常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化。 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFE...
时间：2024/8/23 阅读：12 关键词：Rohm
Infineon - 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用...
时间：2024/8/21 阅读：24 关键词：温度传感器
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...
时间：2024/8/21 阅读：13 关键词：IGBT
Infineon - 英飞凌推出全新600 V CoolMO 8 SJ MOSFET系列， 适用于高成本效益的先进电源应用
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOS...
时间：2024/8/20 阅读：18 关键词：半导体
Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...
时间：2024/8/20 阅读：16 关键词：半导体
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更...
时间：2024/8/20 阅读：16 关键词：半导体
Infineon - 新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS 7 MOSFET。这些MOSFET针对各...
时间：2024/8/19 阅读：27 关键词：半导体
第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的...
分类：新品快报 时间：2024/8/14 阅读：283 关键词：MOSFETs
Mouser - 贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章...
时间：2024/8/8 阅读：34 关键词：英飞凌
Diotec - 手机、手表和无线耳机的无线充电，由MOSFET DI048N04PT供电
这款3合1无线充电站有两个充电器和18个铜线圈，用于快速充电。它的特别之处在于它能够处理电量水平，同时为手机、智能手机和手表充电。它的设计用于给带有外壳的设备充电，但可能会被厚厚的外壳或诸如PopSocket之类的障碍物干扰。德欧泰...
时间：2024/8/7 阅读：25 关键词：半导体
我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET，并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长，因此对于早期 MOS 晶体管来说相当准确。然而，后续研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶...
设计应用 时间：2024/8/13 阅读：393
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧...
设计应用 时间：2024/8/6 阅读：147
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率...
设计应用 时间：2024/6/14 阅读：357
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描...
设计应用 时间：2024/6/11 阅读：720
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常...
新品速递 时间：2024/6/5 阅读：302
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。...
基础电子 时间：2024/5/31 阅读：300
ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。 近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400...
新品速递 时间：2024/5/24 阅读：1243
ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与...
新品速递 时间：2024/5/24 阅读：762
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下， 栅源电压要么足...
基础电子 时间：2024/4/29 阅读：332
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 的效率更高...
设计应用 时间：2024/4/26 阅读：473
