Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2023-10-18 11:27:13 | 200 次阅读

  Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力,很高兴宣布推出CPC3981Z,一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
  
  与标准SOT-223封装相比,这款新产品的SOT-223-2L封装去掉了中间引脚。 这将漏极与栅极之间的引脚间距从1.386毫米增加到超过4毫米。 爬电距离延长有利于开关模式电源设备(SMPS)或功率因数校正(PFC)启动电路等更高电压应用,因为设计人员可以避免昂贵的保形涂料或灌封。
  CPC3981Z的主要区别在于其改进型SOT-223-2L封装,使设计人员能够利用小型分立器件满足更高电压应用所需的延长爬电距离。 由于爬电距离更大,CPC3981Z提高了电路的可靠性,并有助于节约成本。 CPC3981Z的800V额定阻断电压使其成为工业、能源、电信和LED照明应用的理想选择,包括:
   常开开关,
   电源,
   启动电路,
   固态继电器,
   电流调节器,以及
   恒流源
  耗尽型MOSFET引脚之间增加的距离简化了宽输入电压电源的隔离管理,并支持紧凑的印刷电路板布局。
  Littelfuse集成电路和MCU产品管理总监Mark P. Smith表示:“Littelfuse很荣幸能够提供业界广泛的耗尽型MOSFET产品组合之一,CPC3981Z进一步巩固了我们的地位。这是我们低成本耗尽型MOSFET系列的新成员,采用新型SOT-223-2L封装,对于要求高达800V宽输入电压范围的应用来说,是解决方案。”

关键词:MOSFET

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

热点排行

广告