Nexperia 宣布扩大MOSFET 封装选项

类别：新品快报　出处：网络整理　发布于：2023-06-27 10:27:07 | 442 次阅读

Nexperia 宣布扩大其 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装选项，之前仅提供 LFPAK56E 封装，现在还包括 LFPAK56 和 LFPAK88 封装。
这些器件旨在将电信、服务器计算、工业、电源、快速充电、USB-PD 和电机控制应用中的高效率与减少尖峰行为结合起来。
Q g *R DSon品质因数长期以来一直是旨在提高 MOSFET 开关效率的半导体制造商关注的焦点。
然而，将该数字压得更低会产生意想不到的后果：MOSFET 开启或关闭时尖峰电平增加，从而增加产生的电磁干扰 (EMI) 量。
确定这是一个新出现的问题后，Nexperia 开始研究如何修改其他工艺技术参数来帮助解决该问题。
这些努力终导致 Nexperia 发布了具有较低 Q rr（反向恢复电荷）的 NextPower 80/100 V MOSFET，使它们能够显着减少开关转换期间的尖峰量，同时表现出与竞争 MOSFET 相同的高效性能，但 EMI 更低。
通过在 LFPAK56 和 LFPAK88 中提供这些高效率、低尖峰的 NextPower 80/100 V MOSFET，Nexperia 不仅使设计人员能够缩小应用尺寸并从铜夹封装的增强稳健性中受益，而且还为设计工程师提供了新的选择以及希望为其现有设计寻找额外来源的客户。

关键词：MOSFET 封装

上一篇：传苹果公司正开发一款显示屏超过 30 英寸的新型 iMac

下一篇：1—5月我国软件业务收入4.32万亿元，同比增长13.3%

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿，欢迎大家砸稿过来哦！

联系邮箱：3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处：维库电子市场网”的所有作品，版权均属于维库电子市场网，转载请必须注明维库电子市场网，https://www.dzsc.com，违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品出处，并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。

Nexperia 宣布扩大MOSFET 封装选项

全年征稿 / 资讯合作

版权与免责声明

相关资讯

热门标签推荐

维库芯视频>>

热点排行

日

周

月

热门标签

最新百科

最新技术资料

PDF下载

Nexperia 宣布扩大MOSFET 封装选项

全年征稿 / 资讯合作

版权与免责声明

相关资讯

热门标签推荐

维库芯视频>>

热点排行 日 周 月

热门标签

最新百科

最新技术资料

PDF下载

热点排行

日

周

月