优于 TO247 顶侧冷却 SMD 封装,适用于 650V 汽车 MOSFET

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2023-11-23 10:23:25 | 333 次阅读

  英飞凌已将其 CFD7A 产品组合中的 650V MOSFET 芯片放入表面贴装封装中,“与的 TO247 通孔器件相比,其电气性能得到了改善,从而实现了车载充电器和 DC-DC 转换器的高效能源利用”。
 
  英飞凌 QDPAK TSC loRes
  “QDPAK TSC”是今年早些时候发布的顶侧冷却封装(参见图片),现已在 JEDEC 注册 - 同时它还透露了与 TO220 类似的封装,称为 DDPAK。
  选择 650V 17mΩ(值)IPDQ65R017CFD7A,它可以在 100°C 时承载 86A(在 25°C 时承载 136A),并在 -40 至 +125°C 之间的结点下运行。
  结壳电阻为 0.18°C/W,25°C 时功耗高达 694W。
  在 400V、61.6A 漏极和 0-10V 栅极时,总栅极电荷为 236nC。为栅极驱动提供单独的源极连接以帮助切换。
关键词:英飞凌

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