80 和 100V MOSFET,采用 5×6 和 8×8 LFPAK 封装

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-08-07 11:02:49 | 60 次阅读

  Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET,Rds(on)范围为1.8至15mΩ,100V器件的Rds(on)范围为2.07mΩ以上。
  该公司表示:“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时,专注于通过低Qg(总)和低Qgd来实现高效率。然而,Nexperia认为Qrr同样重要,因为它会影响尖峰效应,进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰(EMI)量。
  它没有给出这些参数的数据,因此,随机选择8 x 8mm、80V、2.3mΩ、240A、n沟道PSMN2R3-80SSF,数据手册的数字是:
  Qg(总计) 61 – 184nC (123nC 典型值) – 25Ad, 40Vd, 10Vg, 25°C
  Qgd:7 – 51nC(典型值为 22nC) – 相同
  Qr:47nC 典型值(无值/值)– 25As、-100A/μs、0Vg、40Vd、25°C
关键词:MOSFET

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