纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的...

分类：新品快报 时间：2024/8/14 阅读：286 关键词：MOSFETs

80 和 100V MOSFET，采用 5×6 和 8×8 LFPAK 封装

Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET，Rds（on）范围为1.8至15mΩ，100V器件的Rds（on）范围为2.07mΩ以上。　　该公司表示：“许多MOSFET制...

分类：新品快报 时间：2024/8/7 阅读：278 关键词：MOSFET

英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...

分类：新品快报 时间：2024/6/14 阅读：439 关键词：英飞凌

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK－7封装

Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...

分类：新品快报 时间：2024/5/23 阅读：291 关键词：SiC MOSFET

Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功...

分类：新品快报 时间：2024/5/8 阅读：294 关键词：电子

Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212－F封装的TrenchFET 第五代功率MOSFET

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子...

分类：新品快报 时间：2024/2/21 阅读：329 关键词：电子

英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业...

分类：新品快报 时间：2023/12/8 阅读：441 关键词：英飞凌

ROHM开发出采用SOT－223－3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4/ R6003KND4 / R60...

分类：新品快报 时间：2023/12/8 阅读：429 关键词：电源

Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET

Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，很高兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N...

分类：新品快报 时间：2023/10/18 阅读：210 关键词：MOSFET

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装 “东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚...

分类：新品快报 时间：2023/9/4 阅读：391 关键词：MOSFET