X-FAB为180纳米XH018工艺新增隔离等级,提升SPAD集成能力
全新ISOMOS1模块实现更高填充因子和更小面积需求 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,在其180纳米XH018半导体工艺平台中推出新的隔离等级,旨在支持更紧凑、更高效的单光子雪崩二...
时间:2025/7/15 阅读:110 关键词:X-FAB
三星完成 1c 纳米 DRAM 工艺开发,即将迈向量产新征程
综合韩媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 报道,当地时间 6 月 30 日下午,三星电子对其第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米授予生产准备批准(PRA)。这一举措意味着三星正式...
分类:名企新闻 时间:2025/7/1 阅读:302 关键词:三星
在半导体行业的激烈竞争浪潮中,台积电和三星电子正围绕 2 纳米芯片制造领域展开一场白热化的角逐。近期消息显示,两家公司均计划于 2025 年下半年开启 2 纳米芯片的量产之...
据 IT 之家 6 月 3 日消息,台湾地区工商时报报道,台积电即将迎来 2 纳米制程的投产,这无疑是芯片制造领域的一个重大里程碑,标志着行业进入了一个全新的时代。 从成...
分类:业界动态 时间:2025/6/3 阅读:271 关键词:晶圆
韩媒 munhwa 发布消息称,三星 Foundry 半导体代工业务为了扭转当前的不利局面,正全力以赴投入到最先进的 2 纳米半导体量产技术研发中,目前其良率已达到 40% - 50%。 ...
分类:业界动态 时间:2025/5/12 阅读:219 关键词:三星
根据媒体报道,近期,三星代工的业务发展陷入了艰难境地。此前,三星 3 纳米制程的良率问题已经是业内公开的秘密,这一问题极有可能导致其错失来自高通、英伟达等行业巨头...
分类:业界动态 时间:2025/5/6 阅读:232 关键词:AMD
ams OSRAM-艾迈斯欧司朗推出新型高功率455纳米波长蓝色激光二极管
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗(SIX:AMS)今日宣布,推出新型高功率蓝色激光二极管PLPT9 450LC_E,该创新产品拥有高达43%的出色电光效率以及首次达到455纳米波长。PLPT9 450LC_E采用TO90封装,进一步丰富艾迈斯欧司朗蓝激光...
时间:2025/4/29 阅读:167 关键词:ams OSRAM
艾迈斯欧司朗今日宣布,推出新型高功率蓝色激光二极管PLPT9 450LC_E,该创新产品拥有高达43%的出色电光效率以及首次达到455纳米波长。PLPT9 450LC_E采用TO90封装,进一步丰...
分类:新品快报 时间:2025/4/23 阅读:2405 关键词:蓝色激光二极管
根据中国电子报报道,记者从浙江大学官网获悉,该校研究团队研发的微米和纳米钙钛矿LED(micro-PeLED和nano-PeLED),突破LED尺寸新极限,达到90纳米,这是目前已知最小像...
分类:新品快报 时间:2025/3/25 阅读:380 关键词:LED
根据外媒报道,2纳米技术节点无法轻易达成,要规模量产并非想像中容易。 2纳米节点须采用全新的GAA制程架构,与FinFET架构相比较,其技术架构更为复杂,在制造过程可能...
分类:业界动态 时间:2025/2/7 阅读:349 关键词:Rapidus
据彭博社报道,新规则中的“先进”是指采用 14 纳米或 16 纳米或更先进工艺技术制造的处理器,包含 300 亿个或更多晶体管。但也会有例外。 新规定针对的是在 14 纳米或 ...
分类:业界动态 时间:2025/1/16 阅读:1296 关键词:晶体管
据国外媒体报道,台积电已在亚利桑那州开始为美国客户生产先进的4纳米芯片,美国商务部长吉娜·雷蒙多表示,这是一个里程碑事件。 雷蒙多对外媒表示,“在我们国家历史...
分类:名企新闻 时间:2025/1/13 阅读:232 关键词:台积电
三星电子已开始建立一条测试线,以提高其第七代 (1d) DRAM 的产量,该内存是领先两代的 10 纳米(纳米,十亿分之一米)水平的存储器。此举被解读为在失去在包括高带宽内存...
TANAKA - 田中贵金属:行业首款※1、具有纳米尺寸晶粒的白金材料制造技术开发成功
开展工业用贵金属业务的田中贵金属集团核心企业——田中贵金属工业株式会社(总公司:东京都中央区、执行总裁:田中 浩一朗)宣布成功开发出了世界首款可将晶粒径※2控制在纳米尺寸内的块体※3白金(铂、Pt)材料。 普通金属块体的平...
时间:2024/11/28 阅读:98 关键词:TANAKA