韩国产业通商资源部宣布一项重大计划，将在 2032 年前投入总计 4840 亿韩元（约合 3.5 亿美元），用于开发无机发光二极管（iLED）显示技术。这一举措旨在巩固韩国在全球显示产业的竞争力，抓住下一代显示技术的发展机遇。
　　iLED 被视为下一代显示技术的关键，与当前主流的有机发光二极管（OLED）相比，具有更长的使用寿命、更高的亮度和更优的能效。从市场规模来看，全球 iLED 市场预计将从 2026 年的 10 亿美元增长至 2035 年的 320 亿美元，增长潜力巨大。目前，韩国在 OLED 市场保持全球领先地位，但在 iLED 技术领域相对滞后，严重依赖外国制造的 LED 芯片和 iLED 显示所需材料。此次投资计划正是为了弥补这一短板。
　　这笔投资将集中于 iLED 相关技术的研发，包括 Micro - LED、量子点和纳米 LED（Nano LED）等。同时，该资金还将用于培育韩国本土的 iLED 产业生态系统，完善产业链布局。此前，在第 4 次无机发光产业培育联盟早餐恳谈会上，与会者提出了推动无机发光产业可持续增长的多项建议，如抢占核心技术并培养人才、确保材料与零部件的稳定供应链、建立装备与零部件的可靠性评估体系以及构建产学研有机协作机制等。韩国产业通商资源部产业政策室室长李承烈（音译）表示：“无机发光产业培育联盟是推动无机发光产业发展的政企合作平台和指挥塔。我们将积极发掘定制政策并提供制度支持，确保韩国在该领域也能引领市场。”
　　今年 2 月，韩国产业技术振兴院（KIAT）和韩国显示产业协会（KDIA）公布了 “无机发光显示技术开发和生态系统构建项目” 的 17 项研发任务，总投资规模为 180 亿韩元（约合人民币 9054 万元）。这些研发项目涵盖了无机发光显示市场开拓、MicroLED 外延生长技术、高效率红色芯片技术、驱动技术、转印及封装技术、面板检测及修复工艺技术等多个方面，具体如下：
　　无机发光显示市场开拓及竞争力提升的生态系统建设支持；
　　适用于大规模量产的标准平台型 1xμm 级红、绿、蓝 MicroLED 外延生长技术开发；
　　外部量子效率 2% 以上、尺寸 1xum 级标准平台兼容型红色 MicroLED 外延芯片技术开发；
　　外部量子效率 15% 以上、芯片尺寸 10um 以下的高效率红色芯片技术开发；
　　低功耗驱动 MicroLED 显示器用高亮度低温氧化物背板驱动技术开发；
　　超高亮度智能手表用 3000 nits 以上高亮度低功耗面板及无驱动器像素结构技术开发；
　　大型 MicroLED 显示屏用基于自对准的 1 亿 UPH 级超高速转印及封装技术开发；
　　中小型显示屏用无衬底 / 比对再排列方式的高分辨率 1xum 级 RGB MicroLED 像素技术开发；
　　适用于芯片级中小型 MicroLED 显示屏的量产保障用超高速转印及封装工艺技术开发；
　　适用于芯片级中小型 MicroLED 显示屏的面板检测及修复工艺技术开发；
　　适用于无衬底中小型 MicroLED 显示屏的量产保障用超高速转印及封装工艺技术开发；
　　适用于无衬底中小型 MicroLED 显示屏的面板检测及修复工艺技术开发；
　　（综合）基于 MicroLED 像素的单体 4K LEDOS 设备技术开发；
　　（第一阶段）高分辨率 AR 设备用 CMOS 背板电路设计及高信赖度无驱动器像素技术开发；
　　（第二阶段）高分辨率 AR 级 6000 PPI 以上 LEDoS 设备用 R?G?B 外延及硅基背板一体化量产分区驱动及像素结构技术开发；
　　（第三阶段）高分辨率 AR 设备用超小型光学系统技术开发；
　　无机发光显示生态系统发展的基础设施及智能显示研发中心建设。