根据外媒报道，在科技飞速发展的当下，高带宽内存（HBM）作为人工智能和云计算领域的关键组件，其市场动态备受关注。高盛分析师近日发布预测，2026 年 HBM 市场可能出现供过于求的局面，价格或将面临两位数的下降，这无疑给市场 SK 海力士带来了巨大挑战。 随着英伟达、Meta 和谷歌等云计算巨头在人工智能领域的投入不断加大，HBM 的需求在短期内呈现出增长态势。然而，竞争的加剧和供应的过剩正逐渐成为市场的潜在风险。高盛指出，主要厂商的 HBM 芯片供应量大幅增加，预计将超过市场需求量，这可能导致全年平均销售价格（ASP）下降。经过多年的供应紧张，HBM 市场预计在 2026 年迎来疲软期，整个行业的定价压力将进一步加剧。 与此同时，HBM 的增长速度也将大幅放缓。高盛将 HBM 的同比增长预期从之前的 45% 下调至 25%，并修订了总目标市场（TAM）预测。2025 年的预测小幅上调 1% 至 360 亿美元，而 2026 年的预测则下调 13% 至 450 亿美元（此前为 510 亿美元）。
TrendForce 的观察显示，虽然当前 HBM 产能不断提升，各供应商的良率也在稳步提高，但成熟产品价格下调的可能性不大。不过，明年市场的焦点将集中在仍在阶段的 HBM4 上，目前判断竞争的胜负还为时尚早。考虑到下一代 HBM 的发布，TrendForce 预计 HBM 的整体平均价格仍将呈上升趋势。
对于 SK 海力士来说，面临的挑战远不止于此。高盛强调，NVIDIA 的下一代 GPU Rubin 不会像 B300 那样提升 HBM 容量，两款 GPU 都将采用 288GB 容量，这意味着 GPU 驱动的 HBM 需求增长有限，对 SK 海力士而言并非好消息。
此外，《经济日报》援引韩国分析师的话警告称，当下一代 HBM4 在 2025 年上市时，SK 海力士的市场份额可能会萎缩。虽然美国取消对 NVIDIA H20 芯片对中国的出口限制可能会提振 HBM 需求，对 SK 海力士有所帮助，但这也可能为其竞争对手带来机会。报告还指出，到 2026 年，三星的 HBM 出货量可能以每年 20% 的速度增长，这将直接给 SK 海力士的利润率带来压力。
三星电子近期的动态也引起了市场的关注。三星已完成与博通就 12 层 HBM3E 产品的质量测试，并就量产供应展开磋商。此次协商的供应量按容量计算约为 10 亿 Gb 级别，量产时间预计早从今年下半年延续至明年。虽然这一规模在 HBM 年度市场占比不大，但对于三星电子来说具有重要的战略意义。三星此前设定目标，计划将今年 HBM 总供应量扩大至上年两倍的 80 - 90 亿 Gb 水平。该批 HBM 将搭载于全球科技企业的下一代 AI 芯片，目前博通正为谷歌代工第七代 TPU “Ironwood” 及 Meta 自研 AI 芯片 “MTIA v3”。此外，三星电子也在积极推进向亚马逊云服务（AWS）供应 HBM3E 12 层产品，AWS 计划明年量产搭载该存储器的下一代 AI 芯片 “Trainium 3”。全球科技企业掀起的 ASIC 自研热潮，为三星电子扭转 HBM 业务颓势提供了契机。 美光同样在不断增加 HBM 产能。上个月，美光宣布将在美国的投资从此前的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元，包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 500 亿美元的研发投资。美光此前已启动位于爱达荷州博伊西的 1 座 DRAM 内存晶圆厂建设，并计划在纽约州克莱再建设 4 座大型内存晶圆厂。此次新公告还计划在博伊西加建一座晶圆厂、建设 HBM 封装设施、对弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂进行扩建和现代化。马纳萨斯晶圆厂将制造相对成熟的 1 - alpha (1a nm) DRAM，保障美国多个关键领域的内存供应。美国商务部已敲定对该项目的 2.75 亿美元《CHIPS》法案补贴，美光所获直接资金支持总额上升至 64 亿美元。美光在博伊西新建的第一座晶圆厂计划于 2027 年开始生产 DRAM，克莱建设项目有望在今年晚些时候启动地面准备。
