常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,有助于车载应用的高效运行和小型化。 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFE...
时间:2024/8/23 阅读:9 关键词:Rohm
ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP封装通用AC-DC控制器IC
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC,非常适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产,包...
分类:新品快报 时间:2024/8/23 阅读:86 关键词:AC-DC控制器IC
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(电动汽车)用牵引逆变器,开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack ”,共4款产品(750V 2个型号:BSTxxxD08P4A1x4,1,200V 2个型号:BSTxxxD12P4A1x1)。TRCDRIVE pack 的...
时间:2024/8/20 阅读:7 关键词:SiC
Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下,电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...
时间:2024/8/20 阅读:14 关键词:半导体
台积电宣布,已与群创光电签订合约,以约合人民币37.88亿元购买群创光电位于台南市新市区的厂房及附属设施,其目的在于扩充其CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)先进封装...
分类:业界动态 时间:2024/8/19 阅读:213 关键词:先进封装
第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装,为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布为其最新的...
分类:新品快报 时间:2024/8/14 阅读:281 关键词:MOSFETs
英特尔希望加大外包力度,该公司选择台积电满足其主流半导体需求,同时还增加了新的台湾供应商。 好吧,看来英特尔已经决定认真对待市场竞争。这就是为什么他们决定暂时...
分类:名企新闻 时间:2024/8/12 阅读:343 关键词:英特尔
Nexperia的650 V两种超快速恢复整流二极管采用D2PAK真双引脚封装,具备高效率和高可靠性
Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管,可用于各种工业和消费应用,包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。 这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高...
时间:2024/8/8 阅读:33 关键词:半导体
TI - 德州仪器推出电源模块全新磁性封装技术,将电源解决方案尺寸缩小一半
德州仪器 (TI)(纳斯达克股票代码:TXN)推出六款新型电源模块,旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagPack 集成磁性封装技术,与市场上同类产品相比,尺寸缩小了多达 23%,支持工业、企业和通信应...
时间:2024/8/8 阅读:33 关键词:GaN
80 和 100V MOSFET,采用 5×6 和 8×8 LFPAK 封装
Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET,Rds(on)范围为1.8至15mΩ,100V器件的Rds(on)范围为2.07mΩ以上。 该公司表示:“许多MOSFET制...
分类:新品快报 时间:2024/8/7 阅读:274 关键词:MOSFET
传统上采用笨重 DBC 模块封装的功率 WBG /SiC 器件可以用近芯片级 SMD 封装替代。WBG 器件的芯片尺寸更小(功率密度更高)且效率更高,因此可以实现这种替代。MaxPak 等近...
设计应用 时间:2024/8/12 阅读:279
BGA(Ball Grid Array)封装是一种集成电路(IC)封装技术,其主要特点是在芯片的底部布置了一组焊球(通常是锡-铅合金),用于连接电路板上的焊盘。以下是关于BGA封装的基础知识: 结构和工作原理: 焊球阵列:BGA芯片底部有一个...
基础电子 时间:2024/7/16 阅读:179
1,金属封装(CAN)集成电路 集成电路的外壳是金属的,元器件的形状多为金属圆帽状,集成电路的引脚数目比较少,最多只有十几个,功能简单。外形如图11—2所示。 2,单列直插式封装(SIP)集成电路 单列直插式封装集成电路内部...
基础电子 时间:2024/5/15 阅读:293
电阻器有多种不同的封装样式和尺寸。目前最常用的是矩形表面贴装 (SMD) 电阻器,但老式轴向电阻器仍然在通孔设计中广泛使用。本页提供有关 SMD、轴向和 MELF 封装尺寸的信息。它还为 SMD 元件提供了一些推荐的焊盘图案,用于将焊料连接到...
行业标准 时间:2024/3/26 阅读:790
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件, 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
代表着下一代电源系统未来的,氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码:TGAN)近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧,为业界首个采用JEDE...
新品速递 时间:2024/1/16 阅读:1495
SMD是表面贴装器件(Surface Mount Device)的缩写。它是一种电子元件封装技术,用于在印刷电路板(PCB)上进行表面贴装。与传统的插件式元件相比,SMD具有更小的体积、更高的密度和更高的可靠性。 SMD器件的特点是其引脚直接焊接在PC...
基础电子 时间:2024/1/15 阅读:437
多维科技推出超小封装 TMR3016和TMR3017 角度传感器芯片
专注于隧道磁阻(TMR)技术的磁传感器制造商江苏多维科技有限公司基于高灵敏度TMR技术推出了TMR3016和TMR3017角度传感器芯片产品,并已开始量产。该芯片采用DFN4L(0.8mm × 0.4mm × 0.23mm)的超小封装,适合各类超小型电机的角度和位移...
新品速递 时间:2023/12/27 阅读:520
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失,我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑,...
设计应用 时间:2023/12/25 阅读:591
适用于高功率应用的改进型 TO-247PLUS 分立封装解决方案
高功率应用需要高功率密度和可靠且成本合理的功率半导体。分立器件降低了解决方案的总成本,但必须承受重负载循环期间的高热要求。为了满足此类要求,功率半导体应具有较低...
技术方案 时间:2023/12/20 阅读:1047
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装,旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车电池管理的车载电池的电流能力。 据该公司介绍,汽车 TOLL 封装采用先进的夹子技术来实现高浪涌电流额定值。该公司表示,这种...
新品速递 时间:2023/12/15 阅读:578