长鑫存储起诉美国防部，LPDDR6量产，半年营收1503亿元
中国动态随机存储器制造商长鑫存储技术有限公司（以下简称：长鑫存储）向美国哥伦比亚特区联邦地区法院提起诉讼，指控美国国防部将该公司列入所谓“涉军企业”名单的决定是...
分类：名企新闻 时间：2026/8/31 阅读：4459 关键词：长鑫存储
小米正式宣布，其自研旗舰处理器“玄戒O3”成为全球首款支持LPDDR6内存的芯片。据供应链消息，此次首发合作的内存供应商为国产厂商长鑫存储，标志着国产LPDDR6内存将首次实...
分类：业界动态 时间：2026/8/25 阅读：4448 关键词：LPDDR6内存
摩根士丹利的最新预测显示，成熟 DRAM 和 NAND 的供应紧张状况正不断加剧。该机构预计，2026 年第三季度，DDR4 等成熟 DRAM 价格可能大幅上涨 50%，第四季度涨幅仍将在 10%...
分类：业界动态 时间：2026/8/19 阅读：3244 关键词：DDR4
宜鼎推出新一代 DDR5 MRDIMM 内存，翻倍带宽突破性能壁垒
工业存储及嵌入式外设领导品牌宜鼎国际（Innodisk）发表全新 DDR5 MRDIMM 内存模组，搭载创新的 MRCD（多路寄存器时钟驱动器）和 MDB（多路数据缓冲器）元件，突破性能壁垒...
分类：新品快报 时间：2026/8/3 阅读：13207
研华新一代内存SQRAM DDR5 7200MHz，助力边缘AI算力升级！
研华科技公司重磅推出SQRAM DDR5 7200MT/s 工业级内存模组，该产品面向边缘AI持续增长的数据需求打造，相较前代产品性能提升12.5%，单模组容量最高可达64GB，为户外部署场...
分类：新品快报 时间：2026/7/27 阅读：11159 关键词：内存
AMD Zen6 CPU疯狂堆叠1152MB缓存！支持DDR5－12800 明年下半年见
AMD在Advancing AI上公布了Venice-X处理器的核心规格，这款基于Zen 6架构的数据中心CPU搭载1152MB L3缓存，拥有96个核心，加速频率最高5.15GHz，将于2027年下半年上市。 ...
分类：新品快报 时间：2026/7/27 阅读：11183 关键词：AMD
Rambus推出DDR5 9600服务器RDIMM芯片组，赋能下一代AI与数据中心平台
DDR5 9600 RDIMM芯片组旨在满足基于先进CPU服务器上AI及数据密集型工作负载所带来的内存性能与电源管理需求增长。 引入全新第六代寄存时钟驱动器（RCD06），运行速率达9600 MT/s，数据传输率较前代解决方案提升20%。 提供完整芯片...
时间：2026/7/21 阅读：75
国产存储里程碑：长鑫 LPDDR6 送样，下半年将全球首量产
在国产存储领域，长鑫存储正迎来重大突破。快科技 7 月 20 日消息显示，长鑫存储正积极为 DDR6 时代提前布局供应链。该公司引入了新的封装基板供应商海信电子，推动从传统的卷对卷工艺向面板级封装转型，以满足 DDR6 多层设计的更高要求...
分类：名企新闻 时间：2026/7/20 阅读：3611 关键词：长鑫
Patriot 正式推出无限镜光效内存模组 Viper Steel 5 Infinite DDR5
Patriot（博帝）今日正式推出 Viper Steel 5 Infinite DDR5 系列内存模组。这批内存条提供 RGB 与 Non-RGB 版本，其中前者搭载独家无限镜面 RGB 导光技术。 Patriot 表...
分类：新品快报 时间：2026/7/9 阅读：18939 关键词：内存
七彩虹推出 MoDT 主板 ECO HM770－K V20：集成 13900HX，支持 DDR4
七彩虹 (Colorful) 上月推出了 ECO HM770-K V20 主板。这是一款 MoDT 型号，板载集成英特尔酷睿 i9-13900HX 处理器，提供 2 条 DDR4 UDIMM 内存插槽。 ECO HM770-K V20 ...
分类：新品快报 时间：2026/7/7 阅读：18617 关键词：七彩虹
高速数字系统（如DDR内存、SerDes高速串行接口）是现代电子设备的核心组成，广泛应用于服务器、通信设备、消费电子、工业控制等场景，其信号传输速率已突破10Gbps，部分高端DDR5、SerDes系统甚至达到50Gbps以上。高速传输场景下，信号易...
基础电子 时间：2026/4/17 阅读：561
ddr4和ddr5内存接口一样吗？从物理结构到技术演进的全景解析
内存技术作为计算机硬件体系中的核心组件，其发展始终遵循着性能提升与功耗优化的双重目标。DDR4与DDR5作为当前主流内存标准的两代产品，在接口设计层面存在本质差异，这种...
设计应用 时间：2025/9/8 阅读：4648
在电子设备的研发与设计中，散热问题一直是影响设备性能和可靠性的关键因素。尤其是随着电子技术的不断发展，电子设备的集成度越来越高，功率密度也越来越大，散热问题变得...
技术方案 时间：2025/8/18 阅读：2081
DDR4（严格来说应为DDR4，不存在“DDR4X”标准）与DDR5是两代不同的内存技术，差异显著，尤其在性能、能效和未来扩展性上。以下是详细对比： 1. 核心区别概览特性DDR4DDR5发布时间2014年2020年（商用普及中）基础频率1600MHz~3200MHz480...
基础电子 时间：2025/6/23 阅读：3798
在计算机内存技术的发展历程中，DDR（Double Data Rate，双倍数据速率）内存不断迭代升级，从 DDR1 发展到如今最新的 DDR5。了解 DDR1 - DDR5 的区别以及它们的管脚定义，对于硬件设计、系统开发等领域的专业人士来说至关重要。目前，DDR...
基础电子 时间：2025/6/12 阅读：1075
DDR2与DDR内存是两种不同的内存技术，它们之间有许多区别，主要体现在性能、功耗、工作频率和数据传输方式等方面。以下是它们的主要区别： 1. 数据传输速率 DDR（Double Data Rate）：DDR内存的传输速率通常从 200MT/s 到 400MT/s...
基础电子 时间：2024/12/24 阅读：706
JEDEC 今天公布了即将推出的 DDR5 多路复用列双列直插式内存模块 (MRDIMM) 和下一代 LPDDR6 压缩连接内存模块 (CAMM) 标准的关键细节。新的 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM 将以无与伦比的带宽和内存容量彻底改变行业。 DDR5 MRDIMM 提供创新...
行业标准 时间：2024/7/23 阅读：5659
什么是DDR3L内存？DDR3L和DDR3内存哪个好？DDR3L和DDR3内存的区别
什么是DDR3L内存？ DDR3L内存是一种低电压双倍数据率第三代同步动态随机存取存储器（DDR3 SDRAM），它是DDR3内存的低电压版本。DDR3L内存通常工作在1.35V电压，相比标准的DDR3内存（工作电压为1.5V），能够降低功耗和发热，从而对笔...
基础电子 时间：2024/5/28 阅读：2227
微电子行业标准制定的全球领导者JEDEC 固态技术协会今天宣布发布 JESD79-5C DDR5 SDRAM 标准。JEDEC DDR5 SDRAM 标准的这一重要更新包括旨在提高可靠性和安全性并增强从高...
行业标准 时间：2024/4/22 阅读：6015
DDR5，全称为“双倍数据速率第五代 Synchronous Dynamic Random-Access Memory”（Double Data Rate 5 Synchronous动态随机存取存储器），是一种新一代的计算机内存标准，用于替代目前广泛使用的DDR4内存。DDR5内存具有以下特点和优势：...
基础电子 时间：2024/3/8 阅读：1808
