三星电子芯片部门主管上周访问英伟达,展示新设计1b DRAM样品

类别:业界动态  出处:网络整理  发布于:2025-02-21 09:06:22 | 317 次阅读

  根据外媒的报道,三星电子副会长兼联席CEO、负责存储芯片和晶圆代工等芯片业务的设备解决方案业务部门主管全永鉉(Jun Young Hyun),近访问了英伟达总部。全永鉉此行主要是为了进行重要的业务交流,并携带了改进设计后的1b DRAM样品。1b DRAM采用了第五代10nm工艺,主要用于生产高带宽存储器(HBM),特别是HBM3E。
  1b DRAM曾因良品率和过热问题遭遇挑战,英伟达也因此要求三星进行设计改进。去年,三星电子曾计划使用1b DRAM制造HBM3E,但由于技术问题而推迟。全永鉉此次亲自前往英伟达,并展示了改进后的样品,这在三星电子芯片业务部门中是极为罕见的做法,足以显示三星对英伟达及其HBM3E订单的重视。
  此外,报道还提到,若1b DRAM无法解决现有问题,三星电子曾计划转而使用1a DRAM来生产HBM3E,并考虑在HBM4上跳过1b DRAM直接采用1c DRAM。然而,英伟达依然要求三星使用1b DRAM来生产HBM3E。为了应对这些挑战,三星对1b DRAM的设计进行了进一步改进,以解决过热和良品率问题。

关键词:三星电子

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