Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、...
分类：新品快报 时间：2024/3/1 阅读：318 关键词：电子
安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用，能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采...
分类：新品快报 时间：2024/2/27 阅读：235 关键词：英特尔
ST - 意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关...
时间：2024/1/17 阅读：38 关键词：IGBT晶体管
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保...
时间：2024/1/2 阅读：154 关键词：门极驱动器
Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN...
分类：新品快报 时间：2024/1/2 阅读：390 关键词：驱动器
全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN...
分类：新品快报 时间：2023/12/25 阅读：446 关键词：IGBT模块
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全...
分类：新品快报 时间：2023/12/14 阅读：331 关键词：驱动器
ROHM - 新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice模型
利用嵌入了功率元器件的电路仿真工具，提高设计的便利性 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）扩大了支持电路仿真工具*1 LTspice 的SPICE模型*2阵容。LTspice具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按...
Infineon - 英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP? IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方...
时间：2023/11/6 阅读：63 关键词：英飞凌
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4
PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。 特征描述 提...
分类：新品快报 时间：2023/10/13 阅读：198 关键词：IGBT
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比，IGBT具有更低...
基础电子 时间：2024/1/23 阅读：447
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
设计应用 时间：2023/12/25 阅读：521
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS)，以及消费类应用，例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控...
设计应用 时间：2023/10/13 阅读：810
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
设计应用 时间：2023/10/10 阅读：845
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
设计应用 时间：2023/10/8 阅读：529
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
设计应用 时间：2023/9/5 阅读：334
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型...
设计应用 时间：2023/8/31 阅读：448
本应用笔记介绍了在开关模式电源电路中运行的 IGBT 的数值算法，以确定其损耗。该设计示例使用经过测试和分析的 600 W 零电流开关升压 PFC（功率因数校正）电路，以准确预测从工作电路获得的损耗。预测损耗逐项列出，以便设计人员可以快...
基础电子 时间：2023/8/24 阅读：1254
第一部分 选型及注意事项 1、电压规格??器件上所承受的最高电压要小于器件的额定电压2、电流规格??一般使用的ICmax≦IC(nom)*70%3、电路结构??由电气方案决定电路结构，然后选择合适的模块以符合电路结构4、封装??需要考虑安装方式、散热...
基础电子 时间：2023/5/31 阅读：513
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。 由于...
设计应用 时间：2023/5/19 阅读：62
