韩媒《朝鲜日报》报道了一则令半导体市场瞩目的消息：三星电子基于 GAA 晶体管结构的 3nm 和 2nm 节点良率分别超过了 60% 和 40%。这一进展不仅为三星电子在先进制程领域的发展注入了新的活力，也让其在争夺先进制程订单的道路上迈出了坚实的一步。
此前，尽管三星电子在业界率先导入了 GAA 技术，但在其两大 GAA 节点 3nm 和 2nm 上，一直面临着性能和良率两方面的难题。这导致鲜有外部客户下单，三星电子在先进制程市场的拓展受到了一定的阻碍。然而，此次 3nm 良率在测试芯片中达到 60%，无疑是一个重大利好。这意味着该制程距离大规模量产更近了一步，为三星电子在市场竞争中赢得了更多的主动权。
对于 2nm 制程，韩媒援引行业消息称，三星晶圆代工预计将很快进入英伟达 GPU 和高通移动端 AP（应用处理器）项目对 2nm 工艺性能评估的阶段。这表明三星电子的 2nm 制程技术已经取得了显著的进展，并且得到了行业内重要客户的关注和认可。
值得一提的是，此前有消息传出，明年下半年即将推出的三星 Galaxy Z Fold8 / Filp8 折叠屏手机有望搭载三星自家以 2nm 制程代工的高通骁龙 8 Elite Gen 2 处理器。如果这一消息属实，将进一步证明三星电子 2nm 制程技术的可靠性和市场竞争力。
从半导体行业的发展趋势来看，先进制程技术的竞争愈发激烈。台积电作为行业的领先者，一直占据着较大的市场份额。三星电子此次在 3nm 和 2nm 良率上的突破，有望缩小与台积电的差距，为其在全球半导体市场的竞争中赢得更多的机会。同时，随着良率的提升，三星电子也能够更好地满足客户的需求，提高产品的质量和稳定性，从而进一步巩固其在半导体行业的地位。
