第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。
纳微发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe?氮化镓功率芯片搭配，使这款电源以137W/inch?的功率密度和超过97%的峰值效率，成为全球功率密度的AI服务器电源。同样，在400V的电动汽车电池系统中，TOLL封装的G3F MOSFETs是车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及6.6kW-22kW牵引电机的理想之选。
相较于传统的D2PAK-7L封装，表贴TOLL封装的结壳电阻（RTH,J-C）要低9%，PCB占位面积也要小30%，厚度低50%并且整体尺寸少60%，有利于打造功率密度的解决方案，如纳微的4.5kW高功率密度AI服务器电源。此外，由于其具备仅为2nH的封装电感，可实现卓越的高速开关性能和的动态损耗。
