类别：其他 出处：网络整理 发布于：2024-07-26 14:03:48 | 14 次阅读
PANJIT 推出新款 P 沟道和 N 沟道 MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P 沟道 MOSFET 通过了 AEC-Q101 ，结温高达 175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了选择。这些 MOSFET 限度地降低了 RDS(ON)，限度地提高了雪崩坚固性，采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA、TO-263 和 TO-263-7L封装。
PANJIT 的 N 沟道功率 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有出色的性能系数 (FOM)、更低的 RDS(ON) 和电容。这些 MOSFET 采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA封装，有助于实现高效可靠的 PCB 设计。
联系邮箱：3342987809@qq.com
凡本网注明“出处：维库电子市场网”的所有作品，版权均属于维库电子市场网，转载请必须注明维库电子市场网，https://www.dzsc.com，违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品出处，并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。
