 时间：2025/8/26 阅读：638
在集成电路的发展历程中，封装技术是连接芯片与电路板的关键桥梁，它不仅影响着芯片的性能和可靠性，还在一定程度上决定了电子产品的整体质量。本文将详细介绍集成电路金属壳、塑料和陶瓷封装技术的材料和工艺，深入探讨其在不同应用场景...
基础电子 时间：2025/8/1 阅读：534
单片机（MCU）芯片封装类型详解单片机的封装类型决定了其尺寸、引脚数量、散热性能以及适用场景。常见的封装类型主要分为插装式（DIP）和表面贴装式（SMD）两大类，以下是详细介绍：1. 插装式封装（Through-Hole）适用于手工焊接或面包板...
基础电子 时间：2025/7/17 阅读：1069
贴片稳压二极管，也被称作齐纳二极管或稳压二极管，在各类电子设备中有着广泛的应用。它的主要功能是借助反向击穿电压，来稳定电路中的电压。在选择贴片稳压二极管的封装时，需要综合考量多个关键参数，像功率耗散、电压稳定性、热阻、电...
基础电子 时间：2025/7/17 阅读：344
