常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,有助于车载应用的高效运行和小型化。 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFE...
时间:2024/8/23 阅读:12 关键词:Rohm
Infineon - 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用...
时间:2024/8/21 阅读:25 关键词:温度传感器
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC...
时间:2024/8/21 阅读:13 关键词:IGBT
Infineon - 英飞凌推出全新600 V CoolMO 8 SJ MOSFET系列, 适用于高成本效益的先进电源应用
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS 8 高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOS...
时间:2024/8/20 阅读:18 关键词:半导体
Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下,电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...
时间:2024/8/20 阅读:16 关键词:半导体
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V, 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更...
时间:2024/8/20 阅读:16 关键词:半导体
Infineon - 新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS 7 MOSFET产品组合,在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件,并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS 7 MOSFET。这些MOSFET针对各...
时间:2024/8/19 阅读:27 关键词:半导体
第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装,为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布为其最新的...
分类:新品快报 时间:2024/8/14 阅读:284 关键词:MOSFETs
Mouser - 贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术,开启了电力系统和能量转换的新篇章...
时间:2024/8/8 阅读:34 关键词:英飞凌
Diotec - 手机、手表和无线耳机的无线充电,由MOSFET DI048N04PT供电
这款3合1无线充电站有两个充电器和18个铜线圈,用于快速充电。它的特别之处在于它能够处理电量水平,同时为手机、智能手机和手表充电。它的设计用于给带有外壳的设备充电,但可能会被厚厚的外壳或诸如PopSocket之类的障碍物干扰。德欧泰...
时间:2024/8/7 阅读:26 关键词:半导体
80 和 100V MOSFET,采用 5×6 和 8×8 LFPAK 封装
Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET,Rds(on)范围为1.8至15mΩ,100V器件的Rds(on)范围为2.07mΩ以上。 该公司表示:“许多MOSFET制...
分类:新品快报 时间:2024/8/7 阅读:275 关键词:MOSFET
Nexperia - 采用P沟道LFPAK56 MOSFET的汽车H桥DC电机控制参考设计
今天的视频中,Nexperia(安世半导体)将向您展示H桥直流电机控制电路参考设计。 H桥电路是一个全桥DC-DC转换器,支持有刷直流电动机(最大电压48 V、最小电压12 V、最大电流5 A)运行。该控制电路的输入电压范围为12-48V,适用于功率...
时间:2024/8/5 阅读:42 关键词:DC电机
PANJIT 推出新款 P 沟道和 N 沟道 MOSFET,旨在提升汽车电子系统的性能。P 沟道 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证,结温高达 175°C,为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些 MOSFET 最大限度地降低了 RDS(ON),最大限度地...
时间:2024/7/26 阅读:60 关键词:MOSFET
Panjit -强茂高效能60V/100V/150V车规级 MOSFET系列
强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET,此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。采用先进沟槽技术设计,与传统标准沟槽设计相比,为60V MOSFET的品质因数(FOM)减少68%、100V减少41%、150V则减少了53%,且显著降低...
时间:2024/7/26 阅读:107 关键词: MOSFET系列
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术,开启了电力系统和能量转换的新...
分类:新品快报 时间:2024/7/25 阅读:320