Meta第一季度财报要点 ——营收达到364.55亿美元，较去年同期的286.45亿美元增长27%，超过了分析师平均预期的361.6亿美元； ——净利润为123.69亿美元，较去年同期的...
分类：名企新闻 时间：2024/4/25 阅读：240 关键词：Meta
NVIDIA 与 Meta 合作，宣布推出 Llama 3 的加速版本
该版本针对 NVIDIA GPU 进行了优化，适用于云、数据中心、边缘和 PC 环境。 开发人员可以在 ai.nvidia.com 上访问 Llama 3，它作为 NVIDIA NIM 微服务提供，具有标准 AP...
分类：新品快报 时间：2024/4/23 阅读：235 关键词：NVIDIA
Facebook 母公司 Meta今天宣布即将扩展 Meta Horizo??n OS，这是一种虚拟和增强现实操作系统，可供想要设计自己的耳机的第三方硬件制造商使用。 目前，Meta 销售 Ques...
分类：业界动态 时间：2024/4/23 阅读：208 关键词：Meta
Meta 承诺其下一代定制人工智能芯片将更加强大，能够更快地训练其排名模型。 Meta 训练和推理加速器 (MTIA) 旨在与 Meta 的排名和推荐模型完美配合。这些芯片可以帮助提...
分类：业界动态 时间：2024/4/11 阅读：557 关键词：Meta
近日，Meta在其官方网站上发表《庆祝Reality Labs成立10周年》的文章，并在文中预告了其下一款核心产品——首款AR（增强现实）眼镜。 文中，Meta回顾了Reality Labs以及...
分类：名企新闻 时间：2024/4/9 阅读：406 关键词：Meta
LG 电子和全球大型科技公司 Meta 正在联手开发下一代扩展现实 (XR) 设备。LG电子2月28日宣布，正式与Meta开始战略合作，加速推进XR业务。 Meta 首席执行官马克·扎克伯...
近日，产业链消息称，Meta与LG电子两家企业正计划联合开发下一代头显设备，最早或将于2025年推出。 据悉，Meta与LG组成的“人工智能·元宇宙同盟”已经正式启动。有消息...
分类：业界动态 时间：2024/2/29 阅读：278 关键词：Meta
周三Meta表示，首席执行官总裁 Hock Tan 和慈善家、安然公司前高管约翰·阿诺德 (John Arnold) 将加入该公司董事会。 Tan自2006年以来一直领导这家半导体巨头，这让他在...
分类：名企新闻 时间：2024/2/19 阅读：307 关键词：博通
IEEE: 新报告称Meta将GPT-4作为其下一个人工智能模型的标杆
据《华尔街日报》报道（https://www.theverge.com/23610427/chatbots-chatgpt-new-bing-google-bard-conversational-ai），Meta一直在抢购人工智能训练芯片并建设数据中心，以创建一个更强大的新聊天机器人，它希望能像OpenAI的GPT-4一样...
时间：2024/1/3 阅读：64 关键词：人工智能
AMD推出了“能与英伟达H100 HGX媲美”的AI芯片Instinct MI300X加速器。该芯片由8个MI300X GPU组成，能够提供高达1.5TB的HBM3内存容量。AMD声称，与英伟达H100 HGX相比，Ins...
我们在日常生活中使用各种表面材料，它们作用各异，无论是作为保护层还是用来包装。而电子行业所使用的表面材料也相当丰富，如键盘防尘防潮的超薄聚酯氨，用来保护智能手机...
设计应用 时间：2018/5/28 阅读：80
Vishay推出副基准、密封充油的Bulk Metal箔电阻
Vishay推出副基准、密封充油的Bulk Metal?箔电阻 --- H和HZ系列，在、稳定性和速度上都设定了新的行业基准。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范...
新品速递 时间：2010/1/7 阅读：3232
Vishay推出增强型VTAZ系列Bulk Metal Z箔轴向电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款改进型VTAZ系列超高精度BulkMetalZ箔轴向引线电阻，其额定功率已扩展至1.0W，电阻值为300kΩ。典型轴向电阻在2000小时工作量时可实现＞0.1％的负载寿命稳定性
新品速递 时间：2009/11/2 阅读：2698
Vishay发布超高Bulk Metal箔四电阻网络SMNH
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出具有优异的负载寿命、负载寿命比和贮存寿命稳定性特性的超高精度BulkMetal箔四电阻网络——SMNH电阻网络。新的气密SMNH电阻网络中每个电阻都在0.1W、+70℃下工作100
新品速递 时间：2009/8/21 阅读：2203
Vishay推出Bulk Metal箔超高Accutrim微调电位器1280G和1285G
Vishay推出两款BulkMetal®箔超高精度Accutrim微调电位器---1280G和1285G。这两款长3/4英寸的直线型器件在–55℃～+125℃温度范围内、+25℃参考温度条件下，分别具有±5ppm/℃(1285G)和
新品速递 时间：2009/7/9 阅读：4083
Vishay推出通过严格军标的新型Bulk Metal箔电阻及其代替器件
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，已将其QPLRNC90Y系列高可靠BulkMetal箔电阻的容差减小到±0.005%。如果设计者需要的电阻阻值比QPL规定的范围更高或更低，但是要求具有同样的性能，也可采用非QPL版的
新品速递 时间：2009/5/25 阅读：1640
Vishay推出多款高端应用的Bulk Metal箔表面贴装电阻
VishayIntertechnology,Inc.目前推出采用BulkMetal箔技术制造的多款表面贴装电阻，以实现最高端领域对器件高可靠性和高稳定性的严苛要求。这次发布的器件中，包括新改进的VSMP(0805至2512)系列、及VCS1625Z
新品速递 时间：2009/2/13 阅读：1750
Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻
Vishay推出新型VSA101轴向BulkMetalZ箔电阻，旨在为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在0℃～+60℃以及-55℃～+125℃（+25℃参考温度）的温度范围内分别具有±0.05ppm/℃及±0.2ppm/℃的低
新品速递 时间：2008/8/14 阅读：1437
Vishay推出改进的 S 系列高 Bulk Metal 箔 （BMF） 电阻
Vishay推出改进的S系列高精度BulkMetal箔(BMF)电阻，这些电阻在-55°C～+125°C（+25°C参考点）时具有±2ppm/°C的军用级典型TCR、±0.005%的容差，以及超过10,000小时的±0.005%负载寿命稳定性。S系
新品速递 时间：2008/8/11 阅读：1470
日前，Vishay宣布推出改进的S系列高精度BulkMetal箔(BMF)电阻，这些电阻在-55℃～+125℃（+25℃参考点）时具有±2ppm/℃的军用级典型TCR、±0.005%的容差，以及超过10,000小时的±0.005%负载寿命稳定性。S
新品速递 时间：2008/8/8 阅读：1475
