类别：其他 出处：网络整理 发布于：2023-04-19 16:40:52 | 263 次阅读
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复[5]时间缩短约44%，上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6]，降低了开关电源的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，与TPH9R00CQH相比，新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压，有助于降低电源的EMI。
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