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高通CEO:2035年中国5G价值链将创造近1300万个就业机会

高通公司总裁兼CEO克里斯蒂亚诺·安蒙(CristianoAmon)今天在2021年世界互联网大会乌镇峰会开幕式上表示,预计到2035年,中国5G价值链将贡献近100亿元的经济价值,并创造...

分类:行业访谈 时间:2021/9/26 阅读:242

英特尔CEO、苹果公司等将参加美国白宫举办的芯片短缺会议

据知情人士透露,英特尔(IntelCorp.)首席执行官帕特?盖尔辛格(PatGelsinger)计划参加白宫举行的一个线上会议,讨论全球芯片的短缺问题,与会的还有来自苹果(Apple)、...

分类:业界要闻 时间:2021/9/23 阅读:1075

何时不再“缺芯”?展锐CEO楚庆这样说

“缺芯”现象何时休?硬科技企业如何管理?5G已来又似乎未来?4G还有多少长尾效应?这些问题备受业界关注。 9月16日,在展锐举办的“UP·2021线上生态峰会”上,展锐CEO楚...

分类:行业访谈 时间:2021/9/18 阅读:1679

英特尔CEO预测:到2030年,芯片将占高端汽车BOM的20%以上

英特尔CEO帕特·基辛格预测,到2030年,“万物数字化”将推动芯片在全新高端汽车物料清单(BOM)中的占比超过20%,这一数字将比2019年的4%增长5倍之多。① ●到2030年前,...

分类:行业趋势 时间:2021/9/17 阅读:4616

展锐CEO楚庆:“缺芯” 拐点或在明年中期到来

从去年年底以来出现的“缺芯”现象对汽车、消费电子等产业链、供应链均造成了很大冲击。造成“缺芯”的原因是什么?“缺芯”现象何时缓解?企业该如何应对?展锐CEO楚庆在...

分类:行业访谈 时间:2021/9/17 阅读:1085

高通CEO:愿与代工厂在欧洲展开合作 芯片短缺问题明年基本解决

据报道,高通公司CEO里斯蒂亚诺·安蒙(CristianoAmon)今日表示,如果欧盟的汽车芯片生产激励计划能够吸引到合适的代工厂商,高通也愿意与它们在欧洲展开合作。 安蒙在慕...

分类:行业访谈 时间:2021/9/9 阅读:4044

英特尔CEO预测:到2030年,芯片将占高端汽车BOM的20%以上

英特尔CEO帕特·基辛格预测,到2030年,“万物数字化”将推动芯片在全新高端汽车物料清单(BOM)中的占比超过20%,这一数字将比2019年的4%增长5倍之多。① ●到2030年前,...

分类:行业趋势 时间:2021/9/8 阅读:4723

宝马CEO预计:芯片供应在未来6-12个月内仍将紧张

宝马首席执行官OliverZipse周一表示,预计供应链紧张局面将持续到2022年,令有关关键半导体严重短缺将很快结束的希望破灭。 他在慕尼黑IAA车展上表示:“我预计,供应链普...

分类:行业趋势 时间:2021/9/7 阅读:4567

戴姆勒 CEO:汽车芯片短缺问题可能到 2023 年缓解

据媒体报道,德国汽车制造商戴姆勒首席执行官OlaKaellenius周日表示,半导体芯片需求飙升意味着汽车行业从明年至2023年可能难以采购到足够的半导体芯片,不过到那时候供应...

分类:行业访谈 时间:2021/9/7 阅读:2518

联想集团董事长兼CEO杨元庆:投资20亿在渝建设智能终端生产基地

“时隔一年,很高兴再次参加智博会。重庆不仅是中国西部制造重镇,也是快速崛起的智慧名城。 ”联想集团董事长兼CEO杨元庆发表了视频演讲。 他透露,联想将和...

分类:行业访谈 时间:2021/8/25 阅读:3103

CEO技术

18岁CEO催生开放架构平行处理器 提早实现exascale等级系统

在美国有一家由两个青少年所创立的新公司 Rex Computing ,开发了一款平行架构处理器,期望能为高阶系统带来10倍的每瓦效能提升;该公司并打算将指令集架构转为开放源码,...

设计应用 时间:2018/8/31 阅读:460

英特尔CEO在2009IDF上展示首款22nm晶圆

9月24日消息,昨天在美国旧金山2009年秋季英特尔信息技术峰会(IntelDeveloperForum,IDF)上,英特尔总裁兼首席执行官保罗·欧德宁(PaulOtellini)展示了世界上首款基于22...

新品速递 时间:2011/9/3 阅读:1984

Spansion更换CEO,只为强化公司战略和重组计划

北京,2009年2月5日–Spansion(Nasdaq:SPSN)宣布任命在半导体行业纵横15载的资深人士JohnKispert为首席执行官兼董事,即日生效,以期进一步增强核心管理团队的战斗力。Spansion日前公布的文件显示,萨克曼尼已于4月

其它 时间:2011/9/2 阅读:1135

穿透电流ICEO的简易测量

电流ICEO的测量是通过测集电极-发射极反向电阻来实现的,如图所示。所测反向电阻越大,说明ICEO越小。一般硅三极管比锗三极管阻值大;高频三极管比低频三极管阻值大;小功率的廿大功率的阻值大。图穿透电流测试方法示意图测穿透电流ICEO的...

基础电子 时间:2008/4/24 阅读:2472

ChipIdea CEO认为模拟IC也将向SiP过渡

将CMOS工艺应用于模拟电路和RF电路的尝试在业界日趋活跃,其目标之一就是要实现将模拟/RF电路与数字电路一起集成于单芯片的SoC上。不过,最近越来越多的人表示:"也不一定非要做SoC,SiP(系统级封装)也是一种不错的选择。"葡萄牙ChipIde

基础电子 时间:2007/11/29 阅读:1583

TC623CEOA的技术参数

产品型号:TC623CEOA管脚:8工作电压(V):2.7~4.5输出形式:逻辑输出接口:-典型精度(°C):±125°C时最大精度(°C):±3最大供电电流(μA):250封装/温度(℃):8SOIC/-40~125描述:逻辑输出温度传感器价格/

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1353

TC621CEOA的技术参数

产品型号:TC621CEOA管脚:8工作电压(V):4.5~18输出形式:逻辑输出接口:-典型精度(°C):-25°C时最大精度(°C):-最大供电电流(μA):400封装/温度(℃):SOIC-8/-40~85描述:逻辑输出温度传感器价格/1片(

基础电子 时间:2007/4/18 阅读:1391

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