基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满...
时间：2025/7/23 阅读：58 关键词：ST
Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器
在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸...
分类：新品快报 时间：2025/7/5 阅读：2712 关键词：Wolfspeed
CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级
德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系...
分类：新品快报 时间：2025/7/2 阅读：2541 关键词：MOSFET
Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性...
时间：2025/6/24 阅读：90 关键词：Infineon
Vishay新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性 美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年5月29日—日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，...
时间：2025/6/13 阅读：122 关键词：Vishay
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 ...
分类：新品快报 时间：2025/6/4 阅读：2632 关键词：ROHM
Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSF...
分类：新品快报 时间：2025/5/30 阅读：5230 关键词：Vishay
Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新...
时间：2025/5/29 阅读：105 关键词：Toshiba
Infineon - 英飞凌OptiMOS6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准
随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码...
时间：2025/5/28 阅读：95 关键词：Infineon
东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件...
分类：新品快报 时间：2025/5/21 阅读：2321 关键词：SiC MOSFET
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电...
基础电子 时间：2025/7/22 阅读：252
安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必...
设计应用 时间：2025/7/10 阅读：172
在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了...
基础电子 时间：2025/7/10 阅读：129
解析 Littelfuse SMFA：非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护
在当今的电源和电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步，开关损耗也在持续降低。然而，随着开关速度的不断提高，设计人...
设计应用 时间：2025/6/24 阅读：192
在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...
设计应用 时间：2025/6/19 阅读：196
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...
设计应用 时间：2025/5/30 阅读：278
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极...
基础电子 时间：2025/5/19 阅读：341
ROHM 小型 MOSFET “AW2K21”：超低导通电阻助力快速充电革新
在当今电子设备飞速发展的时代，快速充电技术已经成为了众多消费者和制造商关注的焦点。为了满足市场对于快速充电的需求，全球知名半导体制造商 ROHM（总部位于日本京都市）于 2025 年 5 月 15 日宣布，推出一款具有突破性的 30V 耐压共...
基础电子 时间：2025/5/16 阅读：279
增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析： 1. 阈值电压（VGS(th)VGS(th)）与导通机制特...
基础电子 时间：2025/4/29 阅读：266
提供精确电压和泄漏电流平衡的新MOSFET已准备好服务于2.8 V至3.3 V. Ald910030的超级电容器。几乎没有电源来平衡细胞平衡，并促进了在串联串联堆栈中为每个超级电容器的电...
设计应用 时间：2025/4/11 阅读：1178
