ST - 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。 STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔...
时间：2024/11/28 阅读：79 关键词：栅极驱动器
Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合， 专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计
为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电...
分类：新品快报 时间：2024/11/25 阅读：73 关键词：Microchip
Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计
为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技...
分类：新品快报 时间：2024/11/15 阅读：421 关键词：Microchip
ROHM 开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT ~助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等效率提升~
ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。 此次发售的产品包括4款分立封...
时间：2024/11/13 阅读：47 关键词：ROHM
ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT
ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高...
分类：新品快报 时间：2024/11/8 阅读：272 关键词：ROHM
据报道，2024 年千年技术奖（2024 Millennium Technology Prize）授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加（Bantval Jayant Baliga）教授，以表彰其发明了绝缘栅...
分类：业界动态 时间：2024/9/9 阅读：146 关键词：IGBT
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...
时间：2024/8/21 阅读：82 关键词：IGBT
Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本
近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDu...
时间：2024/6/18 阅读：100 关键词：安森美
Sanken - 低饱和电压有助于高效率化 车载点火器用IGBT
DGU5020GR是内置齐纳二极管和栅极电阻的500V耐压IGBT。 无外置箝位电路即可构成点火线圈的驱动电路。 在维持承受高自箝位感应开关能量（ESCIS）的同时实现低饱和电压特性。 同时，在全温度范围（?40 °C～175 °C），能维持极为...
时间：2024/5/24 阅读：62 关键词：IGBT
Power Integrations推出适用于1．2kV至2．3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个...
分类：新品快报 时间：2024/5/22 阅读：377 关键词：电子
IGBT，代表绝缘栅双极晶体管。它是具有绝缘栅极端子的双极晶体管。它将控制输入与 MOS 结构和双极功率晶体管结合在单个器件中，充当输出开关！ IGBT原理 IGBT 是一种具有三个端子的半导体器件，结合了双极结型晶体管 (BJT) 和金属...
基础电子 时间：2024/12/13 阅读：311
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。 电流范围非常广，目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A 目前可用的脉冲能量从 J ...
基础电子 时间：2024/9/5 阅读：206
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17中的IGBT是由PNP型三...
基础电子 时间：2024/8/28 阅读：360
区分电极 在区分 IGBT 各电极时，万用表选择二极管测量挡，红、黑表笔接任意两个引脚，正、反各测一次，当某次测量出现显示值在0.400～0.800范围的数值时，如图7—20（b...
设计应用 时间：2024/8/19 阅读：175
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件，即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的特点，能够实现高电压和高电流的控制。以下...
基础电子 时间：2024/6/24 阅读：423
下面以FGA25N120型IGBT为例，介绍用指针式万用表检测IGBT的方法。FGA25N120内带阻尼管的IGBT，它有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C亦称漏极）及发射...
设计应用 时间：2024/5/10 阅读：294
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比，IGBT具有更低...
基础电子 时间：2024/1/23 阅读：566
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
设计应用 时间：2023/12/25 阅读：652
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS)，以及消费类应用，例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控...
设计应用 时间：2023/10/13 阅读：955
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
设计应用 时间：2023/10/10 阅读：921
