MOSFET产品

MOSFET产品技术

东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线,助力降低电源功耗

通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中,开关电源起着不可忽视的作用,它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常...

新品速递 时间:2024/6/5 阅读:262

NXP推出N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品

恩智浦半导体(NXPSemiconductors,由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25VMOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用P

新品速递 时间:2009/7/14 阅读:5902

ST推出全新快速恢复MOSFET产品

意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列,为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求,新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。STW55NM60ND是新的超结FDmesh™II系

新品速递 时间:2008/5/16 阅读:1519

飞兆40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141出炉

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出40VP沟道PowerTrenchMOSFET产品FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON)),与目前的

新品速递 时间:2008/3/6 阅读:1505

NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品

近日,NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(

新品速递 时间:2008/2/1 阅读:1558

NEC电子(欧洲)推出新型P沟道功率MOSFET产品

NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40

新品速递 时间:2008/1/25 阅读:1413

安森美拓展功率MOSFET产品系列推出18款新计算器件

安森美半导体推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直流-直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。这些新型的30伏(V),35到191安培

新品速递 时间:2007/12/22 阅读:1883

飞兆半导体发布11种新型小封装MicroFET MOSFET产品

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出11种新型MicroFET MOSFET产品,提供业界最广泛的的散热增强型超紧凑、低高度(2×2×0.8mm)器件,面向30V和20V以下的低功耗应...

新品速递 时间:2007/12/6 阅读:1592

飞兆扩充其低压MOSFET产品系列 推出11款新型器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩充其AEC-Q101的30V和40V MOSFET产品系列,推出11种新型器件。这些低压PowerTrench MOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和线路板...

新品速递 时间:2007/12/6 阅读:1386

ST推出了新系列功率MOSFET产品的款产品

的功率半导体产品制造商之一的意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)近日推出了新系列功率MOSFET产品的款产品。 通态电阻极低,动态特性和雪崩特性非常优异,新系列产品为...

新品速递 时间:2007/11/30 阅读:1460