根据外媒报道，SK海力士正在加速其在通常被称为“梦想记忆”的尖端领域的领先地位，即三维（3D）DRAM。该公司凭借其高带宽内存 （HBM） 已经成为人工智能 （AI） 半导体市...
分类：名企新闻 时间：2024/6/28 阅读：232 关键词：SK海力士
TrendForce 预测，未来一个季度消费级 DRAM、VRAM 价格将上涨 8%
随着对 AI 计算能力和数据中心的需求不断增长，对某些关键计算机组件（包括内存）的需求也在增长。市场研究公司 Trend Force 表示，服务器需求大幅增长，以及工厂生产中 HB...
SK海力士正在加速其在被称为“梦幻存储器”的三维（3D）DRAM这一尖端领域的领先地位。该公司已经凭借其高带宽存储器（HBM）在人工智能（AI）半导体市场中处于领先地位，现...
分类：名企新闻 时间：2024/6/25 阅读：399 关键词：SK海力士
AI狂潮推动记忆体需求飙升，加上过去两年记忆体厂资本支出不足，华尔街投行摩根士丹利高喊，DRAM市场正迎来前所未见的「超级周期」，标准型DRAM缺口将更胜HBM，价格也跟着...
分类：行业趋势 时间：2024/6/20 阅读：655 关键词：DRAM
TrendForce 表示，尽管出货量下降，但由于合约平均售价上涨，第一季度 DRAM 营收达 183.5 亿美元，环比增长 5.1%。 三巨头在第一季度出现季节性出货量下滑，但继续受益...
分类：业界动态 时间：2024/6/19 阅读：173 关键词：DRAM
三星和 SK 海力士专注于 HBM 生产；DDR5 DRAM 价格上涨
内存公司三星电子和 SK 海力士正专注于生产面向人工智能的高带宽内存 (HBM)，导致通用 DDR5 DRAM 价格上涨。这是由于大量晶圆分配给 HBM 生产，限制了高规格 DDR5 DRAM 的...
2024 年记忆体市场走势，在DRAM 方面因为有人工智慧市场对HBM 的庞大需求，整体来说没有什么大问题，但是，在NAND Flash 方面，因为供应商增产的问题，可能会有令人比较担...
内存制造商美光科技计划在日本广岛建设新的DRAM 工厂。新工厂将配备极紫外光刻 (EUV)设备，用于生产美光最先进的内存产品。根据公司原计划，公司将于 2026 年初破土动工，...
分类：业界动态 时间：2024/5/29 阅读：228 关键词：DRAM
继以DRAM为代表的高带宽存储器（HBM）用于人工智能（AI）存储半导体之后，NAND闪存市场竞争日趋激烈。 据业内人士5月19日消息，三星电子和SK海力士正在加紧努力提升NAND...
分类：业界动态 时间：2024/5/21 阅读：229 关键词：DRAM
NEO Semiconductor今天宣布，将推出用于 3D X-DRAM 的性能提升浮体单元机制（Floating Body Cell Mechanism）。该公司创始人兼首席执行官 Andy Hsu 在 2024 年韩国首尔第 1...
SDRAM（Synchronous Dynamic Random-Access Memory）是一种广泛用于计算机系统中的随机存取存储器，它的工作原理涉及到数据的存储和读写过程。以下是SDRAM的基本工作原理： 同步性： SDRAM是同步存储器，其操作与系统时钟同步。这...
基础电子 时间：2024/5/31 阅读：255
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种内存芯片，用于计算机系统中作为主存储器使用。它是一种易失性存储器，意味着当断电时，其中的数据会丢失。DRAM通常以集成电路芯片的形式存在，用于暂时存储处理器需要的...
基础电子 时间：2024/2/26 阅读：250
什么是 DRAM？ 内存是计算机运行的基础。当与 CPU 结合使用时，可以运行指令集（程序）并存储工作数据。随机存取存储器（RAM）是一种众所周知的存储器类型，之所以如此称呼是因为它能够以大致相同的时间延迟访问存储器中的任何位置。...
基础电子 时间：2023/12/7 阅读：636
对于主流内存，这条路已经规划好了，也走过了。从快速页面 (FP) 模式和扩展数据输出 (EDO) 到 SDR、DDR 和 DDR2，演变带来了先进的架构、更快的速度、更高的密度和带宽，以及更低的电源电压和功耗。这些重大进步共同推动 DRAM 和计算细分...
基础电子 时间：2023/4/3 阅读：1450
电脑 DIY 用户常会遇到一种情况：想换新的DRAM模块，但可能还有另外一块 DRAM，担心两块互不兼容。那么，不同世代、不同速度、延时、电压或制造商的DRAM能否混合搭配起来使用呢？ 的内存制造商之一Micron美光旗下品牌，Crucial英睿达...
基础电子 时间：2021/1/29 阅读：8794
基于EPLD器件MAX7256ATC144-6简化任意波形发生器SDRAM控制器的设计
任意波形发生器在雷达、通信领域中发挥着重要作用，但目前任意波形发生器大多使用静态存储器。这使得在任意波形发生器工作频率不断提高的情况下，波形的存储深度很难做得很...
设计应用 时间：2020/5/19 阅读：412
基于DDR DRAM控制器实现MPMA存取输入/输出端口的设计
1、引言 随着信息时代的到来，各种信息的集成和交互越来越频繁。运动控制系统中需要处理和存储的信息量也与日俱增，大部分运动控制系统的器件MCU自身已经集成了较大容量...
设计应用 时间：2020/5/19 阅读：482
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器（DRAM）设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可...
设计应用 时间：2020/4/23 阅读：663
SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计
随着嵌入式微处理器主频的不断提高，信号的传输处理速度越来越快，当系统时钟频率达到100MHZ以上，传统的电路设计方法和软件已无法满足高速电路设计的要求。在高速电路设计...
设计应用 时间：2019/4/15 阅读：975
广东高云半导体科技股份有限公司（以下简称“高云半导体”）今日宣布，高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片，分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48，其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。 随着...
新品速递 时间：2019/1/19 阅读：994
