国产香山团队开源DDR4内存控制器IP白杨，性能直逼商用方案
当CPU计算能力以每年翻倍的速度增长，为什么我们的电脑却没有感受到相应的性能提升？答案可能藏在那个被忽视的内存瓶颈里。近日，国产香山团队正式发布了开源高性能DDR4内存控制器IP"白杨"，剑指阻碍系统性能提升的关键瓶颈。内存墙难题...
分类：业界动态 时间：2026/2/4 阅读：492
Cadence采用下一代低功耗DRAM和Microsoft RAIDDR ECC技术，为人工智能应用提供企业级可靠性
业界首款专为数据中心设计、采用RAIDDR ECC算法的LPDDR5X IP系统解决方案 楷登电子（美国Cadence公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，推出业界首款专为企业与数据中心应用设计的高可靠性LPDDR5X 9600Mbps内存IP系统解决方案。该创新方案融...
时间：2026/1/27 阅读：74 关键词：Cadence
AMD EXPO 1.20技术前瞻：高频DDR5与CUDIMM内存的革命性突破
当安卓阵营执着于把折叠屏外屏做得越来越像常规手机时，苹果却反其道而行之。最新曝光的iPhone Fold采用5.3英寸超小外屏，这个比主流折叠屏平均小20%的设计背后，暗藏着库克团队对折叠屏本质的重新定义——这不是能折叠的手机，而是能合...
分类：业界动态 时间：2025/12/24 阅读：11928
三星开发出40 Gbps速率、3GB容量的GDDR7显存芯片
在2025年韩国科技节上，三星电子重磅发布了全球领先的GDDR7显存芯片，单颗容量高达3GB（24Gb），数据传输速率突破40Gbps，一举刷新行业纪录。这款基于12纳米级DRAM制程的显存不仅斩获韩国“总统级表彰”，更被视为推动AI推理、高分辨率游...
分类：业界动态 时间：2025/12/8 阅读：4876 关键词：三星
当前全球内存市场正经历前所未有的供应链风暴。根据业内最新分析，DDR4/DDR5内存的短缺状况将持续至2027年第四季度，这场危机正在重塑整个科技行业的生态格局。 供需失衡的恶性循环 AI基础设施的爆发式增长成为吞噬内存产能的黑洞...
分类：业界动态 时间：2025/12/8 阅读：5268 关键词：内存
威刚和微星合作：推出全球首款4-RANK DDR5内存模块，单条容量128GB
2025年11月14日，威刚科技(ADATA)与微星(MSI)正式宣布推出全球首款4-RANK DDR5 CUDIMM内存模块，以单条128GB的超大容量重新定义桌面级内存性能标准。这款革命性产品采用创新的4-RANK架构，打破传统DDR5内存2-RANK设计的容量限制，为高端...
分类：新品快报 时间：2025/11/17 阅读：20047
澜起科技宣布，正式推出新一代DDR5时钟驱动器（CKD）芯片，支持最高9200 MT/s的数据传输速率，可有效优化客户端内存子系统性能，为下一代高性能PC、笔记本电脑及工作站提供关键技术支撑。 早在2024年4月，澜起科技就在业界率先试产DDR...
分类：新品快报 时间：2025/11/12 阅读：23693 关键词：澜起科技
三星公布新款LPDDR6规格：基于12nm工艺，速率达10.7Gbps
今年7月，JEDEC固态技术协会发布了最新的LPDDR6标准JESD209-6，旨在显著提升内存速度和效率，适用于包括移动设备和人工智能在内的多种应用。JEDEC称，新标准代表了内存技术的重大进步，可提供更高的性能、更高的能效和更高的安全性。 ...
分类：新品快报 时间：2025/11/11 阅读：24919 关键词：LPDDR6
国产存储里程碑：长鑫LPDDR5X量产助力旗舰机摆脱海外依赖
高端存储技术实现历史性突破 近日，长鑫存储正式宣布成功量产LPDDR5X内存芯片，这意味着国产DRAM首次打入旗舰智能手机核心供应链。作为当前移动设备最高规格的内存标准，LPDDR5X具备8533Mbps至10677Mbps的超高传输速率，能为AI大模型...
分类：业界动态 时间：2025/10/28 阅读：889 关键词：国产存储
SK海力士第二代DDR5 A-Die颗粒震撼登场 原生7200MT/s速率
2025年10月，存储行业迎来重磅消息——SK海力士第二代3Gb DDR5 A-Die内存芯片正式曝光。这款代号为"X021"、部件代码标注"AKBD"的全新颗粒，凭借7200MT/s的原生速率，将内存性能标准推向新高度。 技术突破方面，新一代A-Die颗粒采用创...
分类：新品快报 时间：2025/10/23 阅读：12753
ddr4和ddr5内存接口一样吗？从物理结构到技术演进的全景解析
内存技术作为计算机硬件体系中的核心组件，其发展始终遵循着性能提升与功耗优化的双重目标。DDR4与DDR5作为当前主流内存标准的两代产品，在接口设计层面存在本质差异，这种...
设计应用 时间：2025/9/8 阅读：3907
在电子设备的研发与设计中，散热问题一直是影响设备性能和可靠性的关键因素。尤其是随着电子技术的不断发展，电子设备的集成度越来越高，功率密度也越来越大，散热问题变得...
技术方案 时间：2025/8/18 阅读：1384
DDR4（严格来说应为DDR4，不存在“DDR4X”标准）与DDR5是两代不同的内存技术，差异显著，尤其在性能、能效和未来扩展性上。以下是详细对比： 1. 核心区别概览特性DDR4DDR5发布时间2014年2020年（商用普及中）基础频率1600MHz~3200MHz480...
基础电子 时间：2025/6/23 阅读：3452
在计算机内存技术的发展历程中，DDR（Double Data Rate，双倍数据速率）内存不断迭代升级，从 DDR1 发展到如今最新的 DDR5。了解 DDR1 - DDR5 的区别以及它们的管脚定义，对于硬件设计、系统开发等领域的专业人士来说至关重要。目前，DDR...
基础电子 时间：2025/6/12 阅读：691
DDR2与DDR内存是两种不同的内存技术，它们之间有许多区别，主要体现在性能、功耗、工作频率和数据传输方式等方面。以下是它们的主要区别： 1. 数据传输速率 DDR（Double Data Rate）：DDR内存的传输速率通常从 200MT/s 到 400MT/s...
基础电子 时间：2024/12/24 阅读：564
JEDEC 今天公布了即将推出的 DDR5 多路复用列双列直插式内存模块 (MRDIMM) 和下一代 LPDDR6 压缩连接内存模块 (CAMM) 标准的关键细节。新的 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM 将以无与伦比的带宽和内存容量彻底改变行业。 DDR5 MRDIMM 提供创新...
行业标准 时间：2024/7/23 阅读：3371
什么是DDR3L内存？DDR3L和DDR3内存哪个好？DDR3L和DDR3内存的区别
什么是DDR3L内存？ DDR3L内存是一种低电压双倍数据率第三代同步动态随机存取存储器（DDR3 SDRAM），它是DDR3内存的低电压版本。DDR3L内存通常工作在1.35V电压，相比标准的DDR3内存（工作电压为1.5V），能够降低功耗和发热，从而对笔...
基础电子 时间：2024/5/28 阅读：1637
微电子行业标准制定的全球领导者JEDEC 固态技术协会今天宣布发布 JESD79-5C DDR5 SDRAM 标准。JEDEC DDR5 SDRAM 标准的这一重要更新包括旨在提高可靠性和安全性并增强从高...
行业标准 时间：2024/4/22 阅读：4124
DDR5，全称为“双倍数据速率第五代 Synchronous Dynamic Random-Access Memory”（Double Data Rate 5 Synchronous动态随机存取存储器），是一种新一代的计算机内存标准，用于替代目前广泛使用的DDR4内存。DDR5内存具有以下特点和优势：...
基础电子 时间：2024/3/8 阅读：1440
DDR3和DDR4是计算机内存模块的两种标准，它们在数据传输速度、能效、密度等方面有所不同。以下是它们的主要特点： DDR3（Double Data Rate 3） 数据传输速度: DDR3内存的数据传输速度相对较慢，最高可达每秒1600兆次传输（MT/s）。...
基础电子 时间：2024/3/7 阅读：558
