优于 TO247 顶侧冷却 SMD 封装，适用于 650V 汽车 MOSFET
英飞凌已将其 CFD7A 产品组合中的 650V MOSFET 芯片放入表面贴装封装中，“与著名的 TO247 通孔器件相比，其电气性能得到了改善，从而实现了车载充电器和 DC-DC 转换器的高效能源利用”。 英飞凌 QDPAK TSC loRes “QDPAK TSC”...
分类：新品快报 时间：2023/11/23 阅读：277 关键词：英飞凌
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，很高兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N...
分类：新品快报 时间：2023/10/18 阅读：216 关键词：MOSFET
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装 “东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚...
分类：新品快报 时间：2023/9/4 阅读：393 关键词：MOSFET
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET—...
分类：新品快报 时间：2023/8/18 阅读：440 关键词：MOSFET
英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（...
分类：新品快报 时间：2023/8/4 阅读：440 关键词：英飞凌
Infineon - 采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。 相比第一代产品，1200 V Co...
时间：2023/7/7 阅读：197 关键词：TO263-7封装
Nexperia 宣布扩大其 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装选项，之前仅提供 LFPAK56E 封装，现在还包括 LFPAK56 和 LFPAK88 封装。 这些器件旨在将电信、服务器计...
分类：新品快报 时间：2023/6/27 阅读：459 关键词：MOSFET 封装
Nexperia扩充NextPower 80／100 V MOSFET产品组合的封装系列
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK56和LFPAK8...
分类：新品快报 时间：2023/6/21 阅读：457 关键词：MOSFET
Vishay推出SOP－4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器
器件通过AEC-Q102认证，开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款业内先进的新型汽车...
分类：新品快报 时间：2023/6/8 阅读：398 关键词：MOSFET驱动器
Toshiba - 东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保...
时间：2023/6/5 阅读：271 关键词：儒卓力
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)...
时间：2023/5/26 阅读：109 关键词：Nexperia
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保...
分类：新品快报 时间：2023/5/19 阅读：507 关键词：MOSFET
Toshiba - 东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两...
分类：新品快报 时间：2023/3/10 阅读：460 关键词：N沟道功率MOSFE
Infineon - 英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS?源极底置功率MOSFET
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3...
分类：新品快报 时间：2023/2/23 阅读：344 关键词：英飞凌
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出采用新型L-TOGL（大型晶体管...
分类：新品快报 时间：2023/2/3 阅读：342
