三星电子在其发布的 2025 年度可持续发展报告中透露，公司已开发出一种基于 LPDDR DRAM 的新型服务器内存模块 ——SOCAMM2。这一消息标志着三星电子正式加入 SOCAMM 内存模块市场的竞争，为该领域带来了新的变数。
　　目前，关于 “SOCAMM2” 名称中的 “2” 具体含义尚不明确，它可能代表 SOCAMM 规范本身的版本升级，也可能与 “CAMM2” 或 “LPCAMM2” 中的 “2” 一致，表示属于第二代 CAMM 系列产品。
　　尽管由于某些主板设计上的变化，例如英伟达 GB300 “Blackwell Ultra” 平台的调整，SOCAMM 内存模块短期内可能不会实现商业化应用，但这一技术依然具备广阔的应用前景。据悉，它有望成为 Vera Rubin 平台的一部分，为 Vera CPU 提供一种非板载式、更灵活且便于维护的内存解决方案。
　　从规格上看，SOCAMM 内存模组单条支持 128bit 位宽，采用了单面四个颗粒焊点和三个固定螺丝孔的结构设计。相比 LPCAMM2，其外形更加紧凑整齐，有利于在服务器环境中进行大规模部署，并提升整体散热效率。
　　即 Space - Optimized CAMM（空间优化内存模组技术），是由英伟达主导研发的面向 AI 计算、HPC、数据中心等领域的高密度内存解决方案。原定是英伟达 GB300 Superchip 改进型 Cordelia 主板设计的一部分，但由于 GPU 子板信号稳定性以及 SOCAMM 的散热可靠性等问题，终英伟达 GB300 主板设计沿用了成熟的 Bianca 形式。不过，在下一代 GB300 服务器中，英伟达会采用 SOCAMM 设计，采用 4 颗 LPDDR 组成的 SOCAMM 模块，共 4 组。
　　目前的 SOCAMM 模组基于 LPDDR5X DRAM 芯片。与先前的 LPCAMM2 模组相似，SOCAMM 同样采用单面四芯片焊盘、三固定螺丝孔的设计。然而，与 LPCAMM2 不同的是，SOCAMM 的顶部没有凸出的梯形结构，这降低了其整体高度，使其更适合服务器安装环境和液体冷却系统。
　　尺寸仅为行业标准 DDR5 RDIMM 的约 1/3，而得益于高速的 LPDDR5X 和更宽的位宽，SOCAMM 在相同容量下带宽可达到 2.5 倍，功耗仅为传统方案的 1/3。业内推测其采用了 chiplet 设计和混合键合技术，将 DRAM 裸片与逻辑控制器集成在单一封装内。同时，它还采用可拆卸设计，便于用户对内存模块进行灵活升级和更换，解决了传统板载内存成本高昂、缺乏灵活性和不支持升级的问题。
　　在三星电子加入之前，美光和 SK 海力士已经在 SOCAMM 市场有所布局。美光此前宣布 SOCAMM 解决方案已实现量产，通过使用 4 颗 16 - die 堆叠的 16Gb LPDDR5X 颗粒，实现了 128GB 容量，并结合 128 - bit 位宽和 8533MT/s 速率，为更快的 AI 模型训练和更高的推理并发用户量提供了关键支持。美光宣称：“我们是第一家与英伟达合作，并率先大规模生产 SOCAMM 的企业。” 该内存条将被应用于英伟达 GB300 Grace Blackwell Ultra 超级芯片，并预期将作为 Grace CPU 的可更换内存使用。SK 海力士也在公开场合展示了其 SOCAMM 产品，单模块容量 128GB，由容量为 32GB 的 4 颗芯片组成，采用 16 颗 16Gb LPDDR5X 记忆体芯片封装，并采用线键合工艺，而非 HBM 所使用的 TSV 工艺。数据传输带宽为 120GB/s，尽管比传统服务器 DRAM 快 2.5 倍，但仍远低于 HBM3E 的 1.2TB/s。SK 海力士称，“SOCAMM 已成为 AI 服务器存储器的新标准，我们将通过该产品展示 AI 存储器技术的领先地位。” 此前有消息称，英伟达可能将 50% 的 SOCAMM 订单交给美光，剩下的由三星和 SK 海力士平分。