类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2025-05-07 10:32:19 | 2381 次阅读
R DS(on) 值为 4 和 7 mΩ适用于静态切换应用，使 MOSFET 适用于如 eFuse、高压电池断开开关、固态电路断路器和固态继电器等应用。
Infineon 的顶面冷却 Q-DPAK 封装中集成了的 R DS(on) 4 mΩ，该封装设计旨在提供的热性能和可靠性。
该技术还表现出的 R DS(on) x Q OSS 和的 R DS(on) x Q fr ，在硬切换和软切换拓扑结构中均能减少开关损耗，并在硬切换用户中具有出色的效率。
通过减少栅极电荷，该技术允许更快的开关速度并减少栅极驱动损耗，使其在高频应用中更加高效。
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