ST 的用于 SiC MOSFETs 和 IGBT 的隔离式汽车栅极驱动器提供了灵活性，可以控制不同功率等级的逆变器，具备可编程保护和诊断功能，允许进行 ISO 26262 ASIL D 认证。 集...
分类：新品快报 时间：2025/5/7 阅读：4708 关键词：栅极驱动器
ST - 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。 STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔...
时间：2024/11/28 阅读：670 关键词：栅极驱动器
Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合， 专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计
为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电...
分类：新品快报 时间：2024/11/25 阅读：132 关键词：Microchip
Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计
为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技...
分类：新品快报 时间：2024/11/15 阅读：473 关键词：Microchip
ROHM 开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT ~助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等效率提升~
ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。 此次发售的产品包括4款分立封...
时间：2024/11/13 阅读：130 关键词：ROHM
ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT
ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高...
分类：新品快报 时间：2024/11/8 阅读：313 关键词：ROHM
据报道，2024 年千年技术奖（2024 Millennium Technology Prize）授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加（Bantval Jayant Baliga）教授，以表彰其发明了绝缘栅...
分类：业界动态 时间：2024/9/9 阅读：226 关键词：IGBT
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...
时间：2024/8/21 阅读：128 关键词：IGBT
Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本
近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDu...
时间：2024/6/18 阅读：168 关键词：安森美
Sanken - 低饱和电压有助于高效率化 车载点火器用IGBT
DGU5020GR是内置齐纳二极管和栅极电阻的500V耐压IGBT。 无外置箝位电路即可构成点火线圈的驱动电路。 在维持承受高自箝位感应开关能量（ESCIS）的同时实现低饱和电压特性。 同时，在全温度范围（?40 °C～175 °C），能维持极为...
时间：2024/5/24 阅读：101 关键词：IGBT
IGBT，全称为 Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管），它是一种由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的功率半导体器件。其输入极采用 MOSFET 结构，输出极...
设计应用 时间：2025/6/11 阅读：141
绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为一种具备高输入阻抗和高开关速度的功率半导体器件，在电力电子领域中得到了广泛应用，诸如变频器、逆变器以及电动机驱动等场景。IGBT 的驱动方式对其开关特性、效率以及可靠性等方面有着直接的影响。接下来...
基础电子 时间：2025/6/4 阅读：133
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极...
基础电子 时间：2025/5/19 阅读：285
R 课堂：全面剖析 IGBT IPM 热关断保护功能（TSD）
在电力电子设备的运行过程中，温度控制是保障设备稳定性和可靠性的关键因素之一。IGBT IPM（Intelligent Power Module，智能功率模块）作为一种重要的电力电子器件，其热关...
设计应用 时间：2025/5/13 阅读：302
IGBT 正弦波调光器作为一种先进的调光设备，凭借其独特的工作原理和显著优势，在众多领域得到了广泛应用。 IGBT 正弦波调光器工作原理 IGBT 正弦波调光器主要基于 IG...
设计应用 时间：2025/5/9 阅读：460
不间断电源（UPS）的光伏（PV）逆变器是离散IGBT的最受欢迎的应用之一。该应用程序具有更高的功率因数（PF）操作条件（PF1.0），较小的快速恢复二极管（FRD）可以提供更好...
设计应用 时间：2025/3/14 阅读：287
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种常用于电力电子领域的功率半导体器件，在变频器、电机驱动、电力变换等应用中有广泛的应用。由于IGBT在工作时会承受较高的电流和电压，短路保护对其工作安全至关重要。IGBT的短路保护主要分为两类： ...
基础电子 时间：2025/2/20 阅读：305
IGBT，代表绝缘栅双极晶体管。它是具有绝缘栅极端子的双极晶体管。它将控制输入与 MOS 结构和双极功率晶体管结合在单个器件中，充当输出开关！ IGBT原理 IGBT 是一种具有三个端子的半导体器件，结合了双极结型晶体管 (BJT) 和金属...
基础电子 时间：2024/12/13 阅读：429
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。 电流范围非常广，目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A 目前可用的脉冲能量从 J ...
基础电子 时间：2024/9/5 阅读：285
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17中的IGBT是由PNP型三...
基础电子 时间：2024/8/28 阅读：758
