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Nexperia今日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速...

时间：2024/9/9 阅读：16 关键词：Nexperia

Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管

Nexperia宣布为其持续扩展的功率器件产品组合新增两款理想二极管IC。其中，NID5100适用于标准工业和消费应用，而NID5100-Q100已获得认证，可用于汽车应用。这两款理想二极...

分类：新品快报时间：2024/9/4 阅读：284 关键词：理想二极管

Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管

Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管，其中一半符合汽车标准。　　Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管　　跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A ...

分类：新品快报时间：2024/8/29 阅读：234 关键词：双极功率晶体管

Nexperia的650 V两种超快速恢复整流二极管采用D2PAK真双引脚封装，具备高效率和高可靠性

Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。　　这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高...

时间：2024/8/8 阅读：70 关键词：半导体

Nexperia为其功率器件产品组合添加了具有出色限流精度的新型大电流eFuse

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出NPS3102A和NPS3102B电子保险丝(eFuse)，进一步扩充其不断发展的功率器件产品组合。这些低电阻(17 mΩ)、大电流(13.5 A)、可复位的电子保险丝有助于保护下游负载，不受过高电压的...

时间：2024/8/8 阅读：22 关键词：半导体

Nexperia - 采用P沟道LFPAK56 MOSFET的汽车H桥DC电机控制参考设计

今天的视频中，Nexperia（安世半导体）将向您展示H桥直流电机控制电路参考设计。　　H桥电路是一个全桥DC-DC转换器，支持有刷直流电动机（最大电压48 V、最小电压12 V、最大电流5 A）运行。该控制电路的输入电压范围为12-48V，适用于功率...

时间：2024/8/5 阅读：47 关键词：DC电机

Nexperia扩展一系列创新应用专用MOSFET，精准优化匹配您的设计需求

随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如...

时间：2024/7/23 阅读：54 关键词：MOSFET

Nexperia将在汉堡投资2亿美元，持续扩大研发和生产能力

半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日宣布，计划投资2亿美元（约合1.84亿欧元）研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此...

时间：2024/6/28 阅读：25 关键词：Nexperia

Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求

Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中...

分类：新品快报时间：2024/6/13 阅读：353 关键词：SiC二极管

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK－7封装

Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...

分类：新品快报时间：2024/5/23 阅读：304 关键词：SiC MOSFET

Xperia技术

Nexperia 的沟槽肖特基二极管提高电源效率

通常，异步开关模式电源 (SMPS) 的主要损耗源是二极管的非理想特性。解决此问题的一种方法是使用同步 SMPS，其中二极管被受控 MOSFET 开关取代。这种方法肯定会提高效率；然而，它是以增加电路和需要精确控制为代价的。同步与异步升压...

设计应用时间：2023/4/25 阅读：428

Nexperia推出一系列A-selection齐纳二极管，可提供高精度基准电压，拥有业内极低的±1%容差

基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基准电压。这两个系列不...

新品速递时间：2022/6/23 阅读：384

Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

在LFPAK封装中采用新型SOA（安全工作区） Trench技术，可提供出色的瞬态线性模式性能，为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点...

新品速递时间：2022/6/23 阅读：1277

Nexperia推出全新Trench肖特基整流器旨在为快速开关应用提高效率

新器件已通过AEC-Q101认证，支持高达100 V的电压和20 A的电流，开关损耗低且安全工作区域增大基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布扩充了旗下的Trench肖特基整流器产品组合，最新推出额定电压和电流分别高达100 V和20 A的全新器...

新品速递时间：2022/6/23 阅读：491

Nexperia表面贴装器件通过汽车应用的板级可靠性要求

基础半导体器件领域的 Nexperia宣布，公司研发的表面贴装器件-铜夹片FlatPower封装CFP15B首次通过的供应商针对汽车应用的板级可靠性（BLR）测试。该封装将首先应用于发动机控制单元。 BLR是一种评估半导体封装坚固性和可靠性的方法...

新品速递时间：2021/9/11 阅读：524

适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%，并将PCB占用空间减小80%

基础半导体器件领域的 Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。　　ASFET是一种新型MOSFET，经过优化，可用于...

新品速递时间：2021/8/9 阅读：504

Nexperia推出四款全新兼具高信号完整性的TrEOS ESD保护器件

具备行业基准性能的器件，符合AEC-Q101标准，可保护信息娱乐、多媒体和ADAS系统。　　奈梅亨，2020年9月15日：半导体基础元器件领域的高产能生产 Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件，这些器件通过了AEC-Q101 ，适用于车规级应...

新品速递时间：2020/9/16 阅读：896

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)

解决电源电路中电容器课题的新技术登场！　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一种新的电源技术“Nano Cap ”，使用该技术，可以使包括汽车和工业设备在内的各种电源电路在外置电容器容量为极小的nF级（纳米级： 1...

新品速递时间：2020/4/23 阅读：482

Nexperia针对汽车以太网推具有开创性且符合OPEN Alliance 标准的硅基ESD器件

分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia，日前宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太网系统推出业界领先且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ESD 防护器件。 OPEN （One-Pair Ether-Net） Alliance Special I...

新品速递时间：2020/2/18 阅读：518