CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级

类别：新品快报　出处：网络整理　发布于：2025-07-02 12:00:41 | 2542 次阅读

　　德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。

　　提供了一系列精细化的产品组合。在 25°C 时，其 R DS (on) 值范围为 4 至 60 mΩ，能够广泛适用于多种应用场景。在汽车领域，它可应用于车载充电器（OBC）、DC - DC 转换器以及电动汽车（xEV）辅助设备等；在工业领域，涵盖电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源（SMPS）等方面。
　　该产品具有诸多显著优势。凭借 4 mΩ 和 7 mΩ 的超低导通电阻，它在静态开关应用中表现出色，成为 eFuse、高压电池关断开关、固态断路器和固态继电器等应用的理想之选。英飞凌创新的 Q - DPAK 顶部散热式封装，不仅提供了领先的热性能和可靠性，其 R DS (on) 值低至 4 mΩ，更是实现了行业内的规格。
　　从技术性能上看，它具有领先的 R DS (on) x Q OSS 和更佳的 R DS (on) x Q fr，能够有效减少硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，尤其在硬开关应用场景中效率表现突出。由于栅极电荷减少，可实现更快的开关速度并降低栅极驱动损耗，从而提高在高频率应用中的效率。
　　此外，CoolSiCMOSFET 750 V G2 在 25°C 时具有高电压阈值（V GS (th),typ 为 4.5 V）和超低 Q GD/Q GS 比，进一步增强了对寄生导通（PTO）的抗扰性。它还支持栅极驱动能力扩展，可承受 - 7 V 的静态栅极电压及 - 11 V 的瞬态栅极电压，为工程师提供了更大的设计余量，保证了与市场上其他产品更高的兼容性。
　　值得一提的是，CoolSiC? 750 V G2 具有出色的开关性能、的易用性和优异的可靠性，并且完全符合 AEC Q101 车规级部件标准和 JEDEC 工业级部件标准。这充分展现了英飞凌在安全关键型汽车应用可靠性和耐用性上的投入，能够满足日益增长的市场需求。

关键词：MOSFET

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