铠侠和WD推出世界上快的3D NAND闪存

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2023-04-03 11:36:59 | 479 次阅读

   

   铠侠和西部数据有 透露 他们共同开发的具有218个有源层的第8代BiCS 3D NAND存储设备。新IC拥有创纪录的3200 MT / s接口速度,使开发人员能够构建高性能存储子系统(例如 业界快的客户端固态硬盘) 使用较少的 3D NAND 芯片。为了实现 3200 MT/s 的 I/O,两家公司借鉴了 YMTC 的 Xtacking 一书。

    本周推出的首款第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 设备具有 1Tb (128GB) 容量、四平面架构,可限度地提高内部并行性和性能,以及 3200 MT/s 接口速度(将提供 400 MB/s 的峰值顺序读/写速度)。铠侠和西部数据是全球推出具有3200 MT/s I/O的闪存IC的3D NAND制造商,比竞争对手高出33%。
    但是,虽然制造世界上快的3D NAND存储设备本身就是一项成就,但有趣的是两家公司是如何实现这一目标的。铠侠和西部数据的第8代BiCS 3D NAND存储器采用一种名为CBA(CMOS直接绑定到阵列)的创新架构,类似于YMTC公认的Xtacking。
    通常,3D NAND单元阵列位于其外围电路(如页面缓冲器,检测放大器,电荷泵和I / O)的旁边或顶部。同时,从半导体制造的角度来看,使用相同的制造技术制造存储器和外围逻辑并不完全有效。CBA和Xtacking架构涉及使用生产节点在单独的晶圆上生产3D NAND单元阵列和I / O CMOS,这使其能够限度地提高存储器阵列的位密度和I / O性能。
    除了业界快的I / O之外,Kioxia和Western Digital声称他们的3D NAND IC也拥有业界的位密度,尽管没有详细说明我们正在研究的位密度。同时,值得注意的是,推出的第8代BiCS 3D TLC NAND可以在3D TLC和3D QLC模式下工作,因此可以潜在地解决高性能/高容量的客户端和企业级SSD,以及用于客户端PC或高密度数据中心级存储应用程序的廉价但快速的驱动器。
    铠侠表示,它已开始与一些选定的客户一起对其第8代BiCS 3D NAND存储设备进行样品。但是,该公司尚未提供有关其闪存开始大批量生产的时间表的任何信息。由于闪存和SSD控制器制造商需要很长时间才能将前者与后者配对,因此NAND生产商通常会在大规模生产开始之前就透露新型内存。也就是说,预计第 8 代 BiCS 3D NAND 将在 2024 年的某个时候上市,尽管我们在这里推测。
    “通过我们独特的工程合作伙伴关系,我们成功推出了业界位密度的第八代BiCS闪存,”铠侠公司技术官Masaki Momodomi说。“我很高兴铠侠开始为有限的客户提供样品。通过应用CBA技术和扩展创新,我们推进了3D闪存技术组合,用于各种以数据为中心的应用,包括智能手机、物联网设备和数据中心。
关键词:3D NAND闪存

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

热点排行

广告