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英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度

电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...

分类:新品快报 时间:2024/6/14 阅读:415 关键词:英飞凌

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装

Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...

分类:新品快报 时间:2024/5/23 阅读:270 关键词:SiC MOSFET

Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功...

分类:新品快报 时间:2024/5/8 阅读:286 关键词:电子

Infineon - 英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装,为现代汽车应用提供更高效率

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简...

时间:2024/5/7 阅读:58 关键词:电子

Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212-F封装的TrenchFET 第五代功率MOSFET

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子...

分类:新品快报 时间:2024/2/21 阅读:322 关键词:电子

Infineon - 英飞凌推出首款采用OptiMOS7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS 7系列。OptiMOS 7 15 ...

时间:2024/1/15 阅读:95 关键词:MOSFET

英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业...

分类:新品快报 时间:2023/12/8 阅读:428 关键词:英飞凌

ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4/ R6003KND4 / R60...

分类:新品快报 时间:2023/12/8 阅读:423 关键词:电源

优于 TO247 顶侧冷却 SMD 封装,适用于 650V 汽车 MOSFET

英飞凌已将其 CFD7A 产品组合中的 650V MOSFET 芯片放入表面贴装封装中,“与著名的 TO247 通孔器件相比,其电气性能得到了改善,从而实现了车载充电器和 DC-DC 转换器的高效能源利用”。   英飞凌 QDPAK TSC loRes  “QDPAK TSC”...

分类:新品快报 时间:2023/11/23 阅读:263 关键词:英飞凌

Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET

Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力,很高兴宣布推出CPC3981Z,一种800V、100mA、45欧姆小功率N...

分类:新品快报 时间:2023/10/18 阅读:199 关键词:MOSFET

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