The RF MOSFET Line
RF POWER FIELD EFFE* TRANSISTOR

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET

 MRF374A

470 – 860 MHz, 130 W, 32 V
LATERAL N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFET

• T*ical Two–Tone Performance @ 860 MHz, 32 Volts, Narrowband Fixture
Output Power — 130 Watts PEP
Power Gain — 17.3 dB
Efficiency — 41%
IMD — –32.5 dBc
• 100% Tested for Load Mi*atch Stress at All Phase Angles with 10:1
VSWR @ 32 Vdc, 860 MHz, 130 Watts, f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz
• Integrated *D Protection
• Excellent Thermal Stability
• Characterized with Differential Large–Signal Impedance Parameters

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