类别:新品快报 出处:网络整理 发布于:2025-05-21 11:11:18 | 2274 次阅读
四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比,其体积减小90%以上,并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件,从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装,支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响,实现高速开关性能;以TW054V65C为例,与东芝现有产品相比[5],其开通损耗降低了约55%,关断损耗降低约25%[4],有助于降低设备中的功率损耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线,为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
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