东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2025-05-21 11:11:18 | 2274 次阅读

  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出四款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其的[1]第3代SiC MOSFET技术,并采用紧凑型DFN8×8封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。

 

    四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比,其体积减小90%以上,并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件,从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装,支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响,实现高速开关性能;以TW054V65C为例,与东芝现有产品相比[5],其开通损耗降低了约55%,关断损耗降低约25%[4],有助于降低设备中的功率损耗。

  未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线,为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
  测量条件:VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH,Rg(外部栅极电阻)=4.7Ω续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。(截至2025年5月,东芝对比结果)image.png图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)比较应用:
  -   服务器、数据中心、通信设备等的开关电源-   电动汽车充电站-   光伏逆变器
  -   不间断电源
  特性:
  -   DFN8×8表面贴装封装,实现设备小型化和自动化组装,低开关损耗-   东芝第3代SiC MOSFET-   通过优化漂移电阻和沟道电阻比,实现漏源导通电阻的良好温度依赖性-   低漏源导通电阻×栅漏电荷-   低二极管正向电压:VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)主要规格:
  (除非另有说明,Ta=25°C)image.png

关键词:SiC MOSFET

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