Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本
近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDu...
时间：2024/6/18 阅读：87 关键词：安森美
Power Integrations推出适用于1．2kV至2．3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个...
分类：新品快报 时间：2024/5/22 阅读：368 关键词：电子
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保...
时间：2024/1/2 阅读：249 关键词：门极驱动器
Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN...
分类：新品快报 时间：2024/1/2 阅读：478 关键词：驱动器
全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN...
分类：新品快报 时间：2023/12/25 阅读：582 关键词：IGBT模块
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全...
分类：新品快报 时间：2023/12/14 阅读：392 关键词：驱动器
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4
PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。 特征描述 提...
分类：新品快报 时间：2023/10/13 阅读：264 关键词：IGBT
Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器，可报告遥测数据以实现可观测性、预测性维护和生命周期建模
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出新款单通道即插即用型门极驱动器，适配于尺寸为190mmx140mm的3...
分类：新品快报 时间：2023/5/10 阅读：560
智新半导体正启动二期项目建设方案，IGBT模块年产能将达120万只
目前，智新半导体正启动二期项目建设方案，年产能将达到120万只，预计2024年建成，不仅能满足东风公司到2025年产销100万辆新能源汽车对IGBT模块的需求，还能为其他车企供货...
分类：名企新闻 时间：2022/10/12 阅读：1310
Fuji Electric -发售有助于铁路运输节能的第7代“X系列”IGBT模块
更新时间：2020-12-14 富士电机株式会社（总部：东京都品川区，总裁：北泽通宏）开始量产针对铁路市场的第7代“X系列”元件的大容量IGBT※1模块“HPnC※2”，特发此通知。 ※1：Insulated Gate Bipolar Transistor ※2：H...
时间：2022/7/6 阅读：203 关键词：电子
1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，最后用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如-1所示。从上之下它...
基础电子 时间：2023/5/8 阅读：329
IGBT等效电路如所示。由可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给...
基础电子 时间：2023/4/13 阅读：453
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。 电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原...
基础电子 时间：2022/12/23 阅读：551
IDC 谏早电子开发IGBT适配器单元VLB520-01R, 可使用在薄型Duel配置IGBT模块, 改善并联使用效能。
谏早电子有限公司宣布, 將為薄型Duel配置IGBT模块生產适配器单元VLB520-01R。 产品内置栅极/发射极总布线长度调整电路, 对应1200V/1700V, ～800A的薄型Duel配置IGBT模块组, 使用简单高效的TLAC连接方式。令IGBT可轻松实现并联。 现时使用...
新品速递 时间：2022/11/28 阅读：6044
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的...
设计应用 时间：2018/11/15 阅读：5287
如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断...
设计应用 时间：2018/10/29 阅读：2042
TDK集团推出新型爱普科斯 （EPCOS） 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科 技公司 （Infineon Technologies） HybridPACK?1-DC6 IGBT模块而设计，采 用多触点结构，具备尺寸...
新品速递 时间：2017/4/11 阅读：1662
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触...
基础电子 时间：2016/5/9 阅读：2096
Littelfuse推出高额定值的IGBT模块功率半导体产品
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A。
新品速递 时间：2014/11/19 阅读：1793
功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出完善的IGBT模块系列，适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及...
新品速递 时间：2014/11/11 阅读：1613
