在AI算力驱动下，半导体产业正加速迈向复杂系统时代，芯片制造工艺不断突破物理极限。EUV光刻技术的持续进阶，使芯片最小线宽逼近3nm，对材料缺陷尺寸的要求已突破10nm阈值。在此背景下，任何微米级颗粒都可能成为致命缺陷，直接影响芯片...
分类：业界动态 时间：2026/4/9 阅读：4649
英特尔突破技术边界：全球最薄19μm氮化镓芯片问世，重塑半导体产业格局
2026年4月9日，半导体行业迎来里程碑式突破——英特尔代工服务（Intel Foundry）宣布成功研发全球首款厚度仅19微米的氮化镓（GaN）芯粒，并亮相2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM）。这一成果不仅刷新了半导体器件的物理极限，更通过集成...
分类：业界动态 时间：2026/4/9 阅读：4666
韩国本土4英寸GaAs工艺良率突破95% 创全球化合物半导体新标杆
在全球半导体行业持续追逐硅基先进制程的浪潮中，韩国近期在化合物半导体领域取得重大突破。据业内最新消息，韩国本土研发的4英寸砷化镓(GaAs)工艺良率已突破95%，这一里程碑式的成就不仅刷新了全球化合物半导体制造的良率纪录，更标志着...
分类：业界动态 时间：2026/4/7 阅读：3537
富士通携手Rapidus布局1.4纳米AI芯片 日本半导体产业再升级
日本科技巨头富士通近日宣布，正与本土新兴晶圆代工厂Rapidus展开深度合作，计划共同推进1.4纳米制程AI芯片的研发与生产。这款代号为“FUJITSU-MONAKA-X”的处理器将应用于日本下一代超级计算机“富岳NEXT”，目标在2029年前实现部署，性...
分类：业界动态 时间：2026/4/1 阅读：3877
突发重磅消息！日本半导体产业或将迎来近十年来最大规模的重组——三菱电机、罗姆和东芝计划整合功率半导体业务。这一战略联盟若成形，将重塑全球功率半导体市场格局，直接挑战德国英飞凌的龙头地位。全球功率半导体市场正掀起新一轮整合...
分类：行业趋势 时间：2026/3/27 阅读：21453
韩国荣达半导体重仓中国 2000万美元无锡总部落子半导体高地
半导体江湖再添猛将！ 当全球存储巨头三星、SK海力士的股价在中国ETF市场被疯狂溢价23%时，它们的韩国同胞荣达半导体却悄悄把真金白银砸向了中国。3月26日，随着2000万美元中国总部的签约落地，无锡高新区集成电路产业的版图上又多了一枚...
分类：业界动态 时间：2026/3/27 阅读：7747
据报道，日本知名企业三菱电机、罗姆和东芝即将启动谈判，计划整合各自的功率半导体业务。此举若达成协议，将重塑全球功率半导体产业格局。 此次整合谈判的背景颇为复杂。罗姆此前已与东芝就业务整合进行过单独交涉，而近期三菱电机的...
分类：业界动态 时间：2026/3/27 阅读：7260
2026年3月24日，全球半导体行业迎来一则震撼消息：韩国存储巨头SK海力士宣布，将斥资11.95万亿韩元（约合547亿元人民币），向ASML韩国公司采购极紫外光刻机（EUV），为下一...
分类：业界动态 时间：2026/3/24 阅读：4739
瞄准2nm先进制程：特斯拉全球招募资深芯片工程师，剑指半导体产业新格局
2026年3月，全球科技圈被一则重磅消息引爆——特斯拉正式启动全球范围内的资深芯片工程师招募计划，CEO埃隆·马斯克亲自下场推动，目标直指2纳米先进制程芯片制造。这一举动不仅标志着特斯拉在半导体领域的战略布局全面升级，更可能重塑...
分类：业界动态 时间：2026/3/24 阅读：4180
近日，纳芯微通过官方公众号发布了价格调整通知函，宣布将对部分产品进行涨价。这一决定源于全球半导体市场的持续波动以及原材料成本的大幅攀升。 通知函中提到，晶圆、...
分类：业界动态 时间：2026/3/23 阅读：4161
功率半导体器件（如MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管等）是电力电子系统的核心，广泛应用于新能源汽车、储能系统、开关电源、工业控制等场景，其选型合理性直接决定系统的效率、可靠性、成本与安全性。在工程实践中，工程师常因对器件参数、...
基础电子 时间：2026/3/23 阅读：228
半导体是现代电子产业的核心基石，其代际划分以核心材料、禁带宽度及性能升级为核心依据，从第一代到第四代，材料从元素半导体逐步向化合物、宽禁带、超宽禁带演进，性能持续突破，推动电子设备向高效、高频、高压、小型化升级。本文系统...
基础电子 时间：2026/2/28 阅读：375
半导体器件（二极管、MOSFET、IC等）是电子系统的核心基石，其可靠性直接决定设备使用寿命与运行稳定性。器件失效多源于设计缺陷、工艺瑕疵、工况应力或环境侵蚀，不同失效模式呈现特定特征与诱因。深入剖析失效模式、定位失效根源，是优...
基础电子 时间：2026/1/27 阅读：259
西门子推出TessentIJTAGPro，加速复杂半导体设计与测试进程
西门子数字化工业软件宣布推出 Tessent? IJTAG Pro，通过将传统的串行执行的操作转变为并行操作，实现基于 IEEE1687 标准的 IJTAG 输入 / 输出方式的革新，同时提供对定制化硬件读写访问的能力。这款全新软件引入了高带宽的内部 JTAG（IJ...
新品速递 时间：2025/11/7 阅读：1492
在电子科技飞速发展的当下，“半导体”“芯片”“集成电路”“晶圆” 这些词汇频繁出现在新闻报道、产品介绍中，很多人却容易将它们混淆。实际上，这四个概念既紧密关联，又存在明确差异，如同电子产业 “金字塔” 中不同层级的核心元素...
基础电子 时间：2025/9/15 阅读：5805
在半导体制造的复杂流程中，常常会面临将一个机台扩展到另一个机台，或者需要评价两组数据是否符合生产要求的情况。此时，利用质量工具进行科学判定新的机台能否进入产线生...
设计应用 时间：2025/8/29 阅读：866
功率半导体，作为电子装置中电能转换与电路控制的核心部件，主要用于改变电子装置中的电压和频率、实现直流交流转换等功能。从分类角度来看，功率半导体可分为功率 IC 和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要涵盖二极管、晶闸管、晶...
基础电子 时间：2025/8/28 阅读：437
半导体激光器，也称为激光二极管，其工作原理基于受激辐射的光放大过程，但实现这一过程的方式与气体或固体激光器不同，它巧妙地利用了半导体材料的特性。其核心工作原理可以概括为三个基本过程和一个关键结构：粒子数反转：通过电注入实...
基础电子 时间：2025/8/27 阅读：353
深入解析安世半导体 NEX53100 - Q100：双口 PD3.2 快充协议控制器的卓越性能
NEX53100 - Q100 是一款车规级 AEC - Q100 认证的双口 PD3.2 快充协议控制器。它与两路升降压转换器搭配使用，可构成最高单口功率达 240W 的双路快充方案。该控制器支持智能双口功率动态分配和基于温度与电池电压的功率管理，其 DPDM PHY...
基础电子 时间：2025/8/22 阅读：700
在当今的电能利用领域，功率变换器扮演着至关重要的角色，而其性能的优劣主要取决于核心部件 —— 功率半导体器件。常见的功率半导体器件类型包括 MOSFET、IGBT 和二极管。...
技术方案 时间：2025/7/31 阅读：1059
