根据外媒报道，SK海力士正在加速其在通常被称为“梦想记忆”的尖端领域的领先地位，即三维（3D）DRAM。该公司凭借其高带宽内存 （HBM） 已经成为人工智能 （AI） 半导体市...
分类：名企新闻 时间：2024/6/28 阅读：373 关键词：SK海力士
TrendForce 预测，未来一个季度消费级 DRAM、VRAM 价格将上涨 8%
随着对 AI 计算能力和数据中心的需求不断增长，对某些关键计算机组件（包括内存）的需求也在增长。市场研究公司 Trend Force 表示，服务器需求大幅增长，以及工厂生产中 HB...
SK海力士正在加速其在被称为“梦幻存储器”的三维（3D）DRAM这一尖端领域的领先地位。该公司已经凭借其高带宽存储器（HBM）在人工智能（AI）半导体市场中处于领先地位，现...
分类：名企新闻 时间：2024/6/25 阅读：450 关键词：SK海力士
AI狂潮推动记忆体需求飙升，加上过去两年记忆体厂资本支出不足，华尔街投行摩根士丹利高喊，DRAM市场正迎来前所未见的「超级周期」，标准型DRAM缺口将更胜HBM，价格也跟着...
分类：行业趋势 时间：2024/6/20 阅读：1314 关键词：DRAM
TrendForce 表示，尽管出货量下降，但由于合约平均售价上涨，第一季度 DRAM 营收达 183.5 亿美元，环比增长 5.1%。 三巨头在第一季度出现季节性出货量下滑，但继续受益...
分类：业界动态 时间：2024/6/19 阅读：180 关键词：DRAM
三星和 SK 海力士专注于 HBM 生产；DDR5 DRAM 价格上涨
内存公司三星电子和 SK 海力士正专注于生产面向人工智能的高带宽内存 (HBM)，导致通用 DDR5 DRAM 价格上涨。这是由于大量晶圆分配给 HBM 生产，限制了高规格 DDR5 DRAM 的...
2024 年记忆体市场走势，在DRAM 方面因为有人工智慧市场对HBM 的庞大需求，整体来说没有什么大问题，但是，在NAND Flash 方面，因为供应商增产的问题，可能会有令人比较担...
内存制造商美光科技计划在日本广岛建设新的DRAM 工厂。新工厂将配备极紫外光刻 (EUV)设备，用于生产美光最先进的内存产品。根据公司原计划，公司将于 2026 年初破土动工，...
分类：业界动态 时间：2024/5/29 阅读：234 关键词：DRAM
继以DRAM为代表的高带宽存储器（HBM）用于人工智能（AI）存储半导体之后，NAND闪存市场竞争日趋激烈。 据业内人士5月19日消息，三星电子和SK海力士正在加紧努力提升NAND...
分类：业界动态 时间：2024/5/21 阅读：242 关键词：DRAM
NEO Semiconductor今天宣布，将推出用于 3D X-DRAM 的性能提升浮体单元机制（Floating Body Cell Mechanism）。该公司创始人兼首席执行官 Andy Hsu 在 2024 年韩国首尔第 1...
HBM 今年将占 DRAM 市场的 20%,预计 2025 年将会超过 30%
TrendForce 副总裁 Avril Wu 表示，HBM 在 DRAM 总容量中的份额预计将从 2023 年的 2% 上升到 2024 年的 5%，到 2025 年将超过 10%。 按价值计算，从 2024 年开始，HBM ...
分类：行业趋势 时间：2024/5/9 阅读：1496 关键词：HBM
最近，由于人工智能 (AI) 的需求，价格飙升已经从服务器用固态硬盘 (SSD) 扩展到服务器 DRAM。由于DRAM新增产能大部分分配给高带宽内存(HBM)，预计下半年供应将出现短缺。...
分类：业界动态 时间：2024/5/6 阅读：188 关键词：DRAM
传美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%
根据外媒报道，美光计划Q2季度针对DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%，价格谈判还在进行中。 美光将在这次得调价背景，一方面将是云服务业者和企业级存储需求的强劲回升...
分类：业界动态 时间：2024/4/10 阅读：198 关键词：DRAM 内存
Yole在其发布的最新报告中宣布，到 2023 年底，DRAM 行业将处于 2016 年以来的最低水平。 然而，在定价环境改善的情况下，DRAM 行业的运营亏损在 2023 年第 4 季度显著...
分类：行业趋势 时间：2024/3/29 阅读：1326 关键词：DRAM
TrendForce 高级副总裁 Avril Wu 表示，到 2024 年底，DRAM 行业预计将分配约 250K/m (14%) 的总产能用于生产 HBM TSV，预计年度供应位增长约为 260%。 HBM 在 DRAM 行...
分类：行业趋势 时间：2024/3/20 阅读：920 关键词：HBM
