Nexperia扩充NextPower 80／100 V MOSFET产品组合的封装系列
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK56和LFPAK8...
分类：新品快报 时间：2023/6/21 阅读：446 关键词：MOSFET
Toshiba - 东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET产品线
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开...
分类：新品快报 时间：2023/4/17 阅读：528 关键词：MOSFET
Nexperia扩展LFPAK56D MOSFET产品系列，推出符合AEC-Q101标准的半桥封装产品
关键半导体器件领域的专家 Nexperia 今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。这种新封装提供了一种...
分类：新品快报 时间：2022/6/23 阅读：268 关键词： MOSFET
KEC强化LV MOSFET产品线，全面着手开拓汽车电气设备HVAC市场
引领汽车电气设备HVAC零配件国产化，为进军 汽车电气设备芯片市场打下基础 ◇ KEC LV MOSFET新产品获汽车电气设备零配件可靠性评价标准AEC-Q ，提高了产品的耐久性和稳定性 KEC（代表黄昌燮，音）强化了Low Voltage MOSFET（以下...
分类：名企新闻 时间：2021/6/10 阅读：305 关键词：维库十八周年庆
TOREX低导通电阻，高速开关 扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容 XP231P02013R、XP232P05013R
XP231P02013R（-30V耐压）和XP232P05013R（-30V耐压）是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。 封装组件均采用了小型SOT-323...
分类：新品快报 时间：2020/4/16 阅读：2182 关键词：电阻
TOREX - XP231N0201TR（30V耐压）, 低导通电阻，高速开关 扩大了通用N沟道MOSFET产品阵容
特瑞仕半导体株式会社开发了MOSFET的新产品--XP231N0201TR(30V耐压）。 此次发售的产品，是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电...
分类：名企新闻 时间：2020/3/17 阅读：1645 关键词：MOSFET
TOREX - 低导通电阻，高速开关大了通用N沟道MOSFET产品阵容XP23系列、XP26系列
特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 东京证券交易所:6616）开发了4种XP23系列（30V耐压）、3种XP26系列（60V耐压）作为MOSFET的新产品。 此次推出的7种产品均是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道...
分类：新品快报 时间：2019/6/3 阅读：2350 关键词：MOSFET产品
横跨多重电子应用领域、全球的功率芯片供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）扩大采用第六代STripFET?技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET〓IIMOSFET，新产品
分类：新品快报 时间：2011/1/26 阅读：925 关键词：MOSFET
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称瑞萨电子）正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。新产品主要面向汽车电
分类：名企新闻 时间：2010/7/15 阅读：1052 关键词：MOSFET
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常...
新品速递 时间：2024/6/5 阅读：227
恩智浦半导体(NXPSemiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25VMOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用P
新品速递 时间：2009/7/14 阅读：5902
意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。STW55NM60ND是新的超结FDmesh™II系
新品速递 时间：2008/5/16 阅读：1518
飞兆40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141出炉
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出40VP沟道PowerTrenchMOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的
新品速递 时间：2008/3/6 阅读：1503
近日，NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(
新品速递 时间：2008/2/1 阅读：1556
NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40
新品速递 时间：2008/1/25 阅读：1411
安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。这些新型的30伏(V)，35到191安培
新品速递 时间：2007/12/22 阅读：1879
飞兆半导体发布11种新型小封装MicroFET MOSFET产品
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出11种新型MicroFET MOSFET产品，提供业界最广泛的的散热增强型超紧凑、低高度(2×2×0.8mm)器件，面向30V和20V以下的低功耗应...
新品速递 时间：2007/12/6 阅读：1591
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩充其AEC-Q101的30V和40V MOSFET产品系列，推出11种新型器件。这些低压PowerTrench MOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和线路板...
新品速递 时间：2007/12/6 阅读：1384
的功率半导体产品制造商之一的意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)近日推出了新系列功率MOSFET产品的款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为...
新品速递 时间：2007/11/30 阅读：1460
