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HBM 短缺态势延续至 2027 年，DRAM 行业迎上行周期

摩根大通发布的内存市场研究报告显示，HBM（高带宽内存）市场供需紧张的局面将持续至 2027 年。在供需紧张、技术迭代与 AI 需求的共同作用下，该市场规模还将不断扩大，HBM...

分类：行业趋势时间：2025/7/9 阅读：5326 关键词：HBM DRAM

DRAM 内存价格上扬，DDR4 价格破天荒超 DDR5

TrendForce 集邦咨询的最新调查显示，2025 年第三季度 DRAM 内存价格将迎来全面上涨，季度涨幅预计在 10% - 15%。若算上 HBM 高带宽内存，整体 DRAM 价格涨幅可能高达 15% ...

分类：维库行情时间：2025/7/8 阅读：556 关键词：DRAM

三星完成 1c 纳米 DRAM 工艺开发，即将迈向量产新征程

综合韩媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 报道，当地时间 6 月 30 日下午，三星电子对其第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米授予生产准备批准（PRA）。这一举措意味着三星正式...

分类：名企新闻时间：2025/7/1 阅读：295 关键词：三星

DRAM，三个方向

受关税担忧影响，内存市场规模有望在 2025 年连续第二次创下 2000 亿美元纪录　　2024年伊始，数据中心AI训练工作负载需求激增，带动行业迎来新一轮增长势头。这标志着行业...

分类：行业趋势时间：2025/6/23 阅读：1993 关键词：DRAM

三星下一代 DRAM 良率升至 50 - 70%，竞争优势凸显

据 Sedaily 报道，三星在 1c DRAM 领域取得了显著突破，其第六代 10 纳米级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试良率已提升至 50% - 70%，相较于去年不足 30% 的水平有了大幅提高。这...

分类：业界动态时间：2025/6/21 阅读：390 关键词：三星

Counterpoint 预估：长鑫存储今年 DRAM 增产近 50%，年末市占或达 8%

市场分析机构 Counterpoint 作出预测，长鑫存储在去年实现大幅增产的基础上，今年其 DRAM 内存产能将进一步同比增长近 50%。这一显著的产能提升，彰显了长鑫存储在技术研发...

分类：业界动态时间：2025/6/21 阅读：394 关键词：长鑫存储 DRAM

SK 海力士登顶 DRAM 营收，三星电子借良品率改善谋翻身

在全球半导体市场的激烈竞争中，动态随机存取存储器（DRAM）领域的格局近期发生了显著变化。此前，市场研究机构发布的报告显示，受人工智能领域对高带宽存储器（HBM）强劲...

分类：业界动态时间：2025/6/21 阅读：224 关键词：SK 海力士

SK 海力士聚焦 HBM 商机，暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购

据韩国媒体 the bell 当地时间 6 月 12 日报道，在 HBM（高带宽内存）市场占据领先地位的 SK 海力士，对其下一代 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存量产线的设备采购节奏...

分类：名企新闻时间：2025/6/17 阅读：351 关键词：SK 海力士

SK 海力士聚焦 HBM 市场，搁置 1c DRAM 内存量产设备采购计划

据韩国媒体 the bell 当地时间本月 12 日报道，在 HBM（高带宽内存）市场占据领先地位的 SK 海力士，对下代 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存量产线的设备采购节奏做出调...

分类：名企新闻时间：2025/6/16 阅读：443 关键词：SK 海力士

DRAM 大宗交易价格 5 月上扬 10%，产业走向待察

在半导体存储器市场中，动态随机存取存储器（DRAM）一直占据着重要地位。近期，DRAM 市场出现了显著的价格波动。2025 年 5 月，DRAM 大宗交易价格连续 2 个月较上月上涨 10%，这一变化引起了行业内外的广泛关注。 DRAM 作为一种用于数...

分类：业界动态时间：2025/6/12 阅读：291 关键词：DRAM

SK 海力士公布 DRAM 长期路线图，聚焦 10nm 以下技术

据 ZDNet 报道，继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后，SK 海力士在 6 月 8 日至 12 日于京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会上，公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景，着...

分类：业界动态时间：2025/6/11 阅读：254 关键词：SK 海力士

I/O 翻倍冲击 HBM4 DRAM Die 面积，初期 12Hi 堆栈售价逾 600 美元

据韩媒 the bell 当地时间昨日报道，HBM4 内存的 I/O 数量相较于此前产品实现了翻倍，达到 2048。这一变化对 SK 海力士和美光产生了显著影响，由于他们在 HBM4 DRAM 上沿用...

分类：业界动态时间：2025/6/11 阅读：182 关键词：DRAM

三星 DRAM 改革成效初显，产量与挑战并存

在全球半导体行业竞争日益激烈的背景下，三星电子正积极采取措施重塑其在该领域的领先地位。近期，三星在第六代 DRAM（1c 节点）良率方面取得了重要突破，这一进展不仅为其...

分类：业界动态时间：2025/6/5 阅读：370 关键词：三星 DRAM

SK 海力士首超三星，一季度成全球 DRAM 营收冠军

外媒报道显示，得益于向英伟达大量供应高带宽存储器（HBM），SK 海力士的 DRAM 业务营收显著提升，进而推动了整体业绩增长。市场研究机构发布的最新报告表明，在强劲的 ...

分类：业界动态时间：2025/6/5 阅读：217 关键词： DRAM

SK 海力士一季度首次登顶 TrendForce 季度 DRAM 产业营收榜

TrendForce 集邦咨询公布了 2025 年第一季全球 DRAM 厂自有品牌内存营收排名，SK 海力士首次登上季度内存营收榜首的位置，此前 Counterpoint 的统计也呈现出类似的趋势。　...

分类：业界动态时间：2025/6/4 阅读：251 关键词：SK 海力士

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