Infineon-麦米电气采用英飞凌CoolMOS 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器
中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）最...
时间：2026/7/27 阅读：139 关键词：Infineon
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实...
分类：新品快报 时间：2026/7/13 阅读：15933 关键词：SiC MOSFET
东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基...
分类：新品快报 时间：2026/7/1 阅读：8737 关键词：东芝
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，...
分类：新品快报 时间：2026/6/17 阅读：21206 关键词：MOSFET
ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO...
时间：2026/6/15 阅读：520 关键词：ROHM
英飞凌推出OptiMOS 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用
绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公...
分类：新品快报 时间：2026/6/12 阅读：19904 关键词：MOSFET
Wolfspeed 发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET
Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破，相较目前市面同类 1200 V 竞品方案，效率最高可提升27% 该项技术彰显 Wolfspeed 深...
分类：新品快报 时间：2026/6/11 阅读：11542 关键词：Wolfspeed
ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3....
分类：新品快报 时间：2026/5/29 阅读：18441 关键词：ROHM
Toshiba-东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD 系列IC样品
－集成3相直流无刷电机驱动电路与微控制器，实现小型车载电机的直接驱动－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电...
时间：2026/5/26 阅读：608 关键词：Toshiba
Toshiba-东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗...
时间：2026/5/26 阅读：599 关键词：Toshiba
在电子电路领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的电子元件，其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到，在 V_gs（栅源电压）上升过程中并非 “一帆风顺”，会产生一个著名的 “台阶”，也就...
基础电子 时间：2026/8/28 阅读：306
它为何能瞬间从休眠中恢复？电脑的 CPU 又为何能以每秒数十亿次的速度处理信息？在这背后，有一位默默奉献且无处不在的 “幕后英雄”——MOSFET （金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）。它宛如电子世界里的微型智能水闸，精准掌控着电...
基础电子 时间：2026/8/26 阅读：172
超级结 MOSFET（SJ - MOSFET）是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时，易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 ...
设计应用 时间：2026/8/25 阅读：213
功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有显著优势。在高频环境...
基础电子 时间：2026/7/30 阅读：352
深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术
在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 ...
设计应用 时间：2026/7/28 阅读：216
功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中，它展现出了显著的优势，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）更为适用。...
基础电子 时间：2026/7/27 阅读：227
IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同
双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”，在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标，而这些测试结果对于器件选型、驱动优化以及整机设计而...
全部 时间：2026/7/27 阅读：255
详解 IGBT 与 SiC MOSFET 两类器件双脉冲测试的设备性能差异
双脉冲测试在功率半导体动态特性表征领域堪称 “黄金标准”，它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲及反向恢复参数等重要指标。这些测试结果对于器件选型、驱动...
设计应用 时间：2026/7/24 阅读：352
MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为现代集成电路的核心单元，其结构设计的每一个环节都直接决定着器件的性能、功耗与集成度。在 MOSFET 的漫长发展历程中，poly（多晶硅）材料凭借其独特的物理与电学特性，成为了结构中的...
基础电子 时间：2026/7/16 阅读：320
深入解析 MOSFET 在开关电源领域超越 BJT 的显著优势
在当今的电子工程领域，电源设计一直是至关重要的环节。从几十年前开始，电源设计师和工程师们就不断探索创新的能量转换方案。早期，线性电源是工程师们的主要选择。线性电...
设计应用 时间：2026/6/25 阅读：521
