三星副会长赴美,与英伟达商洽 HBM3E 供货及 HBM4 方向

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2025-07-07 09:26:42 | 236 次阅读

  据韩媒 news1 披露,三星电子 DS(半导体)部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国,与芯片巨头英伟达展开了一系列重要洽谈,主要围绕 HBM3E 12 层产品供应及代工业务,旨在争取可能的订单。
  目前,向英伟达供应 HBM3E 12 层产品是三星的关键任务之一。自去年起,三星就积极申请英伟达的质量,然而首次尝试遭遇了英伟达的驳回。不过,三星并未放弃,正以改进设计后的新版本重新申请,并努力尝试向英伟达供货。值得一提的是,近期三星已成功向 AMD MI350X 系列 AI 芯片供应 HBM3E 12 层产品。这一成果在很大程度上消除了外界对其产品品质的担忧,也为其通过英伟达增添了几分可能性。一旦三星顺利获得英伟达的订单,它将与当前在 HBM 领域处于领先地位的 SK 海力士以及美国美光展开更为激烈的市场竞争。
  除了 HBM3E 12 层产品的供应问题,业界普遍推测,全永贤此次美国之行还与英伟达讨论了第六代 HBM(HBM4)的未来供货方向。在 HBM4 领域,三星的竞争对手 SK 海力士和美光已分别在今年 3 月和 6 月向客户交付了基于第五代 10 纳米级 DRAM(1b 工艺)的 HBM4 样品。而三星计划凭借采用更先进第六代(1c 工艺)DRAM 的 HBM4 产品实现技术反超,在未来的市场竞争中占据有利地位。
关键词:三星英伟达

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

维库芯视频>>

能源革命碳化硅,功率器件,电子元器件

热点排行