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英特尔 14A2 工艺双面供电,剑指台积电 1.4 纳米芯片挑战

在半导体行业竞争日益激烈的当下,芯片制程技术的角逐成为各大巨头的核心战场。为了应对台积电与三星即将推出的 1.4 纳米级芯片技术,英特尔正积极谋划新的技术策略。英特...

分类:业界动态 时间:2026/7/7 阅读:716 关键词:英特尔

三星重申 2029 年量产 1.4 纳米工艺,公布下一代 2nm 工艺路线图

近日,在 7 月 1 日于三星电子首尔瑞草办公室举行的 SAFE(三星先进晶圆代工生态系统)论坛上,三星晶圆代工设计平台开发团队副总裁申钟信重申,三星计划于 2029 年开始量...

分类:名企新闻 时间:2026/7/2 阅读:4472 关键词:三星

从纳米到埃米:IBM 0.7nm技术给出全新答案

IBM发布全球首款0.7纳米芯片:近千亿晶体管密度再创新高,性能与能效最高提升50%和70%。2026年6月25日,IBM正式公布前沿半导体研发突破,推出代号0.7nm代际的芯片制造技术...

分类:业界要闻 时间:2026/6/26 阅读:21716

三星电子豪赌1纳米工艺 2030年能否撼动台积电霸主地位?

全球晶圆代工市场正在上演一场"制程工艺"的世纪之战。三星电子近期放出重磅消息:计划在2030年前完成1纳米制程工艺研发并实现量产!这一野心勃勃的计划背后,是三星对台积电长达十余年的"追赶游戏"进入白热化阶段。市场份额悬殊的技术追...

分类:业界动态 时间:2026/4/1 阅读:4288

富士通携手Rapidus布局1.4纳米AI芯片 日本半导体产业再升级

日本科技巨头富士通近日宣布,正与本土新兴晶圆代工厂Rapidus展开深度合作,计划共同推进1.4纳米制程AI芯片的研发与生产。这款代号为“FUJITSU-MONAKA-X”的处理器将应用于日本下一代超级计算机“富岳NEXT”,目标在2029年前实现部署,性...

分类:业界动态 时间:2026/4/1 阅读:4011

台积电亚利桑那厂加速扩产,3纳米制程或提前至2027年量产

全球芯片代工龙头台积电正在上演一场与时间赛跑的产能扩张战。当AI浪潮席卷全球,芯片需求呈现爆发式增长,这家半导体巨头如何应对产能不足的挑战?建设速度创纪录台积电海...

分类:业界动态 时间:2026/3/24 阅读:4123

科学家研制出纳米级温度传感器,芯片测温进入纳秒时代

当你的手机发烫时,内置的温度传感器可能还在"慢慢"反应——这个持续数十毫秒的过程,对现代芯片而言已如同"冰川纪"般漫长。但宾夕法尼亚州立大学的突破性研究,正将温度监测带入纳秒级新纪元。二维材料重塑测温极限研究团队采用革命性的...

分类:业界动态 时间:2026/3/10 阅读:4214

日本芯片企业获16亿政府注资 剑指2纳米技术霸主地位

芯片产业的军备竞赛正在升级!日本政府近日宣布向Rapidus株式会社注资2500亿日元(约合16亿美元),这项重大投资将在未来两个财年内逐步到位。这不仅标志着日本在半导体领域的战略布局迈出关键一步,更凸显了全球芯片产业竞争的白热化态...

分类:业界动态 时间:2026/2/27 阅读:6245

北大团队突破1纳米铁电晶体管技术,AI芯片迎来革命性飞跃

中国芯片产业再传捷报!北京大学电子学院邱晨光-彭练矛团队在国际顶级期刊《科学·进展》上发表重磅研究成果,成功研制出栅长仅1纳米、工作电压低至0.6V的铁电晶体管,创造了该领域的世界纪录。这项突破将为我国高性能AI芯片发展提供核心...

分类:业界动态 时间:2026/2/25 阅读:4765

台积电3纳米芯片将量产日本,魏哲家170亿美元豪赌引发两岸争议

当全球半导体产业还在为3纳米工艺争得头破血流时,台积电董事长魏哲家的一纸公告彻底改写了产业地图。2月5日,这位芯片巨头掌门人宣布将日本熊本二厂升级为3纳米生产基地,投资额飙升至170亿美元,这一决定不仅震撼业界,更在两岸掀起政...

分类:业界动态 时间:2026/2/6 阅读:37147

纳米技术

几十纳米栅氧化层如何制约 SiC MOSFET 可靠性

在功率半导体器件 MOSFET 中,栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层,其核心材质多为二氧化硅(SiO),堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重...

设计应用 时间:2026/5/22 阅读:624

什么是芯片的纳米等级的含义,28nm,14nm,3nm 工艺

在芯片产业的新闻中,“28nm 工艺”“14nm 量产”“3nm 突破” 等表述频繁出现,“纳米(nm)” 俨然成为衡量芯片技术水平的核心指标。但对于多数人而言,“纳米等级” 究竟代表什么?不同纳米工艺(如 28nm、14nm、3nm)之间又有何本质...

基础电子 时间:2025/9/15 阅读:5979

基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计

近些年,MEMS加速度计因其体积小、功耗低、易于与互补金属氧化物半导体晶体管集成电路(CMOS IC)整合而受到持续关注。目前已经开发了电容、压阻、压电、光学等原理的加速...

设计应用 时间:2022/12/29 阅读:1553

高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展,泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战,...

技术方案 时间:2022/1/11 阅读:6025

面向人工视觉的碳纳米管光电传感器阵列问世

目前的人工视觉系统往往采用传统的互补金属氧化半导体(CMOS)或者电荷耦合器件(CCD)图像传感器与执行机器视觉算法的数字系统相连接来实现,这些传统的数字人工视觉系统具有功耗高、尺寸大、成本高等缺点。相比而言,人类视觉系统拥有...

基础电子 时间:2021/3/24 阅读:1118

纳米防水材料的用途及在PCB应用中的特点分析

纳米防水剂从功能上可以理解为纳米防水涂层、纳米防潮涂层、防盐雾腐蚀涂层,为电子产品防水提供了更好的解决方案。通过浸泡、喷涂的方式直接将纳米涂层应用于电子产品PCBA上,只要将PCBA在纳米溶液中浸泡几秒钟或采用喷涂的方式,取出后...

设计应用 时间:2020/2/5 阅读:570

ST - 意法半导体纳米静态电流、高能效降压转换器为物联网设备节省电能和空间

意法半导体的ST1PS01降压转换器专门采用小尺寸和低静态电流设计,能够在负载的所有电流值下保持高能效,为始终工作的负载点电源和资产跟踪器、可穿戴设备、智能传感器、智能电表等物联网设备节省电能和空间。   新产品采用同步整流技...

新品速递 时间:2019/3/8 阅读:1061

纳米结构如何提高光学传感器的灵敏度?

纳米结构的几何形状只要满足特定条件,并匹配入射光的波长,就能够大幅提高光学传感器的灵敏度。这是因为局部纳米结构可以极大地放大或减少光的电磁场。据麦姆斯咨询报道,...

设计应用 时间:2018/10/17 阅读:1604

微波频段纳米金属薄膜的表面电阻的大讲解

由于微波频段存在趋肤效应,导致微波器件导体内的电流通常集中在表面微米级的厚度内,这是大家所熟知的概念。依据这一原理,业界通常采用下述方法来改善微波器件的损耗,同时降低器件成本:在导体表面(比如铝合金)沉积厚度约为数个趋肤...

基础电子 时间:2018/5/28 阅读:1148

多孔碳纳米片助力高容量超级电容器

【引言】传统化石燃料如煤、石油、天然气的日益耗竭,迫使人们开发可再生的清洁能源和与之匹配的能量存储与转化器件。在电化学储能器件中,电极材料是影响其性能的关键因素...

基础电子 时间:2017/11/15 阅读:1292

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