ST - 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能

类别:其他  出处:网络整理  发布于:2024-11-28 13:54:53 | 672 次阅读

  意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。

  STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离,瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV,共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术,STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用,包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、直流-直流转换器和太阳能逆变器。
  STGAP3S 产品系列为开发者提供不同的产品型号选择 ,其中包括驱动电流 10A 和 6A的产品,两种产品都具有不同的欠压锁定 (UVLO) 和去饱和干预阈值,帮助设计人员选择与其所选的SiC MOSFET 或 IGBT 功率开关管性能匹配的驱动器。
  去饱和保护功能实现了对外部功率开关管的过载和短路保护,可以使用外部电阻调整功率开关管的关断策略,调整关断速度来限度地提高保护功能,同时避免出现过多的过压尖峰。欠压锁定保护可防止驱动电压不足时导通。
  驱动器集成的米勒钳位架构为外部 N 沟道 MOSFET 提供一个预驱动器。因此,设计人员可以灵活地选择合适的干预速度,以防止感应导通,并避免交叉导通。
  现有的产品型号包括驱动能力10A 拉/灌电流和6A拉/灌电流的驱动器,针对 IGBT 或 SiC 优化的去饱和检测和 UVLO 阈值,让开发者所选的功率开关发挥性能。去饱和、UVLO 和过热保护的故障情况通过两个专用的开漏诊断引脚通知控制器。
关键词:栅极驱动器

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