Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK－7封装
Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...
分类：新品快报 时间：2024/5/23 阅读：268 关键词：SiC MOSFET
Infineon - 英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS? S7 ...
时间：2023/8/16 阅读：165 关键词：英飞凌
英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（...
分类：新品快报 时间：2023/8/4 阅读：427 关键词：英飞凌
ShinDengen -单个封装搭载两个第4代MOSFET器件的Dual MOSFET发售
新电元工业株式会社即将发售用于各种车载ECU的MOSFET“LF Dual”系列。 该系列在完美继承本公司原有产品低损耗、大电流特点的同时，通过在单个封装上搭载双器件，因而在车载电机驱动用、马达ECU（喷油器驱动）、防逆接逆流继电器等...
时间：2022/7/4 阅读：143 关键词：MOSFET
Onsemi USB-C电源套件包、第7代1200 V IGBT和二极管以及首款TOLL封装的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件简化高能效电源方案的设计
领先于智能电源和智能感知技术的安森美，将在2022年5月10日至12日于德国纽伦堡举行的PCIM Europe推出一系列新的电源方案。 安森美在PCIM Europe的展台将呈现最新技术的现场演示，展示这些技术如何赋能开发领先市场的电动车...
时间：2022/6/28 阅读：213 关键词：USB-C电源
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出很新第四代600VE系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。VishaySiliconixn沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代6...
分类：新品快报 时间：2022/2/22 阅读：1876
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构（650V / 1200V）的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装（TO-247-4L）型款，与传统3引脚封装类型（TO-247N）相比，可...
Vishay推出的新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款60 V TrenchFET?第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下导通电阻降至4 mW，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封装。Vishay...
Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，...
分类：新品快报 时间：2019/3/11 阅读：624
Microsemi 美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mO...
