Vishay新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性 美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年5月29日—日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，...
时间：2025/6/13 阅读：21 关键词：Vishay
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 ...
分类：新品快报 时间：2025/6/4 阅读：2456 关键词：ROHM
Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSF...
分类：新品快报 时间：2025/5/30 阅读：3348 关键词：Vishay
Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新...
时间：2025/5/29 阅读：59 关键词：Toshiba
Infineon - 英飞凌OptiMOS6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准
随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码...
时间：2025/5/28 阅读：63 关键词：Infineon
东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件...
分类：新品快报 时间：2025/5/21 阅读：2271 关键词：SiC MOSFET
ROHM推出实现超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。 新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集...
时间：2025/5/19 阅读：173 关键词：ROHM
ROHM-内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块 被SMA的太阳能系统采用
全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模...
时间：2025/5/19 阅读：113 关键词：ROHM
ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。 ...
分类：新品快报 时间：2025/5/16 阅读：2343 关键词：MOSFET
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，专为高功率应用能效优化而生
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品，旨在为蓬勃发展的工业电源应用市场提供更高能效解决方...
分类：新品快报 时间：2025/5/13 阅读：1901 关键词：AOS
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...
设计应用 时间：2025/5/30 阅读：219
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极...
基础电子 时间：2025/5/19 阅读：283
ROHM 小型 MOSFET “AW2K21”：超低导通电阻助力快速充电革新
在当今电子设备飞速发展的时代，快速充电技术已经成为了众多消费者和制造商关注的焦点。为了满足市场对于快速充电的需求，全球知名半导体制造商 ROHM（总部位于日本京都市）于 2025 年 5 月 15 日宣布，推出一款具有突破性的 30V 耐压共...
基础电子 时间：2025/5/16 阅读：245
增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析： 1. 阈值电压（VGS(th)VGS(th)）与导通机制特...
基础电子 时间：2025/4/29 阅读：201
提供精确电压和泄漏电流平衡的新MOSFET已准备好服务于2.8 V至3.3 V. Ald910030的超级电容器。几乎没有电源来平衡细胞平衡，并促进了在串联串联堆栈中为每个超级电容器的电...
设计应用 时间：2025/4/11 阅读：1139
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失，这可能会主导P/N二极管损失，尤其是在较高的温度，快速转换过渡和高流动应用下。除了...
设计应用 时间：2025/3/20 阅读：379
低压技术 与N通道MOSFET相比，P通道MOSFET代表相对较小的份额，低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性，以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构彻底蚀刻的栅极结构实...
基础电子 时间：2025/2/19 阅读：285
低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行，通常低于100 V，但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用，即使电源电压很低。关键功能包括以...
设计应用 时间：2025/2/10 阅读：222
短路原点 电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。 负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈...
设计应用 时间：2024/12/19 阅读：354
这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。 关于模拟布局中的堆叠式 MO...
设计应用 时间：2024/12/11 阅读：327
